| 例文 (8件) |
eu thin filmの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
THIN FILM PATTERN OF Eu-DOPED YTTRIUM OXIDE NANOPARTICLE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME例文帳に追加
Ｅｕドープ酸化イットリウムナノ粒子薄膜パターン及びその作成方法 - 特許庁
Preferably, the fluorescent substance is the thin film of a blue fluorescent substance represented by BaAl_2S_4:Eu^2+.例文帳に追加
好適には、蛍光体がＢａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋で表される青色蛍光体の薄膜である。 - 特許庁
To provide a thin film of high temperature superconducting oxide (RE)Ba_2Cu_3O_7 (RE=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) (hereinafter, referred to (RE)BCO thin film) having a high critical current density and causing no cracking, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba_2Cu_3O_7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。 - 特許庁
For the fluorescent thin film 8, for example, cerium, europium, and manganese-added strontium thiogallate (SrGa_2S_4: Ce, Eu, Mn) can be used.例文帳に追加
蛍光薄膜８には、例えば、セリウム、ユウロビウム、マンガン添加ストロンチウムチオガレイト（ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ，Ｅｕ、Ｍｎ）を用いることができる。 - 特許庁
Subsequently, in the second process S102, an atmosphere in which hydrogen is present is heated to activate Eu of the thin film 102 in a state containing hydrogen in the thin film 102.例文帳に追加
次に、第２工程Ｓ１０２で、水素が存在する雰囲気の加熱により薄膜１０２の中に水素が含まれた状態として薄膜１０２のＥｕを活性化する。 - 特許庁
A laser beam comprises a first region, having energy density fewer than Eu which is microcrystallization energy of an amorphous semiconductor thin film, and the second region with an energy density of Eu or higher located at both sides of the first region, arranged along one direction in the irradiation region of a laser beam.例文帳に追加
非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーをＥ_uとして、レーザ光の照射領域中の一方向に沿ったエネルギー密度分布を、エネルギー密度Ｅ_u未満の第一の領域と、該第一の領域の両側に位置するエネルギー密度Ｅ_u以上の第二の領域とを有するものとする。 - 特許庁
In an oxide superconductive thin film deposited on the sapphire substrate (R-Al_2O_3) through the buffer layer, the buffer layer consists of orthorhombic LnAlO_3, and Ln is either one of an element Eu, Sm or Y.例文帳に追加
サファイア基板（Ｒ-Ａｌ_２Ｏ_３）上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のＬｎＡｌＯ_３からなり、Ｌｎは元素Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙのいずれかであることを特徴とする。 - 特許庁
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