反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む：該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。例文帳に追加

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process. - 特許庁

Ｓｉと酸素を含む絶縁膜を形成されたシリコン酸化膜上に、有機金属原料を使った化学気相堆積法により、金属酸化物膜を、前記金属酸化膜が堆積直後の状態において結晶質となるように堆積する。例文帳に追加

On a silicon oxide film obtained by the formation of an insulation film containing Si and oxygen, a metal oxide film is so deposited by a chemical-vapor-deposition method, using an organic-metal raw material that the metal oxide film becomes crystalline in the state obtained, immediately after the deposition. - 特許庁

有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。例文帳に追加

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition. - 特許庁

例文

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。例文帳に追加

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained. - 特許庁

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Weblio専門用語対訳辞書での「有機金属気相堆積法」の英訳

有機金属気相堆積法

MOCVD；Metal-Organic CVD

カテゴリ液晶技術用語

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「有機金属気相堆積法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11件

例文

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。例文帳に追加

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD). - 特許庁

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を６５０℃以下の条件下でＣａＲｕＯ_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を５０ｎｍ以下とする製造方法。例文帳に追加

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65 °C or lower. - 特許庁

強誘電体膜１３は、下部電極１２上に有機金属化学気相堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第１強誘電体材料からなる第１強誘電体層１７と、第１強誘電体層１７上に化学溶液堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第２強誘電体材料からなる第２強誘電体層１８と、を含む。例文帳に追加

The ferroelectric fim 13 contains a first ferroelectric layer 17, formed on the lower electrode 12 by a metallo-organic chemical vapor deposition and made of a first ferroelectric material, having a peropvskite crystal structure, and a second ferroelectric layer 18 formed on the first ferroelectric layer 17 through chemical solution deposition and is made of a second ferroelectric material having a perovskite crystal structure. - 特許庁