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graded interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The Al composition x of the first graded layer 104 linearly decreases 0.2 to 0.1 from the interface between the layer 104 and the channel layer 103 toward the interface between the layer 104 and the second graded layer 105.例文帳に追加
第１グレーデッド層１０４のＡｌ組成ｘはチャネル層１０３との界面から第２のグレーデッド層１０５との界面に向かって０.２から０.１に直線的に減少している。 - 特許庁
The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.例文帳に追加
Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁
The Al composition x of the second graded layer 105 linearly increases 0.1 to 0.3 from the interface between the layer 105 and the first graded layer 104 toward a surface opposite to the first graded layer 104.例文帳に追加
第２グレーデッド層１０５のＡｌ組成ｘは、第１のグレーデッド層１０４との界面から第１のグレーデッド層１０４とは反対側の表面に向かって０.１から０.３にＡｌ組成ｘが直線的に増加している。 - 特許庁
A GaxIn1-xP composition-graded electron supplying layer in which the gallium compositional ratio is reduced from the function interface with a GaInAs channel layer toward the junction interface with a GaAs contact layer is formed.例文帳に追加
ＧａＩｎＡｓチャネル層の接合界面からＧａＡｓコンタクト層との接合界面に向けて、ガリウム組成比を減少させたＧａ_XＩｎ_1-XＰ組成勾配付電子供給層を形成する。 - 特許庁
An energy level Ec in the vicinity of an interface beween a graded layer 1G and a ballast resistor 1R related to the embodiment is smoothly continued.例文帳に追加
実施形態に係るグレーデッド層１Ｇとバラスト抵抗１Ｒとの間の界面近傍のエネルギー準位Ｅｃは、スムーズに連続している。 - 特許庁
A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加
このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁
The core 12.1 comprises a multiplicity of compositions whose refractive indices are graded from a maximum at or near the center of the core 12.1 to a minimum at the interface with the cladding 12.3.例文帳に追加
コア１２．１は屈折率がコア１２．１の中心、あるいはその近傍での最大値からクラッド１２．３との界面での最小値まで緩やかに変化する多様な組成からなっている。 - 特許庁
The functionally graded material comprises a composition proximate the first interface being substantially free of Al_2O_3-TiO_2 and at the second interface having Al_2O_3-TiO_2 in amounts substantially equal to the first outer layer (300).例文帳に追加
傾斜機能材料は、第１の界面に近接した位置において実質的にＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を含まずかつ第２の界面の位置において第１の外側層（３００）と実質的に等しい量のＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を有する組成を含む。 - 特許庁
The graded semiconductor layer between a GaN layer 120 and an AlGaN layer 118 of the nitride-based semiconductor laser structure 100 reduces the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at an interface between the GaN layer 120 and the AlGaN layer 118.例文帳に追加
窒化物系半導体レーザ構造１００のＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との間の勾配つき半導体層は、ＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。 - 特許庁
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