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Walkoutを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9



例文

The railroad workers are going on walkout tomorrow. 例文帳に追加

明日は鉄道がストですよ。 - Tanaka Corpus

The railroad workers are going on walkout tomorrow.例文帳に追加

明日は鉄道がストですよ。 - Tatoeba例文

Transportation workers staged a walkout to protest pay cuts. 例文帳に追加

交通機関の労働者は賃金カットに抗議して、ストに突入しました。 - Tanaka Corpus

Transportation workers staged a walkout to protest pay cuts.例文帳に追加

交通機関の労働者は賃金カットに抗議して、ストに突入しました。 - Tatoeba例文

例文

Everything you say is reasonable except for your proposal for the walkout. 例文帳に追加

君の話はみなもっともだ. ただ, ストの提案だけはねえ(賛成しかねる). - 研究社 新和英中辞典


例文

there was a walkout by the Black members as the chairman rose to speak 例文帳に追加

その議長が話そうと立ち上がったとき、黒人メンバーが抗議のため退席した - 日本語WordNet

If it is determined that a noncontact IC card function portion 3 is in a lock state, with reference to states of various stored in a flag table of a storage portion 4, it is a lock temporary release target service and is after an entrance and before a walkout for entrance-walkout utilization service, the noncontact IC card function portion 3 is brought into a temporary lock release state.例文帳に追加

非接触ICカード機能部3がロック状態であって、記憶部4のフラグテーブルに記憶されている各種フラグの状態を参照し、ロック一時解除対象サービスで、かつ入退場時使用サービスに対しては、入場後退場前であると判定された場合には、非接触ICカード機能部3をロック一時解除状態とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor product having arsenic N+ diffusion that prevents the deterioration of protectiveness caused by a rise (walkout) in trigger voltage which occurs when an ESD pulse is applied to the product several times in the case where the product has a phosphorus-diffused ESD protective off-transistor.例文帳に追加

リン拡散のESD保護オフトランジスタをもつ場合、何回ものESDパルスが掛かったことにより起こるトリガー電圧の上昇(ウオークアウト)による保護性の劣化を防止した砒素N+拡散をもつ半導体製品の提供。 - 特許庁

例文

To scarcely generate a walkout phenomenon, improve the breakdown voltage, and maintain the power applying efficiency to be high in a transistor wherein the length of the recess of a region between a gate electrode and a contact layer is at most 1 μm, in a field-effect transistor having high electron mobility.例文帳に追加

高電子移動度電界効果トランジスタに関し、ウォークアウト現象が発生しにくく、耐圧を向上するとともに、ゲート電極からコンタクト層の間の領域のリセス長が1μm以下のトランジスタであっても電力付加効率を高く維持する。 - 特許庁




  
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