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ダイナミック ランダム アクセス メモリを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 81



例文

ダイナミックランダムアクセスメモリ例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

256Megダイナミックランダムアクセスメモリ例文帳に追加

256 MEG DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ例文帳に追加

LOW POWER CONSUMPTION TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

例文

ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁


例文

ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE OF THE SAME - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法及びダイナミックランダムアクセスメモリ内に形成されたキャパシタ例文帳に追加

METHOD OF FORMING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND CAPACITOR FORMED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

半導体装置、半導体装置の製造方法、ダイナミックランダムアクセスメモリおよびダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

例文

ダイナミックランダムアクセスメモリセル、これを含むデバイス、及びダイナミックランダムアクセスメモリ記憶装置の製造方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, DEVICE COMPRISING THE CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

例文

ダイナミックランダムアクセスメモリ素子、ダイナミックランダムアクセスメモリ素子にアクセスする方法、半導体メモリ素子例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR ACCESSING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE - 特許庁

ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ用出力回路、及びダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ例文帳に追加

OUTPUT CIRCUIT FOR DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法例文帳に追加

BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリおよび半導体記憶装置例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。例文帳に追加

To reduce the current consumption of a dynamic random access memory (DRAM). - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリをテストする方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR TESTING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。例文帳に追加

To reduce current consumption of a dynamic random access memory DRAM. - 特許庁

不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法例文帳に追加

DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリのための読出データ経路例文帳に追加

READ-OUT DATA ROUTE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

1トランジスタ1キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ例文帳に追加

ONE-TRANSISTOR ONE-CAPACITOR TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ツイスト型ビット線アーキテクチャを有するダイナミックランダムアクセスメモリ用冗長メモリセル例文帳に追加

REDUNDANT MEMORY CELL FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING TWIST TYPE BIT LINE ARCHITECTURE - 特許庁

同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)回路に好適な配線及び構造を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring and structure suitable for a synchronous dynamic random access memory (SDRM) circuit. - 特許庁

4Mの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity. - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)等の集積回路用の基準電圧発生器例文帳に追加

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT SUCH AS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリのビット線およびキャパシタコンタクトホールの製造プロセス例文帳に追加

BIT LINE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING PROCESS OF CAPACITOR CONTACT HOLE - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリデバイス、デ—タ転送システム及びデ—タ書き込み方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, DATA-TRANSFERRING SYSTEM AND DATA WRITE METHOD - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ装置用の電圧クランプ方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR VOLTAGE CLAMPING FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線回復方法及び装置例文帳に追加

BIT LINE RECOVERING METHOD AND DEVICE IN A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線上へ直接ロードする方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR LOADING DIRECTLY DATA ON BIT LINES IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力リフレッシュ回路および方法例文帳に追加

POWER-SAVING REFRESHING CIRCUIT FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD - 特許庁

不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動回路及び駆動方法例文帳に追加

DRIVING CIRCUIT FOR NONVOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリアレイの電力を低減するための方法および集積回路装置例文帳に追加

METHOD FOR REDUCING ELECTRIC POWER OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE - 特許庁

二重データレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスにおける自動終端方式例文帳に追加

SELF-TERMINATION SCEME IN DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT - 特許庁

高誘電率を有する誘電体層を使用して、高蓄積キャパシタンスを有するダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a dynamic random access memory having a highly stored capacitance using a dielectric layer having a high dielectric constant. - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリに用いられる還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物例文帳に追加

DIELECTRIC COMPOSITION USED FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING STABILITY WITH RESPECT TO REDUCING ATMOSPHERE - 特許庁

センスアンプの感度を決定するためのテストシステム及び方法を具備するダイナミックランダムアクセスメモリ回路例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT PROVIDED WITH TEST SYSTEM AND METHOD FOR DECIDING SENSITIVITY OF SENSE AMPLIFIER - 特許庁

集積回路ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスおよび混載DRAMを組み込むデバイス用のデータマスキング技術を使用する早期書込み例文帳に追加

EARLY WRITE WITH DATA MASKING TECHNIQUE FOR INTEGRATED CIRCUIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) DEVICES AND THOSE INCORPORATING EMBEDDED DRAM - 特許庁

メモリモジュール450は、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)452および故障記憶ユニット454を備える。例文帳に追加

The memory module 450 includes a plurality of dynamic random access memories (DRAMs) 452 and a fault storage unit 454. - 特許庁

メモリハブがグラフィックス処理装置にダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)などランダムアクセスメモリへのアクセスを提供すること。例文帳に追加

To allow a memory hub permit a graphics processor to access random access memories such as dynamic random access memories (DRAMs). - 特許庁

ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリからのデータ取り出し方法、及びデータストローブ信号提供方法例文帳に追加

METHOD FOR OUTPUTTING DATA FROM DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR PROVIDING DATA STROBE SIGNAL - 特許庁

半導体ボディ、ダイナミックランダムアクセスメモリならびに電気的アイソレ—ションおよびメモリセルの形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR BODY, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRIC ISOLATION, AND MANUFACTURE OF MEMORY CELL - 特許庁

16Mの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 16M. - 特許庁

64Mの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 64M. - 特許庁

DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)センス増幅器の好適なバイアスセンシングを提供してリフレッシュ性能を向上させる。例文帳に追加

To improve refresh performance in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) sense amplifier by providing bias sensing suitable for the DRAM sense amplifier. - 特許庁

キャッシュメモリ11と、DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)20と、フラッシュメモリ30とを各々システムバスに接続する。例文帳に追加

In this information processor, a cache memory 11, DRAM (dynamic random access memory) 20 and a flash memory 30 are connected to respective system buses. - 特許庁

センスアンプの感度を決定するテストシステム及び方法を使用するダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)回路を提供する。例文帳に追加

To obtain a dynamic random access memory(DRAM) circuit using a test system and a method for deciding sensitivity of a sense amplifier. - 特許庁

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)は第一ビット線と第二ビット線とを具備するビット線対を有している。例文帳に追加

This dynamic random access memory(DRAM) has a pair of bit lines provided with first bit lines and second bit lines. - 特許庁

例文

リフレッシュ方法、メモリシステム、ダイナミックランダムアクセスメモリ装置、メモリシステムの動作方法及びロジックエンベディッドメモリシステム例文帳に追加

REFRESHING METHOD, MEMORY SYSTEM, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM OPERATING METHOD, AND LOGIC EMBEDDED MEMORY SYSTEM - 特許庁

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