「depthwise」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The projection outer surface is inclined in the depthwise direction of the reception groove 15.例文帳に追加

上記突出部外側面は、上記受入れ溝１５の深さ方向に対して傾斜している。 - 特許庁

Consequently, at the same time of suppressing an etching quantity in the depthwise direction of a cavity 15, a side etch quantity can be increased.例文帳に追加

従って、窪み１５の深さ方向のエッチング量を抑えると同時に、サイドエッチ量を大きくできる。 - 特許庁

The second semiconductor area (2) works as a semiconductor area in the depthwise direction (diffusion direction) of a semiconductor layer (20), and as a resistance element in the direction parallel with the main surface (20a) of the semiconductor layer (20) that is perpendicular to the depthwise direction.例文帳に追加

第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。 - 特許庁

Values subjected to photoelectric conversion of photodiodes of all the layers in the depthwise direction of the image pickup element of a type having a plurality of photodiodes in the depthwise direction per pixel are evaluated by a signal in which signals of all the layers in the depth direction are summed up.例文帳に追加

１画素当たりにフォトダイオードを深さ方向で複数持つタイプの撮像素子の深さ方向のすべての層のフォトダイオードの光電変換された値を深さ方向のすべての層の信号を合算した信号で評価する。 - 特許庁

The substrate 12 is etched in a depthwise direction of the substrate 11 by anisotropically etching to form grooves 16.例文帳に追加

シリコン基板１１を異方性エッチングによりシリコン基板１１の深さ方向にエッチングを行って溝１６を形成する。 - 特許庁

A surface protection film 43 is divided into two partial films including first and second partial films 43a, 43b in a depthwise direction.例文帳に追加

表面保護膜４３は、深さ方向に関して２分割されており、第１及び第２部分膜４３ａ，４３ｂを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein nitrogen is selectively introduced in a depthwise direction of an insulation film having a high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜の深さ方向に対して、選択的に窒素が導入された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thickness of the pattern in the region permeating on the substrate member and in its depthwise direction is made smaller than that of the substrate member.例文帳に追加

基材上ならびに基材の深さ方向に浸透した領域のパターンの厚さは、基材の厚さより薄くする。 - 特許庁

A correction curve is prepared (304) for depthwise distribution of secondary ion strength by using (302) uniform depthwise distribution of a measuring object element introduced into the auxiliary specimen having the same laminated structure as a measured specimen.例文帳に追加

測定試料と同一の積層構造を有する補助試料中に導入された測定対象元素の一様な深さ方向分布を用いる（３０２）ことにより、二次イオン強度の深さ方向分布に対する補正曲線を作成する（３０４）。 - 特許庁

The printed wiring board to be designed is divided into a plurality of parts in a depthwise direction, and the group division of a layer structure is defined (S1).例文帳に追加

設計しようとするプリント配線基板を深さ方向に複数に分割し、層構成のグループ分けを定義する（Ｓ１）。 - 特許庁

To provide the automatic focusing system of an image pickup apparatus detecting the optimal focusing position for all photodiodes positioned differently in the depthwise direction of an electronic still camera employing the image pickup element of a type having a plurality of photodiodes in the depthwise direction per pixel.例文帳に追加

１画素当たりにフォトダイオードを深さ方向で複数持つタイプの撮像素子を用いた電子スチルカメラの深さ方向で異なる位置になるフォトダイオードの全てに最適な合焦位置を検出することが可能な撮像装置のオートフォーカスシステムを提供する。 - 特許庁

The position of the mobile object in the depthwise direction thereof is obtained at the subsequent timing of updating the display images by a moving route map of the mobile object.例文帳に追加

可動オブジェクトの移動ルートマップより、次の表示画像更新タイミングにおける可動オブジェクトの奥行き方向の位置を得る。 - 特許庁

According to this method, a margin can be kept in the depthwise direction by a size (f) when the deviation of mating A exists whereby an insulating distance can be secured.例文帳に追加

これにより、合わせズレＡがある場合でも深さ方向にｆだけ余裕を持たせることができ、絶縁距離を確保できる。 - 特許庁

Height in the depthwise direction in the grooves 6 in the first diffusion layers 7 and 9a differs from that of the second diffusion layers 9a and 8.例文帳に追加

その場合、第１拡散層７及び９ａと第２拡散層９ａ及び８とは、溝６での深さ方向の高さが異なる。 - 特許庁

Accordingly, the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of the base diffusion layer 12 is controlled, the base diffusion layer 12 having a desired concentration distribution can be formed and the base diffusion layer 12 displaying an approximately constant impurity concentration in the depthwise direction can be formed.例文帳に追加

これによって、ベース拡散層１２の深さ方向における不純物の濃度分布を制御し、所望の濃度分布を有するベース拡散層１２を形成することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示すベース拡散層１２を形成することができる。 - 特許庁

Particularly, this JFET is a vertical type JFET, and has a channel region for forming a current path in the substrate depthwise direction of the semiconductor substrate, and a gate region formed in the depthwise direction to hold this channel region and controlling the channel width of the channel region according to the signal charge.例文帳に追加

特に、このＪＦＥＴは、縦型ＪＦＥＴであり、半導体基板の基板深さ方向に電流経路を形成するチャネル領域と、このチャネル領域を挟み込むように深さ方向に形成され、信号電荷によってチャネル領域のチャネル幅を制御するゲート領域とを備える。 - 特許庁

Similar operation is performed for a reference R, and a depthwise profile is found of the density of an organic lubricant contained in the magnetic layer of the sample.例文帳に追加

同様の操作をリファレンスＲについて行い、サンプル磁性層における深さ方向の有機性潤滑剤含有濃度のプロファイルを求める。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

The second light receiving part 11b comprises the G-signal charge storage part and the IR-signal charge storage part laminated in a depthwise direction in the semiconductor layer.例文帳に追加

第２受光部１１ｂは、半導体層中に深さ方向に積層されたＧ信号電荷蓄積部およびＩＲ信号電荷蓄積部を備える。 - 特許庁

By utilizing two kinds of the front-opening via holes 100 and 110, the MIM capacitor 200 is formed having an electrode in the depthwise direction of a substrate 10.例文帳に追加

２種類の表面開口バイアホール１００および１１０を利用して、基板１０の深さ方向に電極を有するＭＩＭキャパシタ２００を形成する。 - 特許庁

Consequently, a channel region whose channel widthwise direction is the depthwise direction of the trench 5 is formed in a part in the P-type base region 2 which part is adjacent to the trench 5.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域２のうちトレンチ５に隣接する部分に、トレンチ５の深さ方向をチャネル幅方向とするチャネル領域が形成される。 - 特許庁

Such a growing sequence forms a non-polarized A plane ((11-20) plane) nitride semiconductor free from a polarization electric field occurring in the depthwise direction.例文帳に追加

このような成長シーケンスにすることで深さ方向に分極電界が生じない無極性面であるＡ面（（１１−２０）面）窒化物半導体が形成できる。 - 特許庁

To measure the beam diameter at plural points in the focus depthwise direction with a one action, without having to use the conventional member to change the length of an optical path.例文帳に追加

従来のような光路長を変更する部材を用いることなく、焦点深度方向の複数箇所のビーム径を一動作で高精度に測定する。 - 特許庁

Two or above memory cells 10a and 10b are arranged in sides 17a and 17b in a depthwise direction of the groove 6 along the inner face of the groove 6.例文帳に追加

複数のメモリセル１０ａ、１０ｂは、溝６の内面に沿い、溝６の深さ方向に一側面１７ａ、１７ｂにつき二以上並んでいる。 - 特許庁

A magazine loader 62 holding a supply magazine 61 and a magazine unloader 64 holding a collecting magazine 63 are provided parallel in a depthwise direction D in the loader unit 12.例文帳に追加

ローダユニット１２に供給マガジン６１を保持するマガジンローダ６２と回収マガジン６３を保持するマガジンアンローダ６４とを奥行き方向Ｄに並設する。 - 特許庁

The punch through preventing region effectively reduces the extension of diffusion in the lateral direction in a drain region for high withstand voltage as compared with the extension of the diffusion in the depthwise direction.例文帳に追加

パンチスルー防止領域により、高耐圧用のドレイン領域の横方向の拡散の伸びを深さ方向に比べ効果的に小さくした。 - 特許庁

The recess 31 forms an asymmetric shape on the basis of the 1st cross section spreading in the depthwise direction from the 1st profile line X passing the deepest point P, and also forms a symmetrical shape on the basis of the 2nd cross section spreading in the depthwise direction from the 2nd cross section line Y perpendicularly crossing this 1st cross section line X.例文帳に追加

凹部３１は、最深点Ｐを通る第１断面線Ｘから深さ方向に広がる第１断面を基準にして非対称形状を成し、この第１断面線Ｘに直交する第２断面線Ｙから深さ方向に広がる第２断面を基準にして対称形状を成している。 - 特許庁

In a high breakdown voltage MOS transistor 101, a peak p1 in concentration distribution in a depthwise direction of p-type impurity in the drain offset region 4, and a peak p2 in concentration distribution in a depthwise direction of n-type impurity having higher concentration than p-type impurity, are positioned in same depth just below the gate electrode 9.例文帳に追加

本発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ１０１は、ゲート電極９の直下では、ドレインオフセット領域４中のＰ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ１と、Ｐ型不純物よりも高濃度のＮ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ２とを互いに同じ深さ位置にしている。 - 特許庁

In the processing chamber 10, the substrate 1 placed on rollers 4 is transferred in the depthwise direction in a front view of the figure, and a processing liquid is supplied from a nozzle 2 to the surface of the substrate 1.例文帳に追加

処理室１０内で、ローラ４に搭載された基板１が図面奥行き方向へ移動され、ノズル２から基板１の表面へ処理液が供給される。 - 特許庁

An Si substrate (wafer) 4 having a pattern of through-hole 12 forming a sloping surface in the depthwise direction is joined with a glass substrate (wafer) 1 forming a pattern of through-hole electrode 2.例文帳に追加

深さ方向に斜面を形成した貫通穴12のパターンを有するＳｉ基板（ウェハ）4と、貫通電極2のパターンを形成したガラス基板（ウェハ）1とを接合する。 - 特許庁

On the bottom face of the processing chamber 10, a plurality of exhaust passages 12 are arranged below the left/right of the substrate 1, which is transferred by the rollers 4 in the depthwise direction.例文帳に追加

処理室１０の底面には、ローラ４により移動される基板１の左右下方の位置に、排気用通路１２が図面奥行き方向に複数設けられている。 - 特許庁

To reduce variations in an etching rate in an arranged state, and to reduce variations in the shape in the depthwise direction of a recessed pattern by the variations of the etching rate in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、配置状態によるエッチングレートのばらつきを低減し、エッチングレートのばらつきによる凹状パターンの深さ方向の形状ばらつきを低減する。 - 特許庁

To reduce variations in an etching rate in an arranged state, and to reduce variations in the shape in the depthwise direction of a recessed pattern by the variations of the etching rate, in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、配置状態によるエッチングレートのばらつきを低減し、エッチングレートのばらつきによる凹状パターンの深さ方向の形状ばらつきを低減する。 - 特許庁

Then, each pair of first and second knife edges 22A-22F are arranged by sliding in the focus depthwise direction of a condensing optical system 93 separately for each pair of the optical beam transmitting windows 16A-16F.例文帳に追加

そして、各組の第１及び第２ナイフエッジ２２Ａ〜２２Ｆは光ビーム透過窓１６Ａ〜１６Ｆの組ごとに集光光学系９３の焦点深度方向にずらして配置されている。 - 特許庁

Then, with the ion strength (305) of the object element in the measured specimen corrected (306) based on the correction curve, depthwise concentration distribution is measured of the object element (307).例文帳に追加

次に、補正曲線に基づいて測定試料の測定対象元素の二次イオン強度（３０５）を補正して（３０６）、測定対象元素の深さ方向濃度分布測定を行う（３０７）。 - 特許庁

By providing a collector region 12a on the bottom of a deep trench composed of second and third trenches 18 and 19, a part for holding the withstand voltage is provided in the depthwise direction of the semiconductor device.例文帳に追加

コレクタ領域１２ａを第２および第３のトレンチ１８，１９よりなる深いトレンチの底に設けることによって、耐圧を保持する部分を半導体装置の深さ方向に設ける。 - 特許庁

To solve a problem wherein dimensions in the widthwise direction and a machine space of a conveyor device become large when a folded-back part of a footstep chain of the conveyor device such as a passenger conveyor is miniaturized in the depthwise direction.例文帳に追加

乗客コンベア等のコンベア装置の踏段チェーンの折り返し部を深さ方向に小型化しようとすると、コンベア装置の幅方向の寸法やマシンスペースが大きくなる。 - 特許庁

In this case, a side etching rate under a mask for etching is higher than an etching rate in the depthwise direction of the semiconductor base material.例文帳に追加

この為に、本願発明は、更に、前記孔又は段差を形成するため、エッチング用マスク下のサイドエッチ速度が半導体基体の深さ方向のエッチ速度より早い新らたなウエットエッチング液を用いる。 - 特許庁

In the outer edge (23a) of the third semiconductor region (23), since dopant diffusing density decreases in depthwise direction, electric resistance increases more in a course as it passes through an exterior of the outer edge region (23a) away more from it.例文帳に追加

第３の半導体領域(23)の外縁領域(23a)では、深さ方向に不純物拡散濃度が減少するため、外縁領域(23a)の外側を通る経路ほど電気抵抗が増加する。 - 特許庁

The depthwise reference is determined in the stereoscopic display of a mobile object OM based on the positional relationship on the image display surface between the mobile object, other objects OF and a liquid crystal display panel 804.例文帳に追加

可動オブジェクトＯＭ、他のオブジェクトＯＦ、液晶表示パネル８０４の画像表示面の位置関係に基づいて可動オブジェクトを立体表示する際の奥行き方向の基準が定められる。 - 特許庁

The first to fourth windings 31-34 are formed by wave-winding one element wire 30 respectively so as to be internal layers and external layers in the depthwise direction of slots, inside the slots 15a alternately at every six slots.例文帳に追加

第１乃至第４巻線３１〜３４は、それぞれ１本の素線３０を、６スロット毎に、スロット１５ａ内でスロット深さ方向に内層と外層とを交互に採るように波巻きして構成されている。 - 特許庁

To provide a quantitative analysis method and an auxiliary specimen for highly accurately measuring depthwise concentration distribution of an impurity element in a laminated structure with a polysilicon/gate oxide film formed therein on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上のポリシリコン/ゲート酸化膜が形成された積層構造における不純物元素の深さ方向濃度分布を高精度に測定する定量分析方法および補助試料を提供する。 - 特許庁

A curved line of a bottom of the cog valley 3 appeared on the cross section taken along the longitudinal direction and in the depthwise direction of the cogged belt A is formed by the curve in which arcs of a plurality of curvatures continues.例文帳に追加

コグドベルトＡをベルト長手方向に沿ってその厚み方向に切断した断面に表われるコグ谷３の底部の曲線が、複数の曲率の円弧が連続する曲線で形成されている。 - 特許庁

To form a base width in a depthwise direction so as to be uniform, and improve the hFE while enabling a high electric current to be passed in a semiconductor device having a lateral bipolar transistor.例文帳に追加

横型バイポーラトランジスタを有する半導体装置において、大電流を流すことを可能にしながら、深さ方向に関するベース幅を均一に形成してｈＦＥを向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of suppressing characteristic variations such as withstand voltage and on-resistance by controlling the position of an electrode highly precisely not only in the planar direction but in the depthwise direction.例文帳に追加

電極の位置を面方向のみならず深さ方向にも高精度に制御し、耐圧、オン抵抗などの特性変動を抑えることが可能な化合物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁