「変化法」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

物体の変化状態推定方法及び物体の変化状態推定システム例文帳に追加

OBJECT CHANGE STATE ESTIMATING METHOD AND OBJECT CHANGE STATE ESTIMATING SYSTEM - 特許庁

相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法例文帳に追加

APPARATUS OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY - 特許庁

色変化処理装置および色変化処理方法、カラー画像処理システム例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR COLOR VARIATION PROCESSING, AND COLOR IMAGE PROCESSING SYSTEM - 特許庁

不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE RESISTANCE CHANGE ELEMENT - 特許庁

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ例文帳に追加

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY - 特許庁

運転シーン変化検出装置、自動車及び運転シーン変化検出方法例文帳に追加

OPERATION SCENE VARIANCE DETECTOR, AUTOMOBILE AND OPERATION SCENE VARIANCE DETECTING METHOD - 特許庁

建築物変化検出装置、建築物変化検出方法、及びプログラム例文帳に追加

BUILDING CHANGE DETECTING DEVICE, BUILDING CHANGE DETECTING METHOD, AND PROGRAM - 特許庁

相変化インキ組成物、その製造方法及び相変化インキセット例文帳に追加

PHASE CHANGE INK COMPOSITION, PRODUCING METHOD THEREFOR, AND PHASE CHANGE INK SET - 特許庁

建物形状変化検出方法及び建物形状変化検出システム例文帳に追加

BUILDING SHAPE CHANGE DETECTION METHOD AND BUILDING SHAPE CHANGE DETECTION SYSTEM - 特許庁

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ例文帳に追加

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY - 特許庁

地図変化検出装置、地図変化検出方法およびプログラム例文帳に追加

MAP CHANGE DETECTION DEVICE AND METHOD, AND PROGRAM - 特許庁

相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE - 特許庁

画面変化検査装置、画面変化検査方法及びプログラム例文帳に追加

SCREEN CHANGE INSPECTION DEVICE, SCREEN CHANGE INSPECTION METHOD AND PROGRAM - 特許庁

感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法例文帳に追加

RADIATION SENSITIVE COMPOSITION WITH VARIABLE DIELECTRIC CONSTANT AND METHOD FOR VARYING DIELECTRIC CONSTANT - 特許庁

画像変化検出装置、画像変化検出方法、及びプログラム例文帳に追加

IMAGE CHANGE DETECTION APPARATUS, IMAGE CHANGE DETECTION METHOD AND PROGRAM - 特許庁

抵抗変化素子、抵抗変化素子の製造方法および半導体メモリ例文帳に追加

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE - 特許庁

受信電界変化監視装置および受信電界変化監視方法例文帳に追加

RECEPTION ELECTRIC FIELD CHANGE MONITOR DEVICE AND RECEPTION ELECTRIC FIELD CHANGE MONITOR METHOD - 特許庁

相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の読み出し動作の制御方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MEMORY APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING READ OPERATION THEREOF - 特許庁

電磁波伝搬状態変化装置、及び電磁波伝搬状態変化方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR VARYING PROPAGATION STATE OF ELECTROMAGNETIC WAVE - 特許庁

相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ例文帳に追加

RESISTANCE VARIABLE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RESISTANCE VARIABLE MEMORY - 特許庁

動的変化検出方法、動的変化検出装置及び超音波診断装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR DYNAMIC CHANGE DETECTION AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC EQUIPMENT - 特許庁

シーン変化検出装置、符号化装置及びシーン変化検出方法例文帳に追加

SCENE CHANGE DETECTION DEVICE, CODING DEVICE AND SCENE CHANGE DETECTION METHOD - 特許庁

シーン変化検出装置、符号化装置及びシーン変化検出方法例文帳に追加

SCENE CHANGE DETECTION DEVICE, ENCODING DEVICE, AND SCENE CHANGE DETECTION METHOD - 特許庁

相変化型光記録材料及び相変化型光記録層の形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF PHASE TRANSITION OPTICAL RECORDING MATERIAL AND PHASE TRANSITION OPTICAL RECORDING LAYER - 特許庁

抵抗変化メモリのテスト装置、方法および抵抗変化メモリ装置例文帳に追加

TEST APPARATUS AND METHOD OF RESISTANCE CHANGE MEMORY, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE - 特許庁

相変化メモリ装置の駆動方法及び相変化メモリ装置例文帳に追加

METHOD FOR DRIVING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE - 特許庁

相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法例文帳に追加

PHASE TRANSFORMATION MEMORY DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法例文帳に追加

NON-VOLATILE RESISTANCE VARIATION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

相変化光ディスクおよび相変化光ディスクの再生方法例文帳に追加

PHASE CHANGE OPTICAL DISK AND METHOD FOR PLAYING PHASE CHANGE OPTICAL DISK - 特許庁

図形変化装置、図形変化方法、コンピュータプログラム及び記録媒体例文帳に追加

GRAPHIC CHANGE DEVICE, GRAPHIC CHANGE METHOD, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。例文帳に追加

The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed. - 特許庁

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子例文帳に追加

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THE METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT - 特許庁

画像変化検知システム及びその制御方法、画像変化検知装置、通信装置、画像変化検知方法、通信方法、記憶媒体例文帳に追加

IMAGE CHANGE DETECTION SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF, IMAGE CHANGE DETECTION APPARATUS, COMMUNICATION APPARATUS, IMAGE CHANGE DETECTION METHOD, COMMUNICATION METHOD, AND STORAGE MEDIUM - 特許庁

相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法例文帳に追加

PHASE-CHANGE SUBSTANCE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD - 特許庁

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a phase-change material layer, and a method of forming a phase-change memory element using the method, and also to provide a phase-change memory element. - 特許庁

測定時の環境温度が異なった場合に、温度変化による体積変化率及び／又は長さ変化率の影響を取り除き、固体自身の体積変化率及び／又は長さ変化率を得ることができる体積変化率及び／又は長さ変化率を測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of measuring a volume change rate and/or a length change rate, the method which allows measuring the volume change rate and/or the length change rate of a solid itself by removing the effect of the volume change rate and/or the length change rate due to a temperature change when the environmental temperature when measurement is different. - 特許庁

イオン濃度変化層の測定方法、イオン濃度変化層の測定装置、及び接合方法例文帳に追加

MEASURING METHOD OF ION CONCENTRATION CHANGE LAYER, MEASURING DEVICE OF ION CONCENTRATION CHANGE LAYER, AND JOINING METHOD - 特許庁

ウレタンの導電化法および環境変化による電気抵抗変化の減少方法例文帳に追加

MAKING URETHANE ELECTRICALLY CONDUCT AND REDUCTION OF ELECTRIC RESISTANCE CHANGE OF THE URETHANE CAUSED FROM CHANGE OF ENVIRONMENT - 特許庁

相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING PHASE-CHANGE LAYER APPLIED TO THE SAME - 特許庁

相変化光ディスクの初期化方法及びその方法により初期化された相変化光ディスク例文帳に追加

METHOD FOR INITIALIZING PHASE CHANGE OPTICAL DISK AND PHASE CHANGE OPTICAL DISK INITIALIZED BY THE METHOD - 特許庁

相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE UTILIZING THE SAME - 特許庁

異常値検出装置、変化点検出装置及び異常値検出方法、変化点検出方法例文帳に追加

OUTLYING OBSERVATION DETECTION DEVICE, CHANGE POINT DETECTION DEVICE, OUTLYING OBSERVATION DETECTION METHOD AND CHANGE POINT DETECTION METHOD - 特許庁

相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD - 特許庁