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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Heterojunctionの意味・解説 > Heterojunctionに関連した英語例文

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Heterojunctionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 459



例文

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法 - 特許庁

The inner electric field acts on two-dimensional carriers of the heterojunction 21, and carrier concentration in a heterojunction immediately below a gate electrode 19 is adjusted.例文帳に追加

この内部電界はヘテロ接合21の二次元キャリアに作用して、ゲート電極19直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which has a high current amplification factor, and is excellent in high-frequency characteristics, and in element service life, and to provide a method of manufacturing the heterojunction bipolar transistor.例文帳に追加

高い電流増幅率を有し、高周波特性および素子寿命に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製法を提供すること。 - 特許庁

To provide a heterojunction solar cell excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供すること。 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁


例文

To manufacture a pn heterojunction diode from an organic substance, especially from a polymeric substance.例文帳に追加

有機物質、特に重合体からpnヘテロ接合ダイオードを製造する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE-HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ON III-V MATERIAL例文帳に追加

III−V材料上にダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法 - 特許庁

The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region.例文帳に追加

バリア領域22は、第1チャネル領域の表面とヘテロ接合している。 - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATED LIGHT- RECEIVING CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法 - 特許庁

例文

The emitter area 11 and intrinsic base area 9 are connected by heterojunction.例文帳に追加

エミッタ領域11と真性ベース領域9はヘテロ接合を形成する。 - 特許庁

例文

METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING STRAIN GROUP HETEROJUNCTION CRYSTAL例文帳に追加

歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの作製方法 - 特許庁

In a GaN system heterojunction field effect transistor, the barrier which is contact with heterojunction is formed as a multilayer structure which consists of a thin AlN layer and a GaN layer.例文帳に追加

GaN系ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ヘテロ接合に接するバリアーを薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。 - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR(HBT) HAVING IMPROVED EMITTER/BASE GRADING STRUCTURE例文帳に追加

エミッタ・ベース・グレーディング構造が改良されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT) - 特許庁

HETEROJUNCTION, QUANTUM CHAOS DEVICE, CONTROL METHOD OF QUANTUM CHAOS AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ヘテロ接合、量子カオス装置、量子カオスの制御方法および半導体装置 - 特許庁

HETEROJUNCTION TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

へテロ接合型のIII−V族化合物半導体装置とその製造方法 - 特許庁

HETEROJUNCTION OF CONJUGATE POLYMER AND ACCEPTOR; DIODE, PHOTODIODE, AND PHOTOVOLTAIC CELL例文帳に追加

共役重合体と受容体のヘテロ接合体;ダイオード、フォトダイオード及び光電池 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having a base layer with a narrow bandgap.例文帳に追加

バンドギャップの狭いベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

GaN-SYSTEM HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR CONTROLLING ITS CHARACTERISTIC例文帳に追加

GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法 - 特許庁

As the diode, e.g. a PN diode, a heterojunction diode, a Schottky diode, etc., can be used.例文帳に追加

ダイオードはたとえば、PNダイオード、ヘテロ接合ダイオード、ショットキーダイオードなどである。 - 特許庁

SATURATION SIMULATION METHOD FOR COLLECTOR DEPLETION LAYER CAPACITY OF HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合型バイポ—ラトランジスタのコレクタ空乏層容量の飽和のシミュレーション法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a heterojunction field-effect transistor by which a desired recess etching depth can be stably obtained, and to provide the heterojunction field-effect transistor.例文帳に追加

所望のリセスエッチング深さを安定して得ることができるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法およびヘテロ接合電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

ULTRA-SCALABLE HIGH-SPEED HETEROJUNCTION VERTICAL N-CHANNEL MISFET AND ITS METHOD例文帳に追加

超スケーラブルな高速ヘテロ接合垂直NチャネルMISFETおよびその方法 - 特許庁

SOLAR CELL HAVING HYBRID HETEROJUNCTION STRUCTURE AND RELATED SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

ハイブリッドヘテロ接合構造を有する太陽電池及び関連するシステム並びに方法 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

MONOLITHIC INTEGRATED OPTICAL COMPONENT INCLUDING MODULATOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

変調器およびへテロ接合バイポーラトランジスタを含むモノリシック統合光学構成要素 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) device having an electrostatic discharge ruggedness.例文帳に追加

静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a heterojunction in which ON-resistance is reduced.例文帳に追加

オン抵抗が低減されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure in which the parasitic capacitance can be reduced.例文帳に追加

寄生キャパシタンスを低減できる構造を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To surely prevent electron blocking effect in a double heterojunction bipolar transistor.例文帳に追加

ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて電子ブロッキング効果を確実に防止できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor lower layer 30 and the semiconductor upper layer 40 form a heterojunction 72.例文帳に追加

半導体下層30と半導体上層40は、ヘテロ接合72を構成している。 - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POWER AMPLIFIER USING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法、及びそれを用いた電力増幅器 - 特許庁

To provide a process for forming the silicon germanium base of a heterojunction transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するプロセスを提供すること。 - 特許庁

An SiGe heterojunction bipolar transistor comprises a semiconductor substrate with a collector and a subcollector.例文帳に追加

SiGeバイポーラ・トランジスタは、コレクタ及びサブコレクタが形成された半導体基板を含む。 - 特許庁

FEEDBACK HETEROJUNCTION BIPOLAR GUN ELEMENT OSCILLATING CIRCUIT AND DATA COMMUNICATION SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

帰還型へテロ接合バイポーラガン素子発振回路およびそれを用いたデータ通信システム - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR例文帳に追加

改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor is doped with phosphor (24) within its sub collector layer (20).例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、そのサブ−コレクタ層(20)中においてリン(24)でドープされている。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar gun element oscillating circuit that is high in output power and efficiency.例文帳に追加

高出力パワー・高効率のヘテロ接合バイポーラガン素子発振回路を提供する。 - 特許庁

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND AMPLIFIER例文帳に追加

半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器 - 特許庁

To provide a simple high-sensitivity optical sensor composed of a heterojunction of a transition metal oxide.例文帳に追加

遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる簡便で高感度な光センサーを提供する。 - 特許庁

To provide a back contact single heterojunction-type solar battery and a manufacturing process thereof.例文帳に追加

バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a heterostructure multilayered thin film with compositional steep variation at a heterojunction interface.例文帳に追加

ヘテロ接合界面の組成変化が急峻なヘテロ構造多層薄膜を製造する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor in which a leakage current is small and a breakdown strength is high.例文帳に追加

リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for a heterojunction bipolar transistor (HBT) and reduced in its collector resistance, and the HBT.例文帳に追加

コレクタ抵抗が小さいHBT用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor, having a structure capable of increasing the breakdown voltage of the transistor.例文帳に追加

トランジスタの耐圧を向上できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the on-state resistance of a field effect transistor employing heterojunction is reduced, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタのオン抵抗を低減することを課題とする。 - 特許庁

To provide a heterojunction type bipolar transistor that can improve radiation properties and reduce the emitter inductance.例文帳に追加

放熱性を改善でき、エミッタインダクタンスを低減できるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

REAR-SURFACE-ELECTRODE TYPE SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION SOLAR BATTERY, AND MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

裏面電極型半導体へテロ接合太陽電池ならびにその製造方法と製造装置 - 特許庁

GAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING P-TYPE DISTORTION INGAN BASE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

p型ひずみInGaNベース層を有するGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁

例文

To form a III nitride heterojunction field-effect transistor (HFET) having a recess structure.例文帳に追加

リセス構造を有する III族窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)を形成する。 - 特許庁




  
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