「SILICON SINGLE-CRYSTAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR PRODUCING RAW MATERIAL FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL PROMOTION例文帳に追加

炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER例文帳に追加

単結晶シリコンウエーハの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH-QUALITY SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

高品質シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE MEMBER例文帳に追加

単結晶炭化珪素部材の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CARBON-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭素ドープシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの表面評価法 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING QUALITY OF SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶の品質評価方法 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

シリコン単結晶とその製造方法 - 特許庁

To improve the quality of the surface of a silicon-single crystal layer.例文帳に追加

シリコン単結晶層の表面の品質を改善する。 - 特許庁

SILICA GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ - 特許庁

SILICA GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶引上用シリカガラスルツボ - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING PROCESS OF SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE SEED CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR GROWING 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND METHOD FOR PRODUCING THE SEED CRYSTAL例文帳に追加

４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶と４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal and a silicon carbide single crystal wafer having no crystal defect, and to provide a method for manufacturing the crystal.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a seed crystal for growing a 4H silicon carbide single crystal, which seed crystal gives an ingot capable of being sliced into lowly defective large-diameter 4H silicon carbide single crystal wafers.例文帳に追加

低欠陥大口径の４Ｈ型炭化珪素単結晶ウエハを取り出せる４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN FILM, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN-FILM DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL DEVICE, SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN FILM, AND SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN-FILM DEVICE AND SOLAR CELL DEVICE INCLUDING THE SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN FILM例文帳に追加

単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイス - 特許庁

SILICONE SEED CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

COUPLING STRUCTURE OF SEED CRYSTAL FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND MOLDER例文帳に追加

シリコン単結晶引上用種結晶とホルダーの結合構造体 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER HAVING LOW CRYSTAL DEFECT DENSITY AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 - 特許庁

SEED CRYSTAL SUPPORTING DEVICE AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING METHOD THEREWITH例文帳に追加

種結晶保持装置及びそれを用いたシリコン単結晶引上方法 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL DEFECT OF SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER例文帳に追加

シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法 - 特許庁

SEED CRYSTAL AND METHOD OF PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加

種結晶およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, in which production of a single crystal raw material of silicon carbide and growth of a silicon carbide single crystal can be continuously carried out by using a single apparatus, and there is no possibility of intrusion of impurities into the obtained single crystal raw material or the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、１台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH, AND PRODUCTION METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

シリコン単結晶インゴット及びエピタキシャル成長用シリコンウェーハ並びにシリコン単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING HIGH PURITY SILICON CARBIDE POWDER FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 - 特許庁

PRODUCTION OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON WATER PRODUCED WITH THE SAME例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法およびこの方法で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ - 特許庁

SILICON CARBIDE RAW MATERIAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料及びそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 - 特許庁

An SOI substrate 1 consists of a support substrate 2, consisting of a single crystal silicon film, a silicon oxide layer 3, a single-crystal silicon layer 4 and epitaxial layers 7.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンからなる支持基板２、酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４およびエピタキシャル層７からなる。 - 特許庁

A single-crystal silicon piece is installed at one end of the insulating substrate, and an area including at least a part of the single crystal silicon piece is exposed to silicon selection epitaxial conditions.例文帳に追加

これに対し単結晶シリコンは移動度が高く安定であるが、低温で絶縁基板上に形成する方法がない。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル成長用炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素エピタキシャルウェハ - 特許庁

In embodiments, the substrate is made of silicon and the silicon layer is made of single crystal silicon.例文帳に追加

実施例では基板はシリコンで作られ、シリコン層は単一結晶シリコンで作られる。 - 特許庁

METHOD OF MELTING SILICON, DEVICE FOR MELTING SILICON, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコンの溶解方法、シリコン溶解装置及びシリコン単結晶製造装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER, AND SILICON WAFER例文帳に追加

シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法並びにそのシリコンウェーハ - 特許庁

An amorphous silicon layer and a single crystal silicon layer are formed above a silicon pillar.例文帳に追加

シリコンピラー上部に、非晶質シリコン層及び単結晶シリコン層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a large caliber and high quality silicon carbide single crystal ingot, raw material of silicon carbide crystal to be used for growing silicon carbide single crystal, and a silicon carbide single crystal to be manufactured by the method.例文帳に追加

高抵抗率で高品質の大口径炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶を提供する。 - 特許庁

The seed crystal 7 is dipped and then the silicon single crystal 4 is pulled from the silicon molten liquid 3 ((h) and (i)).例文帳に追加

上記種結晶７を浸漬して、シリコン融液３からシリコン単結晶４を引き上げる（h)、（i)。 - 特許庁

SILICON SEED CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン種結晶とその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING FZ (FLOATING-ZONE) SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE MATERIAL例文帳に追加

シリコン結晶素材及びこれを用いたＦＺシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL GROWN BY THE METHOD, SINGLE CRYSTAL INGOT AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法とその方法によって成長した炭化珪素単結晶、単結晶インゴットおよび炭化珪素単結晶ウエーハ - 特許庁

METHOD OF PRODUCING ANATASE-TYPE TITANIUM DIOXIDE SINGLE CRYSTAL FILM ON SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法 - 特許庁

DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加

半導体単結晶の製造装置およびそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

The method for growing a single silicon crystal further contains controlling the rotation rate of the single crystal to ≥13 rotations/min.例文帳に追加

(3)単結晶の回転速度を13回転／分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。 - 特許庁

To provide a method for guaranteeing the resistivity of a silicon single crystal substrate, by which the accurate resistivity of a silicon single crystal substrate for a product can be guaranteed in a CZ silicon single crystal substrate in which nitrogen is added, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal substrate, and a silicone single crystal substrate.例文帳に追加

窒素添加のＣＺシリコン単結晶基板において、製品用シリコン単結晶基板の正確な抵抗率保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND METHOD FOR MOUNTING SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法 - 特許庁

The single crystal silicon film 210 in the driving circuit region becomes a single crystal silicon film 210e with the grown crystal.例文帳に追加

一方、駆動回路領域では、単結晶シリコン膜２１０は、結晶成長された単結晶シリコン膜２１０ｅとなる。 - 特許庁