「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

MRAM MEMORY CELL AND MRAM MEMORY DEVICE例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセルおよびＭＲＡＭメモリデバイス - 特許庁

SUPERCONDUCTING CELL AND MEMORY ARRAY USING THE CELL例文帳に追加

超電導セル及び該セルを用いたメモリ・アレイ - 特許庁

ERASING METHOD FOR FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの消去方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF MEMORY CELL CAPACITOR PLATE IN MEMORY CELL CAPACITOR STRUCTURE例文帳に追加

メモリセルキャパシタ構造におけるメモリセルキャパシタプレートの形成方法 - 特許庁

To provide a resistance memory cell, a method for forming the resistance memory cell, and an arrangement of the resistance memory cell by using the method.例文帳に追加

抵抗メモリセル、その形成方法及びこれを利用した抵抗メモリ配列を提供する。 - 特許庁

ERASURE METHOD OF FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの消去方法 - 特許庁

FAMOS MEMORY CELL AND METHOD FOR ERASING CORRESPONDING MEMORY CELL例文帳に追加

ＦＡＭＯＳメモリ・セルおよび類似メモリ・セルを消去する方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MAGNETIC MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加

磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ - 特許庁

MEMORY GAIN CELL, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD OF FORMING STRUCTURE FOR GAIN CELL (HORIZONTAL MEMORY GAIN CELL)例文帳に追加

メモリ・ゲイン・セル、メモリ回路、およびゲイン・セルのための構造を形成する方法（水平メモリ・ゲイン・セル） - 特許庁

The memory cell test system 30 performs memory cell test for a semiconductor device in which a memory cell is formed.例文帳に追加

メモリセルテストシステム３０は、メモリセル部が形成された半導体装置に対し、メモリセルテストを行う。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND MEMORY CELL SELECTING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリおよび半導体メモリのメモリセル選択方法 - 特許庁

INTEGRATED MEMORY PROVIDED WITH MEMORY CELL HAVING MAGNETORESISTIVE MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗メモリ効果を有するメモリセルを備えた集積メモリ - 特許庁

To provide a memory having a charge trap memory cell, and a forming method of the memory having the trap memory cell.例文帳に追加

電荷トラップセルを有するメモリ、および電荷トラップセルを有するメモリの形成法の提供。 - 特許庁

MEMORY CELL STRUCTURE, MEMORY DEVICE USING THE MEMORY CELL STRUCTURE, AND INTEGRATED CIRCUIT EQUIPPED WITH THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセル構造、該メモリセル構造を用いたメモリデバイス、及び該メモリデバイスを具備した集積回路 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR, MEMORY CELL AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

キャパシタの製造方法、メモリセル、及びＤＲＡＭ - 特許庁

To miniaturize a memory cell of a non-volatile memory device.例文帳に追加

不揮発メモリ装置のメモリセルを小型化する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE INCLUDING DUAL TUNNELING JUNCTION MEMORY CELL例文帳に追加

デュアル・トンネル接合メモリ・セルを有するメモリ・デバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CAPABLE OF TESTING REDUNDANT MEMORY CELL例文帳に追加

冗長メモリセルがテスト可能な半導体メモリ - 特許庁

The memory cell 12 stores data.例文帳に追加

メモリセル１２は、データを記憶する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE CONTAINING DUMMY CELL例文帳に追加

ダミーセルを含むフラッシュメモリ装置 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING REDUNDANT CELL例文帳に追加

冗長セルを有するメモリデバイス - 特許庁

METHOD FOR READING MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルを読み取るための方法 - 特許庁

The ferroelectric memory fuses 2a and 2b have the same structure as a memory cell part 11, a memory cell part 12, a memory cell part 21, and a memory cell part 22 disposed in the cell unit SU1.例文帳に追加

強誘電体メモリヒューズ２ａ及び２ｂは、セルユニットＳＵ１に設けられるメモリセル部１１、メモリセル部１２、メモリセル部２１、及びメモリセル部２２と同一構造を有する。 - 特許庁

One memory cell out of the first memory cell MC0 and second memory cell MC1 in a pair to be used for a reading operation is used as a verify cell at the writing of another memory cell.例文帳に追加

読み出し動作に用いるペアの第１メモリセルＭＣ０と第２メモリセルＭＣ１の一方を、他方の書き込み時のベリファイセルとして用いる。 - 特許庁

ASSOCIATIVE MEMORY CELL, ASSOCIATIVE MEMORY CELL ARRAY, ADDRESS RETRIEVAL MEMORY, AND NETWORK ADDRESS RETRIEVING DEVICE例文帳に追加

連想メモリセル、連想メモリセルアレイ、アドレス検索メモリおよびネットワークアドレス検索装置 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 100, a redundant row memory cell array 101, a redundant column memory cell array 102 and a redundant column row memory cell array 103.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００、冗長ロウメモリセルアレイ１０１、冗長カラムメモリセルアレイ１０２、冗長カラムロウメモリセルアレイ１０３を設ける。 - 特許庁

MEMORY APPARATUS USING NANOTUBE CELL例文帳に追加

ナノチューブセルを利用したメモリ装置 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT HAVING PARITY CELL ARRAY例文帳に追加

パリティセルアレイを有するメモリ回路 - 特許庁

METHOD FOR CULTURING MEMORY B CELL例文帳に追加

記憶Ｂ細胞の培養方法 - 特許庁

The memory cell comprises a first memory node and a second memory node.例文帳に追加

メモリセルは第１の記憶ノードおよび第２の記憶ノードを含む。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with the memory cell MC.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣを備える。 - 特許庁

MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

メモリセル及びそれを用いた半導体記憶装置 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY CELL AND FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリ - 特許庁

The CAM memory includes a matrix(MA) of a memory cell.例文帳に追加

ＣＡＭメモリはメモリセルのマトリックス（ＭＡ）を含む。 - 特許庁

A memory cell array 36 includes a plurality of memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ３６は、複数個のメモリセルを含む。 - 特許庁

The reference cell has the same size as a memory cell.例文帳に追加

基準セルは、メモリセルと同一のサイズを有する。 - 特許庁

This memory backup system includes a first memory cell (310) and a non-volatile memory cell the(320) connected to the first memory cell (310).例文帳に追加

本発明のメモリバックアップシステムは、第１のメモリセル(310)とこの第１のメモリセル(310)に接続された不揮発性メモリセル(320)を含む。 - 特許庁

This semiconductor memory device comprises a memory cell array constituted of a first memory cell block and a second memory cell block.例文帳に追加

本発明による半導体メモリ装置は、第１メモリセルブロックと第２メモリセルブロックで構成されるメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

The ternary contents relieving memory cell comprises a main memory cell, a mask memory cell, a detecting circuit, a mask circuit, and a matched circuit.例文帳に追加

ターナリ内容検索メモリセルはメインメモリセル、マスクメモリセル、検出回路、マスク回路及びマッチ回路を含む。 - 特許庁

Using this memory cell group as a unit, a plurality of memory cell groups are arranged vertically and horizontally to form a memory cell matrix.例文帳に追加

このメモリセル群を一単位としてこれを縦横に配列してメモリセル行列を構成する。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR PERFORMING OPERATION OF MEMORY CELL IN NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセル配列、および半導体メモリにおいてメモリセル動作を行なうための方法 - 特許庁

LOW POWER MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

低電力磁気ランダムアクセスメモリセル - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

半導体メモリセルの製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリセルプログラミング方法 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルプログラミング方法 - 特許庁