| 例文 (10件) |
C54を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
The phase transition of the Ti silicide film of C49 phase to a Ti silicide film 80 of C54 phase is carried out by applying the annealing treatment again.例文帳に追加
再びアニール処理を加えてＣ４９相のＴiシリサイド膜をＣ５４相のＴiシリサイド膜８０に相転移させる。 - 特許庁
To form titanium silicide in C54 phase even in a small region with ease with respect to a processing method for semiconductor device including a salicide process.例文帳に追加
サリサイドプロセスを含む半導体装置の製造方法に関し、狭い領域でもＣ54相のチタンシリサイドを容易に形成すること。 - 特許庁
A silicide film 15 of TiSi_2 made by C54 phase is formed at least at the bottom of the contact hole 14.例文帳に追加
コンタクトホール１４には少なくとも底部にＣ５４相でなるＴｉＳｉ_２のシリサイド膜１５が形成されている。 - 特許庁
To compensate for an insulated part generated when the titanium silicide film of a C54 phase is manufactured only by means of adding a simple process in MOSFET of silicide structure, using titanium silicide of the C54 phase which is a stable phase.例文帳に追加
安定相であるＣ５４相のチタンシリサイドを用いたサリサイド構造のＭＯＳＦＥＴにおいて、このＣ５４相のチタンシリサイド膜を製造する際に発生する断絶箇所を、簡単な工程を追加することのみによって補償する。 - 特許庁
Moreover, although not only JNR Steam Locomotive C54 class and JNR Diesel Locomotive Type DD54 had been assigned but also the Limited Express 'Matsukaze (train)' had been operated since 1961, given that the Limited Express 'Hamakaze (train),' which had been newly started in 1972, was changed to a train with a stopover in Himeji for reasons related to the reduction in operating hours, it was far from functioning as a semi-main line. 例文帳に追加
さらに国鉄C54形蒸気機関車や国鉄DD54形ディーゼル機関車が配属され、特急「まつかぜ(列車)」が福知山線経由で1961年から設定されていたが、1972年に新設された特急「はまかぜ(列車)」に至っては時間短縮を理由に姫路経由となるなど亜幹線として機能しているとは言い難い状況であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
When titanium silicide films 106-108 of C54 phases are formed in MOSFET in a silicide process, a part of the titanium silicide film 108 is interrupted through aggregation, and a polysilicon forming a gate electrode 104 is exposed.例文帳に追加
サリサイドプロセスでＭＯＳＦＥＴにＣ５４相のチタンシリサイド膜１０６〜１０８を形成すると、チタンシリサイド膜１０８の一部が凝集により断絶して、ゲート電極１０４をなすポリシリコンが露出する。 - 特許庁
The silicide films 31, 32 and 33 having a high resistance crystal structure C49 are phase-changed to the silicide films having a low resistance crystal structure C54.例文帳に追加
高抵抗の結晶構造Ｃ４９を有するシリサイド膜３１，３２，３３は，低抵抗の結晶構造Ｃ５４を有するシリサイド膜に相転移する。 - 特許庁
The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加
第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁
The silicide films 31, 32 and 33 each having a crystal structure C49 of high resistance is phase-changed to a silicide film of a crystal structure C54 of low resistance.例文帳に追加
高抵抗の結晶構造Ｃ４９を有するシリサイド膜３１，３２，３３は，低抵抗の結晶構造Ｃ５４を有するシリサイド膜に相転移する。 - 特許庁
When a titanium film is formed on the entire face of a wafer and heat-treatment is executed, the titanium silicide film 108 of the C54 phase does not react with the titanium film, but polysilicon exposed in the insulated part reacts with the titanium film and titanium silicide of a C49 phase is obtained.例文帳に追加
続いて、ウエハの全面にチタン膜を形成して加熱処理をすると、Ｃ５４相のチタンシリサイド膜１０８はチタン膜と反応しないが、断絶箇所で露出したポリシリコンはチタン膜と反応してＣ４９相のチタンシリサイドとなる。 - 特許庁
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