MO-CVDとは 意味・読み方・使い方

FILM-FORMING APPARATUS AND MO-CVD METHOD例文帳に追加

成膜装置及びＭＯ−ＣＶＤ方法 - 特許庁

This method fundamentally enables the CVD of Ni on Mo or Wo.例文帳に追加

この発明は、基本的に、ＭｏまたはＷの上にＮｉのＣＶＤを可能にする。 - 特許庁

After a connecting layer 2 is formed by depositing Mo on lower-layer Cu wiring 1, the carbon nanotube 6 is grown on the connecting layer 2 by using the CVD method.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線１上にＭｏを堆積して接続層２を形成し、この接続層２上にＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブ６を成長させる。 - 特許庁

On a wafer W which is formed with a lower electrode layer 200 and a barrier layer 201, a metal oxide film 202 constituted of a Ta oxide film is formed by MO-CVD.例文帳に追加

下部電極層２００及びバリア層２０１が形成されたウェハＷ上にＭＯ−ＣＶＤ法によってＴａ酸化膜から成る金属酸化膜２０２を成膜する。 - 特許庁

Then, in a process (3), the buffer layer 130 is used as seed crystals, and a ZnO thin film 140 of high quality is grown thereon through an MO-CVD method.例文帳に追加

次に、工程（３）として、このバッファ層１３０を種結晶として、その上部にＭＯ−ＣＶＤ法により高品質のＺｎＯ薄膜１４０を成長させる。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

Since the connecting layer 2 composed of Mo is formed, the fall of the activity of a catalytic metal 5 is suppressed by suppressing the thermal diffusion of Cu from the lower-layer Cu wiring 1, even when heat is added to the wiring 1 at the time of performing the CVD for growing the carbon nanotube 6.例文帳に追加

Ｍｏからなる接続層２を形成することにより、カーボンナノチューブ６を成長させるＣＶＤの際に熱が加えられても、下層Ｃｕ配線１からのＣｕの熱拡散が抑制され、触媒金属５の活性低下が抑えられる。 - 特許庁