「FERROMAGNETIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This optical electromagnetic wave transformation method irradiates a pulsed light 7 of energy exceeding a band gap to ferromagnetic materials forming a ferromagnetic material layer 3 to emit an electromagnetic wave 8 containing frequency components in a terahertz band from the above ferromagnetic materials.例文帳に追加

本発明の光電磁波変換方法は、強誘電体層３を形成する強誘電体に、前記強誘電体のバンドギャップを超えるエネルギーのパルス光７を照射し、前記強誘電体からテラヘルツ帯域の周波数成分を含む電磁波８を放出させる。 - 特許庁

A laminate 20 to be a spin bulb film is formed by laminating on a base layer 21 a nickel-containing ferromagnetic 22, a cobalt-containing ferromagnetic layer 23, a non-magnetic layer 24, a second ferromagnetic layer 25, an antiferromagnetic layer 26 and a protection layer 27 in this order.例文帳に追加

スピンバルブ膜である積層体２０は、下地層２１の上にニッケル含有強磁性層２２、コバルト含有強磁性層２３、非磁性層２４、第２強磁性層２５、反強磁性層２６および保護層２７を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁

A ferromagnetic semiconductor layer 1 formed of a semiconductor and magnetic elements added to it is laminated on an antiferromagnetic layer 2 having a Neel temperature of 0°C or above, and formed adjacent to the ferromagnetic semiconductor layer 1 for the formation of the ferromagnetic semiconductor exchange coupling film.例文帳に追加

半導体中に磁性元素が添加された強磁性半導体層１と、この強磁性半導体層１に隣接して形成され０℃以上のネール温度をもつ反強磁性層２とが積層されてなる強磁性半導体交換結合膜である。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having smaller bias dependency of the magnetic resistance ratio as compared with the conventional ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect element and also having the higher output power is obtained by placing an antiferromagnetic layer 13 adjacent to a half metal ferromagnetic layer 12.例文帳に追加

ハーフメタル強磁性層１２に反強磁性層１３を隣接させることにより、従来の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に比べ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

The first magnetization controlling layer 75 includes a first ferromagnetic layer 76 exchange-coupled to the first antiferromagnetic layer 74, and a third ferromagnetic layer 78 antiferromagnetically exchange-coupled to the first ferromagnetic layer 76 through a nonmagnetic middle layer 77.例文帳に追加

第１の磁化制御層７５は、第１の反強磁性層７４と交換結合する第１の強磁性層７６と、非磁性中間層７７を介して第１の強磁性層７６と反強磁性的に交換結合する第３の強磁性層７８を含んでいる。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 where a part, including the bonding face to a substrate 8, is composed of a ferromagnetic material or a ferrimagnetic material (soft ferromagnetic material 4, hard ferromagnetic material 5) is bonded while being attracted by magnetic attraction to the electrode 9 of the substrate 8.例文帳に追加

基板８への接合面を含む一部が強磁性体またはフェリ磁性体（ソフト材強磁性体４，ハード材強磁性体５）で構成された半導体チップ１を基板８の電極９との間の磁気的吸引力により基板上に吸着して接合する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer 25 is divided into a lower layer 25a and an upper layer 25b in its lamination direction, and there is provided, between the lower layer 25a and the upper layer 25b, a ferromagnetic interlayer 28 which has a magnetism and has a greater electric resistance than that of the ferromagnetic layer 25.例文帳に追加

強磁性層２５は、その積層方向において下層２５ａと上層２５ｂとに分割され、その下層２５ａと上層２５ｂとの間には、磁性を有し、かつ、強磁性層２５よりも大きな電気抵抗を有する強磁性層間層２８が設けられている。 - 特許庁

Such an inductor is assumed, wherein a coil is embedded in a core consisting of a press-formed body of a ferromagnetic metal powder where the surface of ferromagnetic metal particles 6 is coated with an insulating material having a hardenability.例文帳に追加

硬化性の絶縁材で強磁性金属粒子６の表面がコーティングされた強磁性金属粉末の加圧成形体からなるコア内にコイルを埋設したインダクタを前提とする。 - 特許庁

To reduce the occupied area of an MRAM using ferromagnetic/ semiconductor/ferromagnetic materials for a memory for increasing the number of bits per unit area and reduce power consumption.例文帳に追加

強磁性体／半導体／強磁性体をメモリとするＭＲＡＭにおいて、占有面積を少なくして単位面積当たりのビット数の増加を図るとともに、消費電力の低を図る。 - 特許庁

A storage cell 10 is arranged between subordinate wiring (word line) 11 and superordinate wiring (bit line) 15, and it is made of a ferromagnetic fixed layer 12, an insulating layer 13, and a ferromagnetic storage layer 14.例文帳に追加

記憶セル１０を、下位配線（ワード線）１１と上位配線（ビット線）１５の間に配置し、強磁性固定層１２と絶縁層１３と強磁性記憶層１４とで形成する。 - 特許庁

A pinned layer 20 has a synthetic structure, which comprises a first ferromagnetic layer 18, a coupling layer 17 and a second ferromagnetic layer 16, which are sequentially laminated from a free layer 27 side.例文帳に追加

ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。 - 特許庁

A semiconductor device uses a sheet made of a ferromagnetic material as a support while including an adhesive in contact with the sheet made of a ferromagnetic material, and an element on an insulating film in contact with the adhesive.例文帳に追加

強磁性材料からなるシートを支持体とし、前記強磁性材料からなるシートに接する接着材と、該接着材に接する絶縁膜上に素子とを備える。 - 特許庁

To provide a double barrier ferromagnetic tunnel junction having a low resistance and capable of obtaining a TMR effect of 1,000% or more at room temperature, and to provide a magnetic device using the double barrier ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

A magnetization direction Y_1 in the first ferromagnetic layers 5X (5x) in non-energization (see Fig. A) is opposite to a magnetization direction Y_2 in the second ferromagnetic layer 5Z (5z).例文帳に追加

非通電時（図３（Ａ）参照）における第１の強磁性層５Ｘ（５ｘ）の磁化の向きＹ_１と、第２の強磁性層５Ｚ（５ｚ）の磁化の向きＹ_２とは、互いに逆向きである。 - 特許庁

One side of the lens holder 11 and the optical fiber holder 13 comprises a ferromagnetic material in which spontaneous magnetization is induced and the other side comprises a ferromagnetic material or a paramagnetic material with high permeability.例文帳に追加

レンズホルダ１１及び光ファイバーホルダ１３の一方は自発磁化が誘起された強磁性体から構成し、他方は強磁性体又は高透磁率常磁性体から構成する。 - 特許庁

A second ferromagnetic film 1b is formed on the second nonmagnetic film 1c, and antiparallelly coupled with the first ferromagnetic film 1d, and has second magnetization M1b and second film thickness t1b.例文帳に追加

第２強磁性膜１ｂは、第２非磁性膜１ｃ上に設けられ、かつ第１強磁性膜１ｄと反平行結合し、かつ第２の磁化Ｍ１ｂおよび第２の膜厚ｔ１ｂを有する。 - 特許庁

To provide a master carrier for magnetic transfer which does not give rise to the breakage of magnetic layers by improving the adhesion force between a first ferromagnetic thin film and a third ferromagnetic thick film composed of Ni as a principal component.例文帳に追加

第１強磁性薄膜とＮｉを主成分とする第３強磁性厚膜間の密着力を向上させ、磁性層破損の生じない磁気転写用マスター担体を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic thin film 24' of the lower part of the AFC recording layer is a ferromagnetic CoCrFe alloy, and no new creation layer is necessary between it and a Cr alloy base layer 13.例文帳に追加

ＡＦＣ記録層の下部の強磁性薄膜２４’は強磁性ＣｏＣｒＦｅ合金であって、それとＣｒ合金下地層１３との間にニュークリエーション層を必要としない。 - 特許庁

Also, in each ferromagnetic layer, at least one or more layers are made of Ni or alloys containing Ni, and the thickness of each film thereof is at least 60% or more of the thickness of the ferromagnetic layer, respectively.例文帳に追加

また、各強磁性層において、少なくとも１層以上はＮｉ又はＮｉを含む合金とし、その膜厚を夫々強磁性層の膜厚の少なくとも６０％以上とする。 - 特許庁

Magnetization 418 in the portion 414 of the free layer 406 facing the first ferromagnetic bias layer faces a direction opposite to the magnetization 416 of the first ferromagnetic bias layer.例文帳に追加

第１の強磁性バイアス層と向かい合ったフリー層４０６の一部分４１４の磁化４１８は、第１の強磁性バイアス層の磁化４１６とは反対の方向を向いている。 - 特許庁

Etching by plasma containing a halogen-based element is performed for a laminate where the first ferromagnetic layer 13, the insulation layer 14 and the second ferromagnetic layer 15 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。 - 特許庁

A second ferromagnetic layer 23 contacts the surface of non-magnetic layer which is opposite to the first ferromagnetic layer, whose magnetizing direction is fixed, and the value of magnetic moment per a unit area is m2 which is smaller than m1.例文帳に追加

第２強磁性層２３は、非磁性層の第１強磁性層と反対の面と接し、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１より小さいｍ２である。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is configured so that the resistance value can be made different due to the difference of the relative net angle of the magnetization orientation of the first ferromagnetic layer with the magnetization orientation of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

この素子は、第１強磁性層の磁化方向と第２強磁性層の磁化方向との相対角度の相違により抵抗値が相違する磁気抵抗効果素子となる。 - 特許庁

Independently of a reduction in the thickness of the free-side ferromagnetic layer 57, monoaxial magnetic anisotropy can be surely established in the free-side ferromagnetic layer 57 by the function of the CoNiFe alloy layer 57b.例文帳に追加

自由側強磁性層５７の膜厚の減少にも拘わらずＣｏＮｉＦｅ合金層５７ｂの働きで自由側強磁性層５７の一軸磁気異方性は確実に確立される。 - 特許庁

In the product-inspecting system 2, a ferromagnetic material 17 is attached to a true product in advance, and magnetic characteristics in the ferromagnetic material are detected for determining whether the product to be inspected is true.例文帳に追加

検品システム２は、真正品に強磁性体１７を予め取り付けておき、該強磁性体の磁気特性を検出することにより検品対象品が真正品か否かを判定する。 - 特許庁

Preferably, the powder contg. the intermetallic compd. phases of rare earth elements and ferromagnetic metallic elements has a compsn. showing the eutectic crystals of rare earth elements and ferromagnetic metallic elements.例文帳に追加

好ましくは、希土類元素と強磁性金属元素との金属間化合物相を含有する上記粉末は、希土類元素と強磁性金属元素との共晶を発現する組成とする。 - 特許庁

Its ferromagnetic characteristic is adjusted by adding other anti-ferromagnetic transition metals such as Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, or Ru, etc., adding a dopant, or adjusting the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic shape memory alloy having high mechanical strength, and to provide a manufacturing method which can easily manufacture the ferromagnetic shape memory alloy having high mechanical strength.例文帳に追加

高い機械的強度を有する強磁性形状記憶合金、および、高い機械的強度を有する強磁性形状記憶合金を容易に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a ferromagnetic layer 14 is formed of a CoFeB alloy of high uniaxial magnetic anisotropy, and the ferromagnetic layers 18, 22 are formed of a CoFe alloy of high exchange coupling force.例文帳に追加

よって、一軸磁気異方性の高いＣｏＦｅＢ合金で強磁性層１４を形成し、交換結合力の高いＣｏＦｅ合金で強磁性層１８および２２を形成する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer 180 can be formed from an arbitrary ferromagnetic material useful for perpendicular magnetism recording so that the anisotropy axis is located markedly away in field exterior.例文帳に追加

強磁性層１８０は垂直磁気記録にとって有益な任意の強磁性材料から形成することができ、その異方性軸が著しく面外となるように作成される。 - 特許庁

An output signal variation rate of spin accumulation effect in a plane is improved by arranging the second pair of ferromagnetic electrodes so as to cross a current flowing between the first pair of ferromagnetic electrodes.例文帳に追加

第一の強磁性電極対の間に流れる電流と交叉するように第二の強磁性電極対を配置することで、面内スピン蓄積効果の出力信号変化率が高まる。 - 特許庁

The ferromagnetic plate 10a and the ferromagnetic column 11 are joined together at their connection 16 by stepped joining surfaces, that is, horizontal joining surfaces 21A and 23C and a vertical joining surface 22B.例文帳に追加

強磁性体プレート10bと強磁性体コラム11とは、その接続部16において、階段状の接合面、すなわち水平方向の接合面21A、23Cと垂直方向の接合面22Bによって接合される。 - 特許庁

This magnetic recording disk has the antiferromagnetically coupled (AFC) structure 120 having an upper ferromagnetic layer (UL) 140 and a lower layer structure 121 formed of two ferromagnetically coupled lower ferromagnetic layers (LL1 and LL2) 122 and 126.例文帳に追加

磁気記録ディスクが、上部強磁性層 (UL) 140 及び二つの強磁性結合された下部強磁性層 (LL1, LL2) 122,126で形成された下層構造121を有する反強磁性結合 (AFC) 構造120を持っている。 - 特許庁

The magnetoresistive element is provided with a ferromagnetic body MR for detection having an anisotropic magnetic resistance effect and a magnetization direction varied by an external magnetic field and a ferromagnetic body B for bias opposite to the ferromagnetic body MR for detection via a non-magnetic body C.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子には、異方性磁気抵抗効果を有し磁化方向が外部磁界によって変化する検出用強磁性体ＭＲが設けられ、この検出用強磁性体ＭＲに対して非磁性体Ｃを介してバイアス用強磁性体Ｂが設けられる。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 are leveled into the same plane, and a second perpendicular ferromagnetic film 3 is formed on the surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 which are leveled into the same plane.例文帳に追加

基板１の表面および第１垂直強磁性体膜２の表面は同一平面状に平坦化され、平坦化された基板１の表面と第１垂直強磁性体膜２の表面の上に、第２垂直強磁性体膜３が成膜、形成されるものとする。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

A second master information carrier 12b is provided with second ferromagnetic thin film array pattern forming regions 13b corresponding to the second digital information signals 15b and ferromagnetic shielding films 13c are formed between the second ferromagnetic thin film array pattern forming regions 13b.例文帳に追加

第２のマスター情報担体１２ｂには、第２のディジタル情報信号１５ｂに対応する第２の強磁性薄膜配列パターン形成領域１３ｂが設けられているとともに、第２の強磁性薄膜配列パターン形成領域１３ｂどうし間には、強磁性シールド膜１３ｃが形成されている。 - 特許庁

The target for magnetron sputtering has the ferromagnetic metal element and includes: a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element; a plurality of non-magnetic phases 14 and 16 that contain the ferromagnetic metal element but are different from each other in constituent element or in how much of the constituent element the non-magnetic phase contains; and an oxide phase 18.例文帳に追加

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有している。 - 特許庁

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

An amorphous ferromagnetic material can be used as the ferromagnetic material 13a, and the IC card can have a magnetic stripe 14 for magnetic recording, and a hologram layer 13h can be provided on the surface of the identification body made of the ferromagnetic foil.例文帳に追加

上記において、強磁性材１３ａをアモルファス強磁性材とすることができ、ＩＣカードが磁気記録のための磁気ストライプ１４を有するものとすることができ、また、強磁性箔からなる識別体の表面にホログラム層１３ｈを有するようにすることができる。 - 特許庁

To provide an eddy current decelerator with high strength and a low cost outer cylinder part by a method, where the outer cylinder part is made of cast steel which is a ferromagnetic material, ferromagnetic parts of the outer cylinder corresponding to ferromagnetic plates are left as they are, and the nonmagnetic parts are austenitized by casting and diffusing nickel into those parts.例文帳に追加

外筒部を強磁性体である鋳鋼から構成し、強磁性板に対応する強磁性部分はそのままにし、非磁性部分はニツケルを鋳込んで溶け込ませてオーステナイト化した、強度が大きく安価な外筒部を備えた渦電流減速装置を得る。 - 特許庁

The method also comprises the step of manufacturing the magnetoresistance effect element having the ferromagnetic tunnel junction of the constitution in which the oxide layer 106 of the second stage is interposed between the first ferromagnetic layer 103 and the second ferromagnetic layer 107.例文帳に追加

その絶縁層上に第２の強磁性体層（フリー層）１０７を作製することで、第１の強磁性体層１０３と第２の強磁性体層１０７で第２段階の酸化物層１０６を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。 - 特許庁

The magnetic core that comprises powder containing a ferromagnetic metal powder and silicone resin as an insulating material that coats the ferromagnetic metallic powder relative to the ferromagnetic metallic powder of 1.0 to 6.0 wt.% and where the silicone resin is crosslinked with an organic titanium monomer.例文帳に追加

強磁性金属粉末と、強磁性金属粉末に対して強磁性金属粉末を被覆する絶縁材としてのシリコーン樹脂を１．０〜６．０ｗｔ％含む圧粉体から構成され、シリコーン樹脂が有機チタンモノマーにより架橋されていることを特徴とする圧粉磁芯。 - 特許庁

An SDT junction of a memory cell for MRAM devices comprises a bottom ferromagnetic layer having planarized peaks, an insulative tunneling barrier located on the bottom ferromagnetic layer, and a top ferromagnetic layer located on the insulative tunneling barrier.例文帳に追加

平坦化したピークを有している底部強磁性体層と、前記底部強磁性体層の上に位置している絶縁性トンネリングバリアと、前記絶縁性トンネリングバリアの上に位置している頂部強磁性体層とを含んでなるＭＲＡＭデバイス用のメモリセルのＳＤＴ接合を提供する。 - 特許庁

To realize a ferromagnetic tunnel junction element having a large rate of resistance change and a low tunnel resistance by adopting a simple means for improving flatness of an insulating layer in a ferromagnetic tunnel junction, regarding a ferromagnetic tunnel junction element and its manufacturing method.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に関し、強磁性トンネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向上させる旨の簡単な手段を採ることに依って、抵抗変化率が大きく、且つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実現しようとする。 - 特許庁