「initial oxidation process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the treatment of organoarsenic-containing wastewater, by using an oxidation treatment tank 101 and an oxidative decomposition reaction tank 201, the absorbance difference, before and after the oxidation treatment of organoarsenic-containing wastewater in the oxidation treatment tank 101 provided in a measuring process is measured and the initial concentration of organoarsenic is calculated, by using the absorbance difference as an index in preset color-organoarsenic concentration correlation.例文帳に追加

酸化処理槽１０１と酸化分解反応槽２０１とで有機ヒ素含有廃水を処理するもので、測定工程をなす酸化処理槽１０１おける有機ヒ素含有廃水の酸化処理前後での吸光度差を測定し、予め設定する色−特定有機ヒ素濃度相関において吸光度差を指標として有機ヒ素初濃度を求める。 - 特許庁

To provide a liquid culture medium including an indicator that can clearly recognize the proliferation of the microorganism from the initial step without suppression of proliferation of the microorganism, even when an oxidation-reduction colorant is used in no need of special instrument and the preparation process for the liquid culture medium.例文帳に追加

特殊な機器を必要とせず、酸化還元色素を用いても、菌の増殖を抑制することなく、初期段階から明確に微生物の増殖が認識できるインジケ−タ−付きの液体培地及びその製造方法を市場に提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for treating contaminants capable of reducing an initial cost of facilities that detoxify contaminants containing undegradable hazardous organic compounds such as dioxins with a supercritical water oxidation decomposition process and improving decomposition efficiency.例文帳に追加

ダイオキシン類等の難分解性の有害有機化合物を含む汚染物質を超臨界水酸化分解により無害化する設備のイニシャルコストを低減することができ、かつ分解効率を向上させることができる汚染物質の処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The firing process comprises a step wherein the silicon carbide heating element is subjected to a stabilization-promoting treatment so that the concentration of carbon monoxide generated at initial oxidation of the heating element does not exceed a concentration determined depending on the ceramic device to be fired and a step wherein the ceramic device is fired using the silicon carbide heating element subjected to the stabilization-promoting treatment.例文帳に追加

炭化珪素発熱体を用いたセラミックデバイスの焼成方法において、炭化珪素発熱体の初期酸化の際、発生する一酸化炭素の濃度が焼成すべきセラミックデバイスに応じて定まる所定濃度を越えないように、炭化珪素発熱体を予め安定化促進処理する段階と、安定化促進処理した炭化珪素発熱体を用いて、セラミックデバイスを焼成する段階と、を有することを特徴とする焼成方法。 - 特許庁