有機金属堆積法の英語

有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organometallic precursor and to provide a method for depositing in order to produce a conformal metal-containing film on a substrate such as silicon, a metal nitride and other metal layers using the precursor. - 特許庁

有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。例文帳に追加

The superconductive thin film material 1 is provided with a metal-orienting substrate 10 and an oxide superconductive film 30 formed on the metal-orienting substrate 10, in which the oxide superconductive film 30 includes a physical vapor deposition HoBCO layer 31 formed by a physical vapor deposition method and an organic metal deposition HoBCO layer 32 formed on the physical vapor deposition HoBCO layer 31 by an organic metal deposition method. - 特許庁

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。例文帳に追加

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition. - 特許庁

サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法において、高温水素処理を行ったサファイア基板に電子線を照射し、この電子線処理基板に有機金属化学堆積法によって窒化物薄膜を堆積し、窒化物薄膜を描画する。例文帳に追加

The method for producing the thin film of the nitride on the sapphire substrate comprises the steps of: hydrotreating the sapphire substrate at a high temperature: irradiating it with an electron beam; depositing the nitride to form the thin film on the substrate treated with the electron beam by a metal organic chemical vapor deposition method; and forming a pattern of the thin film of the nitride. - 特許庁

改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。例文帳に追加

A method of forming the structure having the improved adhesiveness includes a process wherein the patterned conductive metal layer is thermally exposed to an organic metal precursor, and at least the adhesive layer is deposited on the surface of the patterned conductive metal layer. - 特許庁

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。例文帳に追加

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained. - 特許庁

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。例文帳に追加

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method. - 特許庁