| 例文 (7件) |
channeling effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To form a source-drain region by ion implantation (channeling injection) utilizing the channeling effect without forming a gate electrode sidewall film which becomes a part of a mask in the case of channeling injection when forming the source/drain region.例文帳に追加
チャネリング効果を利用したイオン注入（チャネリング注入）でソース・ドレイン領域を形成するに際し、チャネリング注入時にマスクの一部となるゲート電極側壁膜を成膜し直すことなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for preventing a polysilicon gate electrode from penetrating by a channeling ion on ion implantation, in a manufacturing method for a field-effect transistor having the gate electrode using a polysilicon layer.例文帳に追加
ポリシリコン層を用いたゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法において、イオン注入時のチャネリングイオンによるポリシリコンゲート電極の突き抜けを防止できる方法を提供する。 - 特許庁
The irradiating laser pulses travel in the sapphire in an optical-axis direction along a transient optical waveguide formed by self-channeling effect to form a stress-strain region of high aspect ratio in the sapphire.例文帳に追加
照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿ってサファイア内を光軸方向に伝播し、サファイア内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 - 特許庁
The emitted laser pulse propagates inside the workpiece to an optical axis direction along a transient optical waveguide formed by a self-channeling effect, so as to form a stress strain region having a high aspect ratio inside the workpiece.例文帳に追加
照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加
ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
As a result, the spacings between the adjacent absorbing water spraying means 3 may be increased without decreasing the number of the absorbing water spraying means 3 and therefore the channeling of the waste gas 7 generated between the absorbing water spraying means 3 may be lessened and the deodorization effect is correspondingly improved.例文帳に追加
この結果、吸収水噴霧手段３の数を減らすことなく、隣り合う吸収水噴霧手段３の間隔を大とすることができるので、吸収水噴霧手段３の間において発生する排ガス７の偏流を軽減することができ、その分、脱硫効果が向上される。 - 特許庁
To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加
半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁
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