| 例文 (8件) |
platinum-silicideの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
The metal silicide is selected from a group consisting of nickel-silicide, cobalt-silicide, titanium-silicide, palladium-silicide, platinum-silicide, erbium-silicide, and the combination thereof.例文帳に追加
金属シリサイドは、ニッケル・シリサイド、コバルト・シリサイド、チタン・シリサイド、パラジウム・シリサイド、プラチナ・シリサイド、エルビウム・シリサイド、およびこれらの組合せからなる群から選択される。 - 特許庁
Here, metals included in the metal silicide layer may be selected from titanium, nickel, cobalt, or platinum.例文帳に追加
ここで、金属シリサイド層に含まれる金属がチタン、ニッケル、コバルトまたは白金とすることができる。 - 特許庁
To provide an infrared detection device that is improved in sensitivity by enhancing internal photoelectric effect by equivalently increasing a thickness of a platinum silicide layer.例文帳に追加
等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させた赤外線検出装置を実現する。 - 特許庁
There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order.例文帳に追加
ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。 - 特許庁
The gate electrode 6 of the n-channel type MIS transistor (Qn) is formed of an Ni (nickel) silicide film, and the gate electrode 7 of the p-channel type MIS transistor (Qp) is formed of a Pt (platinum) film.例文帳に追加
また、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）のゲート電極６は、Ｎｉ（ニッケル）シリサイド膜で構成され、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のゲート電極７は、Ｐｔ（プラチナ）膜で構成されている。 - 特許庁
The p-type MIS transistor Q_2, on the other hand, has a gate electrode 24b formed across a gate insulating film 5b, and the gate electrode 24b is formed of a platinum silicide film 28.例文帳に追加
一方、ｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2には、ゲート絶縁膜５ｂを介してゲート電極２４ｂが形成されており、このゲート電極２４ｂは、プラチナシリサイド膜２８から構成されている。 - 特許庁
A metal silicide layer 13b, which includes nickel platinum silicide, is formed by a salicide process, on a source-drain n^+-type semiconductor region 7b of an n-channel type MISFETQn formed on the semiconductor substrate 1 and a gate electrode GE1, and on a source-drain p^+-type semiconductor region 8b of a p-channel type MISFETQp and a gate electrode GE2.例文帳に追加
半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。 - 特許庁
A material with a thermal coefficient of expansion of 10×10-6/°C or less and a specific resistance (resistivity) of 50 μΩcm or more such as FeNi invar or metallic boride, a high melt-point silicide, one-constituent nitride such as Ta, and an alloy containing another constituent such as W in platinum is used for a heater layer 1 of a thin-film gas sensor.例文帳に追加
薄膜ガスセンサのヒーター層１に、熱膨張係数が１０×１０^-6／℃以下で、比抵抗（抵抗率）が５０μΩｃｍ以上の材料（例えばＦｅＮｉ系インバーや金属ホウ化物，高融点シリサイド，Ｔａ等の一成分の窒化物，白金にＷ等の他の一成分を含む合金等）を用いることにより、掲記課題の解決を図る。 - 特許庁
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