「ぼせいえむあーるえぬえー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明の二軸配向積層ポリエステルフィルムは、Ａ／Ｂ／Ｃの少なくとも３層積層構成からなる二軸配向ポリエステルフィルムであって、少なくともＡ層が、ポリエステルとポリエーテルイミドからなり、Ａ層の表面粗さＲａが０．２〜１０ｎｍ、かつ、該Ａ層と反対側の層の表面粗さＲａが１〜３０ｎｍであることを特徴とするものである。例文帳に追加

The biaxially oriented laminated polyester film comprises at least three-layered laminated constitution of A/B/C and at least the A-layer consists of polyester and polyetherimide and the surface roughness Ra of the A-layer is 0.2-10 nm and the surface roughness Ra of the layer on the side opposite to the A-layer is 1-30 nm. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

In the method for evaluating the defect area of the silicon wafer, at least two oxygen deposit densities measured by some specific stages are compared. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

The method of producing such silicon wafer and the method of evaluating defect area of the silicon wafer are also provided. - 特許庁

本発明は、（Ｉ）マルチドラッグレジスタンスアソシエーテッドプロテイン（ｍｕｌｔｉｄｒｕｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ−ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ｐｒｏｔｅｉｎ；ＭＲＰ）をコードする遺伝子を植物細胞に導入することにより、ＭＲＰ形質転換植物を得る工程、（ＩＩ）工程（Ｉ）において得られたＭＲＰ形質転換植物を農薬汚染土壌で生育させる工程、及び、（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）において生育させたＭＲＰ形質転換植物を回収する工程を包含する、農薬汚染土壌の浄化方法を提供する。例文帳に追加

The method for cleaning soil contaminated with agrochemicals comprises following processes, (I) transducing a gene encoding a multidrug resistance-associated protein (MRP) into a plant cell to obtain the MRP transformed plant, (II) a process growing the MRP transformed plant obtained in the process (I), in the soil contaminated with agrochemicals, and (III) a process collecting the MRP transformed plant grown in the process (II). - 特許庁

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。例文帳に追加

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration. - 特許庁