FERROMAGNETICを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2564件
FERROMAGNETIC METAL POWDER例文帳に追加
強磁性金属粉末 - 特許庁
FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR AND FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
強磁性半導体及び強磁性半導体素子 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子 - 特許庁
FERROMAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET例文帳に追加
強磁性材スパッタリングターゲット - 特許庁
INSULATING FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
絶縁性強磁性半導体 - 特許庁
FERROMAGNETIC ORGANIC MAGNETIC FLUID例文帳に追加
強磁性有機磁性流体 - 特許庁
FERROMAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加
強磁性形状記憶合金 - 特許庁
FERROMAGNETIC SPIN TUNNEL EFFECT ELEMENT例文帳に追加
強磁性スピントンネル効果素子 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル磁気抵抗素子 - 特許庁
CHARGE-CONTROL FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
荷電制御強磁性半導体 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル接合メモリ素子 - 特許庁
FERROMAGNETIC OXIDE POLYCRYSTALLINE SUBSTANCE例文帳に追加
強磁性酸化物多結晶体 - 特許庁
The above ferromagnetic materials may be perovskite ferromagnetic materials.例文帳に追加
前記強誘電体が、ペロブスカイト型強誘電体であってもよい。 - 特許庁
FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR SPIN POLARIZATION OF FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法 - 特許庁
ANTI-FERROMAGNETIC HALF METALLIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
反強磁性ハーフメタリック半導体 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNELING EFFECT MAGNETIC HEAD例文帳に追加
強磁性トンネル効果型磁気ヘッド - 特許庁
MAGNETRON SPUTTERING DEVICE FOR FERROMAGNETIC SUBSTANCE例文帳に追加
強磁性体のマグネトロンスパッタ装置 - 特許庁
METHOD FOR DRIVING FERROMAGNETIC SUBSTANCE MEMORY例文帳に追加
強磁性体メモリの駆動方法 - 特許庁
COMPOSITE FERROMAGNETIC BODY OF FERROMAGNETIC POWDER AND PAPER PULP, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
強磁性粉末と紙パルプの複合強磁性体及びその製造方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR EXCHANGE COUPLING FILM例文帳に追加
強磁性半導体交換結合膜 - 特許庁
The spacer layers induce anti-ferromagnetic coupling between the surrounding ferromagnetic layers.例文帳に追加
スペーサ層は周囲の強磁性層間に反強磁性結合を誘導する。 - 特許庁
FERROMAGNETIC SILICON COMPOUND INDUCED IN MAGNETIC FIELD例文帳に追加
磁場誘起強磁性珪素化合物 - 特許庁
The non-ferromagnetic region separates the insulating region and the ferromagnetic region.例文帳に追加
非強磁性領域は、絶縁領域と強磁性領域とを分離する。 - 特許庁
FERROMAGNETIC LAYER FOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗素子のための強磁性層 - 特許庁
An amorphous ferromagnetic film is used as the third ferromagnetic layer 12 laminated on an anti-ferromagnetic layer 11.例文帳に追加
反強磁性層11の上に積層されている第3の強磁性層12として、非晶質強磁性膜を用いる。 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL-JUNCTION FILM FORMING DEVICE例文帳に追加
強磁性トンネル接合膜成膜装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR POLYMER-COATED FERROMAGNETIC PARTICLE AND POLYMER-COATED FERROMAGNETIC PARTICLE例文帳に追加
ポリマー被覆強磁性粒子の製造方法及びポリマー被覆強磁性粒子 - 特許庁
FERROMAGNETIC METAL POWDER AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM CONTAINING THE FERROMAGNETIC METAL POWDER例文帳に追加
強磁性金属粉末及び該強磁性金属粉末を含む磁気記録媒体 - 特許庁
FERROMAGNETIC INSULATION WIRE AND WIRE HARNESS例文帳に追加
強磁性絶縁電線及びワイヤーハーネス - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC METAL POWDER例文帳に追加
強磁性金属粉末の製造方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC MATERIAL COATED PERMANENT MAGNET MOTOR例文帳に追加
強磁性体被覆永久磁石モーター - 特許庁
FERROMAGNETIC GROUP II-VI COMPOUND AND CONTROLLING METHOD FOR THE FERROMAGNETIC PROPERTY THEREOF例文帳に追加
強磁性II−VI族系化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC III-V GROUP NITRIDE AND METHOD FOR ADJUSTING ITS FERROMAGNETIC CHARACTERISTIC例文帳に追加
強磁性III−V族系窒化物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
The first ferromagnetic layer (12) has a coercive force higher than that of the second ferromagnetic layer (14).例文帳に追加
第1の強磁性層(12)は、第2の強磁性層(14)よりも高い保磁力を有する。 - 特許庁
FERROMAGNETIC GROUP III-V COMPOUND AND CONTROLLING METHOD FOR THE FERROMAGNETIC CHARACTERISTICS THEREOF例文帳に追加
強磁性III−V族系化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
To provide a ferromagnetic body made of a non-ferromagnetic substance (non-ferromagnetic element) as a raw material, and to provide an easy method of manufacturing the same.例文帳に追加
非強磁性物質(非強磁性元素)を原料とする強磁性体、及びその簡易な製造方法を提供すること。 - 特許庁
A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.例文帳に追加
強磁性層2/トンネル障壁層3/強磁性層4構造の強磁性トンネル接合1、あるいは強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁
The MTJ device includes a ferromagnetic antiparallel(AP) pin layer containing a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and an antiparalellel conjunction(APC) layer located between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a ferromagnetic free layer; and a dielectric tunnel barrier, located between the first ferromagnetic layer and the ferromagnetic free layer.例文帳に追加
このMTJ装置は、第1の強磁性層、第2の強磁性層、および第1の強磁性層と第2の強磁性層の間に配置された逆平行結合(APC)層を含む強磁性逆平行(AP)ピン層と;強磁性フリー層と;APピン層の第1の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。 - 特許庁
MANUFACTURE OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子、磁気メモリ、及び強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁
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