| 例文 (9件) |
mev-1の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
Accordingly, the concentration distribution of the light element can be measured sensitively and precisely in a zone of the low incident ion energy of 1 MeV or less.例文帳に追加
それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 - 特許庁
To provide a charged particle beam deceleration device and method in which a phase adjusting unit of a high frequency band is not used and a charged particle beam of a high energy of 10 MeV or higher can be decelerated to 1 MeV or lower efficiently and as a result, a shield of a large scale is dispensed with and a system can be made smaller and a cost can be made lower.例文帳に追加
高周波帯域の位相調整器を用いることなく、１０ＭｅＶ以上の高エネルギーの荷電粒子ビームを、１ＭｅＶ未満まで効率よく減速することができ、これにより大規模な遮蔽を不要とし、システムの小型化や低コスト化を達成することができる荷電粒子ビーム減速装置および方法を提供する。 - 特許庁
The laser beam totally reflects in the droplets to form plasma having a high-speed electron of 50 to 200 keV, and a hard X ray having a directionality of 0.1 MeV to 1 GeV are generated.例文帳に追加
レーザ光は液滴内で全反射し、５０〜２００ｋｅＶの高速電子を有するプラズマを形成し、０．１ＭｅＶ〜１ＧｅＶの指向性を有する硬Ｘ線が発生される。 - 特許庁
The implantation layers 2, 3, 4 are formed through ion implantation with high energy of a metallic element of 1 MeV or higher and with a high dose of 1016 cm-2 or higher.例文帳に追加
この注入層２、３、４は、金属元素１ＭｅＶ以上の高エネルギで、かつ１０^16ｃｍ^-2以上の高ドーズ量でイオン注入することで形成される。 - 特許庁
To provide a spectroscopic method and apparatus for an ion energy, capable of measuring a concentration distribution of an intended light element sensitively and precisely in the depth direction of an object to be measured, with a low incident ion energy of 1 MeV or less by using an incident ion heavier than He.例文帳に追加
Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。 - 特許庁
Germination of potato during storage is inhibited by irradiating low energy electron beams having an energy more than 100 keV and less than 1 MeV.例文帳に追加
請求項１記載の本発明は、バレイショの表面に、エネルギーが１００ｋｅＶを超え、１ＭｅＶ未満の低エネルギー電子線を照射することを特徴とするバレイショ貯蔵時の発芽抑制方法と、前記請求項１記載の方法により得られる、貯蔵時の発芽の抑制されたバレイショとを提供する。 - 特許庁
To provide an energy discrimination inspection device for high-energy X-rays, capable of performing energy discrimination of high-energy X-rays exceeding 1 MeV and generating pileup which is less apt to occur, even if high-energy X-ray pulses are generated, and to provide a detection method.例文帳に追加
１ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線のエネルギー弁別ができ、かつ高エネルギーＸ線がパルスで発生しても、パイルアップが生じにくい高エネルギーＸ線のエネルギー弁別検査装置と検出方法を提供する。 - 特許庁
In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加
ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁
| 例文 (9件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
