Heterojunctionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 459件
METHOD FOR MANUFACTURING HETEROJUNCTION BI-POLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROJUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
へテロ接合を有する半導体装置とその製造方法 - 特許庁
CHARGE TRANSFER HETEROJUNCTION STRUCTURE, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
電荷移動型ヘテロ接合構造体及びその製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ヘテロ構造バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ダブルへテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
MODIFIED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタ - 特許庁
Feedback is applied to the heterojunction bipolar gun element 1.例文帳に追加
へテロ接合バイポーラガン素子1に帰還をかける。 - 特許庁
DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ダブルへテ口接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR OF HIGH-ON-WITHSTAND VOLTAGE例文帳に追加
高オン耐圧ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR HETEROJUNCTION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
Furthermore, a multi-finger heterojunction bipolar transistor is constituted using the heterojunction bipolar transistor as a unit transistor.例文帳に追加
さらに、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを単位トランジスタとして、マルチフィンガー型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁
SiGe FILM FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY, AND BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY例文帳に追加
バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池の製造方法及びバックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池 - 特許庁
The inner electric field acts on two-dimensional carriers of the heterojunction 21, and carrier concentration in a heterojunction immediately below a gate electrode 19 is adjusted.例文帳に追加
この内部電界はヘテロ接合21の二次元キャリアに作用して、ゲート電極19直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURE OF THE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
へテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを用いた半導体装置、並びに、へテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁
OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING ORGANIC-INORGANIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION例文帳に追加
有機−無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
半導体エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタおよび半導体集積回路 - 特許庁
The emitter region or the collector region forms the base region and heterojunction.例文帳に追加
エミッタまたはコレクタ領域はベース領域とヘテロ接合を形成する。 - 特許庁
HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL WITH DUAL DOPING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法 - 特許庁
VERY HIGH SPEED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CANTILEVERED BASE例文帳に追加
片持ちベースを有する超高速ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - 特許庁
RF POWER MODULE USING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたRFパワーモジュール - 特許庁
The semiconductor device 1 is a heterojunction bipolar transistor (HBT).例文帳に追加
半導体装置1は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)である。 - 特許庁
SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
SiGeヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE RUGGEDNESS例文帳に追加
静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子 - 特許庁
ELECTRODE STRUCTURE, HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
電極構造、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれらの製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER AND METHOD RELATED THERETO例文帳に追加
エネルギー障壁を有するヘテロ接合トランジスタおよび関連する方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMATION THEREOF例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びかかるトランジスタを形成する方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ - 特許庁
HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND POWER AMPLIFIER例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法及びパワーアンプ - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER EMPLOYING IT例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを用いた電力増幅器 - 特許庁
LOW-LEAKAGE HETEROJUNCTION VERTICAL TRANSISTOR AND ITS HIGH-PERFORMANCE DEVICE例文帳に追加
低漏洩ヘテロ接合垂直トランジスタおよびその高性能デバイス - 特許庁
A two-dimensional electron gas layer 25 is produced by the heterojunction 21.例文帳に追加
ヘテロ接合21により、二次元電子ガス層25が生成される。 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To provide a solar cell composed of a heterojunction of a transition metal oxide.例文帳に追加
遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる太陽電池を提供する。 - 特許庁
HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To obtain a heterojunction semiconductor device for operating in a normally off state.例文帳に追加
ノーマリオフで動作するヘテロ接合半導体装置を得ること。 - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region.例文帳に追加
バリア領域22は、第1チャネル領域の表面とヘテロ接合している。 - 特許庁
To provide a heterojunction bipolar transistor superior in destruction resistance.例文帳に追加
耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁
HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER, AND RELATED METHOD例文帳に追加
エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HETEROJUNCTION AND INTERDIGITATED STRUCTURE例文帳に追加
へテロ接合およびインターフィンガ構造を有する半導体デバイス - 特許庁
To provide a heterojunction solar cell excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加
光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供すること。 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ELEMENT INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ素子集積回路 - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
へテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The piezoelectric field Pz acts as an internal electric filed extending along the heterojunction 21 to operate on two-dimensional carriers of the heterojunction 21, thereby adjusting the electron density of the heterojunction right below a gate electrode 19.例文帳に追加
ピエゾ電界Pzはヘテロ接合21に沿って延在する内部電界として働き、これはヘテロ接合21の二次元キャリアに作用して、ゲート電極19直下のヘテロ接合における電子濃度が調整される。 - 特許庁
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