| 例文 |
ohmicallyを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
The island is ohmically isolated from other parts of the transistor as well as a substrate.例文帳に追加
アイランドは、トランジスタの他の部分及び基板からオーム的に分離される。 - 特許庁
To ohmically contact with an electrode in a GaN based compound semiconductor element.例文帳に追加
ＧａＮ系化合物半導体素子において、電極とのオーミック接触をとる。 - 特許庁
Next, a source electrode 104 and a drain electrode 105 which are apart at the predetermined space on the insulating layer 102 and parts of which are ohmically connected with the carbon nano-tube 103.例文帳に追加
次に、絶縁層１０２の上に所定の間隔で離間し、かつカーボンナノチューブ１０３に一部がオーミック接続するソース電極１０４及びドレイン電極１０５が形成された状態とする。 - 特許庁
The transistor comprises a gate electrode 110 ohmically contacted with the p-type contact layer 106, and source and drain electrodes 108 and 109 provided on the undoped AlGaN layer 104.例文帳に追加
また、トランジスタは、ｐ型コンタクト層１０６にオーミック接触するゲート電極１１０と、アンドープＡｌＧａＮ層１０４上に設けられたソース電極１０８およびドレイン電極１０９とを備えている。 - 特許庁
An epitaxial layer obtained by laminating a plurality of crystal layers on a substrate 31 is formed, and electrodes 40 formed by ohmically connecting in a plurality of insulated and divided light emitting diodes 30 are formed at least at two or more projected on a light emitting unit 31a.例文帳に追加
基板３１上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダイオード３０におけるオーミック接合によって形成される電極４０が、発光部３７ａ上に少なくとも２本以上突出して形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with an N-type silicon carbide epitaxial layer 2 formed on an N-type silicon carbide semiconductor substrate 1 including silicon carbide, and an ohmic region 4 that ohmically contacts the silicon carbide semiconductor substrate 1 and is a substrate of hetero semiconductor layer 30 composing a polycrystal silicon of different bandgap with silicon carbide.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、炭化珪素からなるＮ型の炭化珪素半導体基板１に形成されたＮ型の炭化珪素エピタキシャル層２と、炭化珪素半導体基板１とオーミック接触し、かつ、炭化珪素とバンドギャップの異なる多結晶シリコンからなるヘテロ半導体層３０を基材とするオーミック領域４とを備える。 - 特許庁
The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加
５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁
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