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drain fieldsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Consequently, electric fields from the gate electrode and the electric field between a source and a drain can be relaxed.例文帳に追加
そして、ゲート電極からの電界、ソース−ドレイン間の電界を緩和することができる。 - 特許庁
To improve drain breakdown voltage of a semiconductor device by relaxing concentration of electric fields in the vicinity of the boundary between a drain area and a drift area.例文帳に追加
ドレイン領域とドリフト領域との境界近傍における電界集中を緩和することにより、パワー半導体装置のドレイン耐圧を改善する。 - 特許庁
To provide a drain force-feeding device and a drain force-feeding system having excellent workability because the overall height of the drain force-feeding device and the height of an inflow section are adjusted simply and being capable of coping with more execution fields.例文帳に追加
排水圧送装置の全高および流入部高さの調整が簡便であるため施工性がよく、より多くの施行現場への対応を可能とする排水圧送装置および排水圧送システムを提供する。 - 特許庁
The GND electrode 54 blocks electric fields of a drain electrode T1d, a source electrode T1s and an n^+-Si film 56.例文帳に追加
このＧＮＤ電極５４は、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６の電界を遮蔽する。 - 特許庁
Electric fields E1 and E2 for forming transferred nucleuses for changing liquid crystal molecules from an array state of a non-display state to an array state of a display state are produced between the source electrode 12S and drain electrode 12D.例文帳に追加
ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間において、液晶分子を非表示状態の配列状態から表示状態の配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界Ｅ１及びＥ２を形成することを特徴とする。 - 特許庁
The TFT is formed farther away than the display electrode 22 to prevent the alignment of the liquid crystal from being disturbed under the influence of electric fields from the gate electrode and its line, and the drain electrode and its line, and control over alignment by an oblique electric field at the edge of the display electrode 22 and the edge of the alignment control window 32 becomes effective, so that pixels are divided.例文帳に追加
表示電極22よりも遠くにＴＦＴが形成されており、ゲート電極とそのラインおよびドレイン電極とそのラインからの電界の影響により液晶の配向が乱れるといったことが防がれ、表示電極22エッジ及び配向制御窓32エッジにおける斜め方向電界による配向の制御が有効となり、画素分割が成される。 - 特許庁
The concentration of electric fields to the part of the n-type offset drain region 32 protruded to a source side than a field oxide film 33 is relaxed by making the quantity of impurities per unit area in the protruded part smaller than that of impurities per unit area in the part of the region 32 under the field oxide film 33 by forming the protruded part to have a comb- shaped flat surface.例文帳に追加
ｎ−オフセットドレイン領域３２の、フィールド酸化膜３３よりもソース側にはみ出る部分を、平面形状が櫛歯状になるように形成することによって、そのソース側にはみ出た部分の単位面積当たりの不純物量を、フィールド酸化膜３３の下の部分の単位面積当たりの不純物量よりも少なくし、ソース側にはみ出た部分への電界の集中を緩和する。 - 特許庁
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