| 例文 (10件) |
16 mm filmの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
In the case where a polymer film is bonded to a substrate and a ligand is bonded to the polymer film to manufacture the carrier wherein the ligand remains bonded to the polymer film in a density of 1.0×10^16-3.3×10^18/mm^3, the process for bonding the ligand to the polymer film is performed in an organic solvent.例文帳に追加
基板に高分子膜を結合し、この高分子膜にリガンドを結合させて、リガンドが1.0×10^16個/mm^3以上3.3×10^18個/mm^3以下の密度で高分子膜に結合している担体を製造する場合に、高分子膜にリガンドを結合させる工程を有機溶剤中で行う。 - 特許庁
But the full 16 mm film was discovered in the library at Yugawara-cho Kanagawa Prefecture and was remade into a Laser Disc as 'revival version' in 1992 by Nikkatsu corporation, which made the name of Nakahira known among young people. 例文帳に追加
ところが16ミリ化された全長版が神奈川県湯ヶ原町の図書館で発見され、平成4年（1992年）、にっかつ（現・日活）から「復元版」としてレーザーディスク化され、若い世代にも中平の名が知られるところとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The coating film layer 13 is formed of the powder paint made of a resin, and the powder paint is constituted of a coating film forming powder 15 with a particle size of <100 μm and a pattern forming powder 16 with a particle size of about 100 μm-5 mm.例文帳に追加
塗膜層１３は、樹脂製の粉体塗料によって形成されており、この粉体塗料は、粒径１００μm未満の塗膜形成粉体１５及び粒径１００μm〜５ｍｍ程度の模様形成粉体１６とにより構成されている。 - 特許庁
The blow holes 14 are filled with the first coating film 16 and a second coating film 18 to form the residual blow hole 24 with the opening diameter D2 of ≤0.5 mm.例文帳に追加
鋳巣１４は、第１皮膜１６及び第２皮膜１８によって充填され、残存陥没開口径Ｄ２が０．５ｍｍ以下の残存陥没２４となる。 - 特許庁
The DC motor includes an insulating material 16 for protecting an armature conductor 13 in the slot 12a of an armature core 12, which is increased in thickness as compared with a conventional article to increase an impedance between the armature conductor 13 and the armature core 12 (film thickness of powder coating: 0.1 mm to 1 mm).例文帳に追加
電機子コア１２のスロット１２ａ内で電機子導体１３を保護する絶縁材１６は、電機子導体１３と電機子コア１２との間のインピーダンスを大きくするために、従来品より厚さを大きくしている（粉体塗装の膜厚を０．１ｍｍ →１ｍｍ ）。 - 特許庁
The optical member 10 for the plasma display which has a film 16 having at least an electromagnetic wave shield function, a near-infrared-ray cutting function, and an antireflective function and an adhesion layer 17 formed one surface of the film 16 and also has a tensile strength of ≥100 N/25 mm width and an adhesion strength of ≥3.0 N/25 mm width.例文帳に追加
少なくとも電磁波シールド機能、近赤外線カット機能、および反射防止機能を持つフィルム１６と、このフィルム１６の片面に形成された粘着層１７とを有し、引張強度が、１００Ｎ／２５ｍｍ幅以上であり、粘着強度が３．０Ｎ／２５ｍｍ幅以上であるプラズマディスプレイ用光学部材１０。 - 特許庁
In the pipe 1 comprising a metallic tube 11 and a flexible house 12 of rubber-made outer film, a longitudinal part of the metallic tube 11 (for example, a metallic tube of 16 mm in outer diameter) is covered with a heat- shrinkable tube 3 (5.5 mm in thickness after heat-shrinkage) having a relatively large thickness as a weight.例文帳に追加
金属製チューブ１１とゴム製外皮のフレキシブルホース１２とで構成される配管１に対し、金属製チューブ１１の長手方向の一部に重りとして比較的肉厚の厚い（例えば外径１６ｍｍの金属製チューブに対し、熱収縮後の肉厚５．５ｍｍの）熱収縮チューブ３を被覆する。 - 特許庁
The film strips are overlapped one another to form an overlapped region 22, and the overlapped region 22 is dimensioned to be 10 to 100 mm in a longitudinal direction of the wearing article 1 and extends in a transverse direction to the vicinity of leg-surrounding elastic members 16.例文帳に追加
フィルム片は、互いに重なり合う重畳部位２２を形成しており、その重畳部位２２が着用物品１の上下方向において１０〜１００ｍｍの寸法を有し、幅方向において脚周り弾性部材１６の近傍にまで延びる。 - 特許庁
An O ring 15 is provided at the periphery between a substrate electrode 6 and a sample 20 (where a SiN film is formed on a GaAs substrate) and thus a He gas diffusion space 16 around 1 mm high is constituted between the substrate electrode 6 and the sample 20.例文帳に追加
基板電極６と試料２０（ＧａＡｓ基板にＳｉＮ膜を形成したもの）との間の周縁部にＯリング１５を設けて、基板電極６と試料２０との間に高さ１ｍｍ程度のＨｅガスの拡散空間１６を構成する。 - 特許庁
In a region in which a coverage of an active region where a gate electrode 14 is formed is ≥50% and an area thereof is ≥0.02 mm^2, carbon 15 is introduced into a polycrystalline silicon film 14' and then phosphorus 16 is introduced into the polycrystalline silicon film 14', which is patterned to form the gate electrode 14 on a gate insulating film 13.例文帳に追加
ゲート電極１４が形成されたアクティブ領域による被覆率が５０％以上かつその面積が０．０２ｍｍ^２以上の領域において、多結晶シリコン膜１４´に炭素１５を導入してから、多結晶シリコン膜１４´にリン１６を導入し、多結晶シリコン膜１４´をパターニングすることにより、ゲート絶縁膜１３上にゲート電極１４を形成する。 - 特許庁
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