| 例文 |
growing thickerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To form a semiconductor layer which is thicker than in a conventional manner with one time epitaxial growing process.例文帳に追加
1回のエピタキシャル成長工程で従来よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁
Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering.例文帳に追加
次に基板にRFバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Cu膜8,9の合計膜厚よりも厚い膜厚700nmのCu層10を得る。 - 特許庁
An active layer 107, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a selectively growing region in a laser forming region LR are respectively formed thicker than an absorption layer 109, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a modulator forming region MR.例文帳に追加
レーザ形成領域LR内の選択成長領域における活性層107,クラッド層111,コンタクト層119はそれぞれ,変調器形成領域MRにおける吸収層109,クラッド層111,コンタクト層119に対して厚く形成されている。 - 特許庁
Furthermore, turning-on period can be shortened, because the DC pulse voltage rises abruptly; consequently, a sheath can stop growing thicker at a transient state, before going into a steady state, which results in narrowing down of the interval between the opposite electrode 16 and the transparent electrode 62, and in size reduction of the equipment.例文帳に追加
また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極16と透明電極62との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。 - 特許庁
A method for manufacturing the coil for a charged particle beam apparatus is characterized by forming a metal layer on a substrate for an electrode, then applying resist of 0.1 mm or thicker, removing the resist of the region on which the coil should be formed, by lithography, and growing metal on the region in which the resist has been removed, by electrocasting.例文帳に追加
荷電粒子線装置用のコイルの製造方法であり、基板上に電極用の金属層を形成し、その後、厚さが0.1mm以上のレジストを塗布し、コイルを形成すべき領域のレジストをリソグラフィーにより除去し、レジストが除去された領域に電鋳によって金属を成長させることを特徴とするコイルの製造方法である。 - 特許庁
| 例文 |
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