「Heterojunction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

SINGLE WALL CARBON NANOTUBE HETEROJUNCTION, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

A high mobility electric-charge channel (2DEG) is formed near a heterojunction between two semiconductor layers 3 and 4.例文帳に追加

２つの半導体層３，４間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル（２ＤＥＧ）が形成される。 - 特許庁

To provide a solar cell having a hybrid heterojunction structure and a related system and method.例文帳に追加

ハイブリッドヘテロ接合構造を有する太陽電池、並びに関連するシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To impart high rectification properties to an organic diode employing an organic heterojunction.例文帳に追加

本発明は、有機のヘテロ接合を用いた有機ダイオードに高い整流性を付与することを目的とする。 - 特許庁

The organic material and the inorganic material form a plurality of hybrid heterojunction structures as a whole.例文帳に追加

有機材料及び非有機材料は、全体として複数のハイブリッドヘテロ接合構造を形成する。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

To solve a problem that a heterojunction bipolar transistor applied to a high-frequency transmission power amplifier is required to have a high breakdown voltage.例文帳に追加

高周波用送信パワーアンプに適用されるヘテロ接合バイポーラトランジスタには、高耐圧性が要求される。 - 特許庁

GAIN IMPROVED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR USING THIN GALLIUM ARSENIDE ANTIMONY LAYER FOR BASE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄いガリウム砒素アンチモン層をベースに用いた利得向上型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a heterojunction transistor having a structure capable of avoiding heterogeneity in resistance in a channel layer.例文帳に追加

チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a double heterojunction bipolar transistor having improved high-frequency characteristics in high current injection.例文帳に追加

高電流注入における高周波特性が改善されたダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a heterojunction device that is composed of a transition metal oxide and has an excellent rectifying characteristic and photosensitivity.例文帳に追加

遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。 - 特許庁

LAYOUT STRUCTURE OF BASE PAD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR USING THE LAYOUT STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置のベースパッドのレイアウト構造、及びそれを用いたヘテロ接合型バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁

A parallel component Pz (T) of the piezoelectric field works as an inner electric field extending along a heterojunction 21.例文帳に追加

ピエゾ電界の平行な成分Ｐｚ（Ｔ）はヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働く。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiGe heterojunction bipolar transistor which reduces the SiGe base resistance.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース抵抗が低減されるＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The bipolar transistor 100 includes a heterojunction intrinsic base layer 50 epitaxially grown on a collector layer 3.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ１００は、コレクタ層３上に、エピタキシャル成長されたヘテロ接合の真性ベース層５０を有する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor(HBT) having higher efficiency and operability at high frequencies.例文帳に追加

より高い効率およびより高い周波数の動作性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）を提供すること。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas is generated near the heterojunction boundary of the GaN layer 23 and the AlGaN layer 24.例文帳に追加

ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。 - 特許庁

The In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13 forms a heterojunction 21 with the GaN layer 17.例文帳に追加

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor is successively provided with an emitter region 21, a base region 22, a collector region 20A, and a sub- collector region 27.例文帳に追加

エミッタ領域２１、ベース領域２２、コレクタ領域２０Ａおよびサブコレクタ領域２７を順に備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an extremely high speed NPN heterojunction bipolar transistor and an extremely high speed PNP heterojunction bipolar transistor having a capacity equal to the NPN transistor are formed on a common wafer, and to provide a manufacture method of the device.例文帳に追加

超高速のＮＰＮヘテロ接合バイポーラトランジスタと、これと同等の性能を有する超高速ＰＮＰヘテロ接合バイポーラトランジスタとを共通の基板に形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film photoelectric converting element having improved photoelectric conversion efficiency by suppressing recoupling between a bulk heterojunction layer and a counter electrode and a leakage current, as an organic photoelectric converting element having a bulk heterojunction.例文帳に追加

バルクへテロ接合を有する有機光電変換素子において、バルクへテロ接合層と対極電極間での再結合，リーク電流を抑制し、光電変換効率を向上できる有機薄膜光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The heterojunction is formed by a two-component compound 14 containing metal and another kind of two-component compound 16 containing the same kind of metal, and a solar cell device 10 that provides a photovoltaic element by this heterojunction is attained.例文帳に追加

金属を含む二成分化合物１４とそれと同種の金属を含む別の種類の二成分化合物１６とによりヘテロ接合を形成し、このヘテロ接合で光起電力を提供する太陽電池デバイス１０を実現する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor with high-speed operating and high current driving capability and a manufacturing method for the transistor.例文帳に追加

高速動作性・高電流駆動力を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction type bipolar transistor with which high- speed operation is enabled and a high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加

高速動作が可能で、高い電流増幅率が安定して得られるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Then, a heterojunction is formed between the silicon carbide semiconductor substrate 100 and the n-type multi-crystal silicon 3A.例文帳に追加

そして、炭化珪素半導体基体１００とＮ−型多結晶シリコン層３Ａとの間にへテロ接合が形成される。 - 特許庁

On a (100) crystal plane of a GaAs substrate 1, a plurality of HBTs(heterojunction bipolar transistors) 100 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の結晶面（１００）面上に、複数のＨＢＴ（ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）１００を形成している。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a leakage current is not generated on the heterojunction interface of SiGe/Si.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

SELF-HETERODYNE DOWN CONVERTER CIRCUIT, MILLIMETER-WAVE VIDEO TRANSMISSION SYSTEM INCLUDING THE CIRCUIT, AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSFERRED ELECTRON DEVICE例文帳に追加

自己ヘテロダインダウンコンバータ回路およびそれを含むミリ波映像伝送システム、並びにヘテロ接合バイポーラトランスファードエレクトロンデバイス - 特許庁

To provide a high-performance heterojunction transistor for high frequencies with excellent reproducibility and high productivity.例文帳に追加

再現性に優れた量産性の高い高性能な高周波用ヘテロ接合トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride gallium based semiconductor layer 13 and the first barrier layer 15 form the heterojunction 21 for two-dimensional electron gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体層１３と第１のバリア層１５とは、二次元電子ガスのためのヘテロ接合２１を形成する。 - 特許庁

The heterojunction bipolar transistor 1a has a semiconductor substrate 2, a collector layer 6a, a base layer 10a, and an emitter layer 12a.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１ａは、半導体基板２と、コレクタ層６ａと、ベース層１０ａと、エミッタ層１２ａとを備える。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which shows high current amplification factor and current break frequency.例文帳に追加

高い電流増幅率及び電流遮断周波数を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the provision of the heterojunction bipolar transistor having the base layer 1 with a narrow bandgap can be achieved.例文帳に追加

この結果、バンドギャップの狭いベース層１を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供を実現することができる。 - 特許庁

To solve the problem concerning carrier depletion in a heterojunction interface between an emitter layer and an emitter cap layer of an HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層とエミッタキャップ層とのヘテロ接合界面におけるキャリアの空乏化の問題を解決すること。 - 特許庁

To provide a technique for actualizing stable normally-off operation for a semiconductor device using a heterojunction surface for a channel.例文帳に追加

ヘテロ接合面をチャネルに用いる半導体装置において、安定したノーマリオフ動作を可能とする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor whose reliability is improved, by preventing peeling of an emitter layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

エミッタ層の剥離を防止し、信頼性のあるヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The heterojunction bipolar transistor 1a comprises a semiconductor protection layer 10, a collector layer 20, a base layer 22, and an emitter layer 26.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１ａは、半導体保護層１０と、コレクタ層２０と、ベース層２２と、エミッタ層２６とを備える。 - 特許庁

To provide a flexible and transparent bulk-heterojunction organic thin-film solar cell whose power generation efficiency is less likely to be deteriorated over time.例文帳に追加

発電効率が経時で低下しにくく、フレキシブルで、かつ、透明なバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

A plurality of bases 1, 2 that exist on a single heterojunction bipolar transistor are short-circuited by a wiring 5 to standardize an effective Vbe, thereby completely restricting a collapse phenomenon that occurs in the single cell of the heterojunction bipolar transistor due to thermal density.例文帳に追加

単一のヘテロバイポーラトランジスタに複数存在するベース１、２を配線５により短絡して実効Ｖｂｅを共通化することにより、ヘテロバイポーラトランジスタの単一セル内に発生する熱的な粗密によるコラプス現象を完全に抑制する。 - 特許庁

To provide a bulk-heterojunction organic thin-film solar cell which has high power generation efficiency without using indium tin oxide (ITO) as an electrode, and to provide a method for simply manufacturing the bulk-heterojunction organic thin-film solar cell with high power generation efficiency.例文帳に追加

電極としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いることなく、発電効率の高いバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池、及びそのような発電効率の高いバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池の簡易な製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a channel region having a heterojunction of a first semiconductor region of a gallium nitride or an indium gallium nitride and a second semiconductor region of an indium aluminum nitride, a gate electrode facing the heterojunction from one side of the channel region, and a third semiconductor region of a gallium nitride containing a p-type impurity and facing the heterojunction from the other side of the channel region.例文帳に追加

窒化ガリウム又は窒化インジウムガリウムの第１半導体領域と窒化インジウムアルミニウムの第２半導体領域のヘテロ接合を有するチャネル領域と、そのチャネル領域の一方側からヘテロ接合に対向しているゲート電極と、そのチャネル領域の他方側からヘテロ接合に対向しているｐ型の不純物を含んでいる窒化ガリウムの第３半導体領域を備えている。 - 特許庁

To improve a saturation current characteristics, related to a heterojunction field effect transistors, by suppressing running of a carrier in a parasitic channel.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて寄生チャネルにおけるキャリアの走行を抑制し、飽和電流特性などを改善する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect semiconductor device with normally-OFF characteristics, which has a small gate leakage current and is easy to form.例文帳に追加

ゲートリーク電流が小さく、形成が容易なノーマリオフ特性を有するヘテロ接合型電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an OELD capable of solving a problem of a heterojunction interface and prolonging the life time of a system using the OLED.例文帳に追加

ヘテロ接合界面の課題を解決できるとともに、ＯＬＥＤを用いた装置の寿命を延ばすＯＬＥＤを提供する。 - 特許庁

To simplify the wiring processes when manufacturing a heterojunction bipolar transistor having III-V compound semiconductors as its main body.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を主体とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造において配線工程を簡略化する。 - 特許庁