| 例文 |
CVD methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2115件
FILM FORMATION METHOD, AND PLASMA CVD APPARATUS例文帳に追加
成膜方法およびプラズマCVD装置 - 特許庁
PLASMA CVD APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置及び成膜方法 - 特許庁
THERMAL CVD SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
熱CVD装置および成膜方法 - 特許庁
PLASMA CVD SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置及び成膜方法 - 特許庁
THIN FILM DEPOSITION METHOD, AND CVD SYSTEM例文帳に追加
薄膜形成方法及びCVD装置 - 特許庁
PLASMA CVD EQUIPMENT AND FILM FORMING METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置及び成膜方法 - 特許庁
The forming method of the composite film is preferably a gas phase film formation method, such as vacuum deposition method or CVD method.例文帳に追加
また、複合膜の形成方法は、真空蒸着法またはCVD法などの気相成膜法が好ましい。 - 特許庁
METHOD OF GAS-CLEANING REDUCED PRESSURE CVD SYSTEM例文帳に追加
減圧CVD装置のガスクリーニング方法 - 特許庁
CVD FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
CVD製膜装置および製膜方法 - 特許庁
PLASMA CVD APPARATUS, AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置および成膜方法 - 特許庁
PLASMA CVD FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD例文帳に追加
プラズマCVD成膜装置、成膜方法 - 特許庁
PLASMA CVD SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING FILM例文帳に追加
プラズマCVD装置及び成膜方法 - 特許庁
In this case, the third insulating film (150) is formed in 10 to 50 Å thick using a CVD method (an LPCVD method, for example).例文帳に追加
この場合、CVD方法(例えば、LPCVD方法)を用いて10〜50Åの厚さで形成する。 - 特許庁
ATMOSPHERIC PRESSURE CVD SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
常圧CVD装置及び膜形成方法 - 特許庁
CVD DEVICE AND THIN-FILM MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
CVD装置および薄膜製造方法 - 特許庁
PLASMA CVD SYSTEM AND FILM-FORMING METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置及び膜形成方法 - 特許庁
PLASMA CVD DEVICE AND FILM FORMING METHOD例文帳に追加
プラズマCVD装置および成膜方法 - 特許庁
COATED-PARTICULATE, CVD SYSTEM, CVD FILM DEPOSITION METHOD, MICROCAPSULE AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加
被覆微粒子、CVD装置及びCVD成膜方法、マイクロカプセル及びその製造方法 - 特許庁
FILM-FORMING APPARATUS AND MO-CVD METHOD例文帳に追加
成膜装置及びMO−CVD方法 - 特許庁
PLASMA CVD APPARATUS AND METHOD FOR FORMING DEPOSITION FILM WITH PLASMA CVD例文帳に追加
プラズマCVD装置およびプラズマCVD法による堆積膜形成方法 - 特許庁
CLEANING MONITOR METHOD FOR PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM AND PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加
プラズマCVD装置におけるクリーニングモニタ方法及びプラズマCVD装置 - 特許庁
A top clad layer is just to be formed after the heat treatment if required, and can be formed using a CVD method represented by plasma CVD or a PVD method such as a sputtering method.例文帳に追加
トップクラッド層は、必要ならば熱処理後に形成すれば良く、プラズマCVDで代表されるCVD法、あるいはスパッタ法などのPVD法等を用いて形成することができる。 - 特許庁
MULTISTAGE CVD METHOD FOR THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加
薄膜トランジスタのための多段階CVD法 - 特許庁
MIST CVD DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MIST例文帳に追加
ミストCVD装置及びミスト発生方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING POLYMER FILM BY CVD PROCESS例文帳に追加
CVD法によるポリマー膜の形成方法 - 特許庁
METHOD FOR COATING REACTION CHAMBER IN CVD APPARATUS例文帳に追加
CVD装置の反応室のコーティング方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING CVD-SiC SINGLE FILM例文帳に追加
CVD−SiC単体膜の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR CLEANING PLASMA CVD DEPOSITION DEVICE例文帳に追加
プラズマCVD成膜装置のクリーニング方法 - 特許庁
CATALYST CVD APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD例文帳に追加
触媒CVD装置および成膜方法 - 特許庁
IMPROVED CVD METHOD FOR DEPOSITING COPPER ON BARRIER LAYER例文帳に追加
バリア層へのCVD銅付着の改良 - 特許庁
HEATING ELEMENT CVD SYSTEM AND DEPOSITION METHOD例文帳に追加
発熱体CVD装置及び成膜方法 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|