「RF sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁