「depthwise」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 3 includes a first semiconductor region 11, that is formed by selectively introducing impurities onto the main surface of an n^--type epitaxial layer 2, and is formed to a prescribed depth from the main surface of the n^--type epitaxial layer 2; and a plurality of second semiconductor regions 12, projecting toward the depthwise direction from a bottom surface 13 in the first semiconductor region 11.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域３は、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面上に不純物を選択的に導入することによって形成され、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面から所定の深さにまで形成された第１半導体領域１１と、第１半導体領域１１における底面１３から更に深部方向へと突出する複数の第２半導体領域１２とを含む。 - 特許庁

When the side wall and bottom of the cavity of the thermoplastic resin container is formed by heating a part of a thermoplastic resin sheet to energize the same into the cavity of a mold, the bottom of the cavity of the mold has a projected region projected in a depthwise direction separated from the base of the container formed on the other part of the thermoplastic resin sheet on the mold.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シートの一部を加熱した後、熱可塑性樹脂シートの一部を成形型のへこみ内に付勢することにより、熱可塑性樹脂容器の空洞の側壁と底部を形成する際に、成形型のへこみの底は、成形型上の熱可塑性樹脂シートのその他の一部上に形成される容器基部から離れる深さ方向において突き出る凸形状領域を備える。 - 特許庁

The well region is formed while it is divided into at least two layers in the depthwise direction, and the impurity concentration of the first shallowest layer in the well region is smaller than that of other layers.例文帳に追加

２次元配列されたフォトダイオードを含む受光部を有するＭＯＳ型固体撮像装置であって、半導体基板上に形成された第１導電型のウェル領域と、前記第１導電型のウェル領域中に形成された第２導電型の領域からなるフォトダイオード部とを有し、前記ウェル領域は深さ方向に２層以上に分割して形成され、前記ウェル領域における最も浅い第１層の不純物濃度は他の層に比べて低い。 - 特許庁