Pyrometerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 58件
To provide the temperature control method of a machining chamber, a semiconductor-machining device, and a sensor calibration method that eliminate inaccuracy regarding the slow response time of a thermocouple and an optical pyrometer, and down time for calibration, and control wafer temperature.例文帳に追加
熱電対の緩慢な応答時間および光高温計に関連する不正確さと較正のための停止時間をなくする、ウェハ温度を制御するための加工室の温度制御方法、半導体加工装置及びセンサ較正方法を提供する。 - 特許庁
An MOCVD apparatus 10 includes a chamber 11; a reaction pipe 12 where a processing space 50 is located with a substrate 14 positioned, and which is located in the chamber 11; and a pyrometer 25 which is located outside the reaction pipe 12, and observes the inside of the reaction pipe 12.例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ装置１０は、チャンバ１１と、基板１４が設置される処理空間５０を規定し、チャンバ１１内に配置される反応管１２と、反応管１２の外側に設けられ、反応管１２内を観測するパイロメータ２５とを備える。 - 特許庁
To provide an auxiliary heating plate which is capable of lessening a temperature difference between the peripheral part and center of a semiconductor wafer so as to uniformly heat the semiconductor wafer, holding it in a light irradiation-type thermal treatment device in which temperature is measured with an optical pyrometer.例文帳に追加
光温度計にて測温する光照射式熱処理装置において、加熱処理される半導体ウェハの外周分と中心部の温度差を低減し、均一に加熱すると共に半導体ウェハを保持する補助加熱板を提供することを目的とする。 - 特許庁
Moreover, substrate temperature Ty at the time of epitaxial growth onto the mass-production substrate is estimated by applying the haze of the mass-production substrate measured immediately after epitaxial growth to the correlation line, and then a measured temperature Tx of the upper pyrometer is adjusted to the estimated temperature Ty.例文帳に追加
更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 - 特許庁
In the method for welding a metal layer to a metallic work in which the heat is introduced in a bonding area toward the metal layer from the metallic work on the side opposite to the metal layer at least partially through the work, the temperature change of the metal layer is detected by using a pyrometer to control the welding step on the side of the metallic work having the metal layer.例文帳に追加
金属層を金属製の対象物に溶接する方法であって、結合領域への熱導入が金属製の対象物の、金属層とは反対側から少なくとも部分的に対象物を通して金属層に向かって行なわれる方法において、金属製の対象物の金属層を有する側にて、溶接過程をコントロールするためにピロメータを用いて金属層の温度変化を検出すること。 - 特許庁
After an oxide silicon film formed at the back side of a semiconductor wafer W has been removed, the semiconductor wafer W is transported into a silica tube 1, the intensity of radiation light from the back side of the semiconductor wafer W is measured using a pyrometer 7, and heat treatment is performed on the semiconductor wafer W while monitoring the temperature of the semiconductor wafer W.例文帳に追加
半導体ウェハＷの裏面に形成されたシリコン酸化膜を除去してから、半導体ウェハＷを石英管１内に搬入し、パイロメータ７にて半導体ウェハＷの裏面からの輻射光強度を計測することにより、半導体ウェハＷの温度をモニタしながら、半導体ウェハＷの熱処理を行う。 - 特許庁
This radiation temperature measuring device including a reflector 5 facing to a wafer 1 is characterized by being equipped with a floodlight 11 for irradiating the face of the wafer 1 facing to the reflector 5 with light I0 having prescribed intensity, and a pyrometer 3 for measuring the intensity of light reflected multiply between the wafer 1 and the reflector 5 before and after irradiation onto the face with light by the floodlight 11.例文帳に追加
ウェーハ１に対向する反射板５を含む放射温度測定装置であって、ウェーハ１の反射板５に対向する面に所定の強度を有する光Ｉ_０を照射する投光器１１と、投光器１１が上記面へ光を照射する前後において、ウェーハ１と反射板５の間で多重反射した光の強度を測定するパイロメータ３とを備えたことを特徴とする放射温度測定装置を提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing silicon carbide single crystal, the supply of a raw material gas is once stopped on the way of the growth of a silicon carbide single crystal 22, and the growing surface temperature of the silicon carbide single crystal 22 is measured with a pyrometer 30 through a pipe 10 for supplying the raw material gas to a silicon carbide single crystal substrate 8, while making argon gas flow there.例文帳に追加
炭化珪素単結晶２２の成長途中に原料ガスの供給を一旦停止するとともにアルゴンガスを流しながら、炭化珪素単結晶２２の成長表面温度を原料ガスの炭化珪素単結晶基板８への供給用の管１０を通してパイロメータ３０で測定する。 - 特許庁
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