「pn 接合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The junction region 17 includes the tunnel pn junction TJ.例文帳に追加

接合領域１７はトンネルｐｎ接合ＴＪを含む。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON FILM, METHOD FOR FORMING PN JUNCTION, AND PN JUNCTION FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加

シリコン膜の形成方法、ｐｎ接合の形成方法、及びこれを用いて形成されたｐｎ接合 - 特許庁

OXIDE SEMICONDUCTOR PN JUNCTION DEVICE例文帳に追加

酸化物半導体ＰＮ接合デバイス - 特許庁

PN JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加

温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。 - 特許庁

The second pn joint diode 32_b forms the FD 22.例文帳に追加

第２ＰＮ接合ダイオード３２_bがＦＤ２２を形成する。 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法 - 特許庁

DIELECTRIC EMITTER HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合を有する誘電体放出器 - 特許庁

METHOD OF FORMING EXTREMELY SHALLOW PN JUNCTION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

PN JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合素子及びその製造方法 - 特許庁

The generated electron is detected in the PN junction.例文帳に追加

この電子は、ＰＮ接合にて検出される。 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL, AND METHOD OF FORMING pn JUNCTION例文帳に追加

結晶成長法及びｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

To inhibit leakage current occurring at a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合におけるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To suppress a parasitic resistance of a pn junction diode.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオードの寄生抵抗を抑制すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF PN HOMOJUNCTION IN NANOSTRUCTURE例文帳に追加

ナノ構造体におけるｐｎホモ接合の製造方法 - 特許庁

PN junction is exposed to the side of the stand-like part 20.例文帳に追加

ＰＮ接合を台状部分２０の側面に露出させる。 - 特許庁

The pn junction contains a polycrystal silicon.例文帳に追加

ｐｎ接合は、多結晶シリコンを含みうる。 - 特許庁

A pn junction behaves as a diode, so it becomes conductive if the gate voltage gets reversed. 例文帳に追加

pn接合はダイオードとして動作するので,ゲートの電圧が逆転すると,伝導性を持つようになる． - コンピューター用語辞典

By spot light irradiation Lgt, the reverse current of the PN junction of the photodiode PD1 is increased.例文帳に追加

スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。 - 特許庁

Each solar cell has at least two overlapped and stacked pn-junctions (2,3,6), one of which (6) is an even pn-junction.例文帳に追加

各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。 - 特許庁

The pn junction areas 34 and 35 are lower in junction withstand voltage than the pn junction areas 32 and 33 of the MOS transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域３４、３５は、ＭＯＳトランジスタ１のＰＮ接合領域３２、３３より接合耐圧が低い。 - 特許庁

The pn junction areas 21 and 22 are lower in junction withstand voltage than the pn junction area 20 of the npn transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域２１、２２は、ＮＰＮトランジスタ１のＰＮ接合領域２０より接合耐圧が低い。 - 特許庁

Thus, an exposed part 5A of the PN junction surface 5 is away from an anode electrode 8 while the PN junction surface 5 has a wide area.例文帳に追加

そのため、ＰＮ接合面５の露出部５Ａは、アノード電極８からは遠く離れており、また、ＰＮ接合面５は広い面積を有することができる。 - 特許庁

METHOD OF LINEARITY ADJUSTMENT, MANUFACTURING METHOD OF PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE, AND PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE例文帳に追加

直線性調整方法、ＰＮ接合型可変容量ダイオードの製造方法、およびＰＮ接合型可変容量ダイオード - 特許庁

This solar cell is provided with a pn junction, and a layer composing the pn junction is an In0.1Ga0.9As layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にｐｎ接合を具えていて、このｐｎ接合を構成する層を、Ｉｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ａｓ層とする。 - 特許庁

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR BOARD HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハの製造方法 - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PN JUNCTION WITH VOLTAGE ABSORBING EDGE例文帳に追加

電圧吸収エッジを有するｐｎ接合を含むＳｉＣ半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING REPETITIVE pn JUNCTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合の形成方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE WAFER HAVING pn JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

After the PN junction is formed, the semiconductor chip is sealed with a resin.例文帳に追加

このＰＮ接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 - 特許庁

A first PN junction diode is connected to the current detecting resistor.例文帳に追加

電流検出抵抗には、第１のＰＮ接合ダイオードが結合されている。 - 特許庁

Furthermore, the pn junction has an inactivation layer adjacent to the edge area.例文帳に追加

さらに、ｐｎ接合が、エッジ面に隣接した不活性化層を有する。 - 特許庁

To reduce pn junction leakage at a low voltage in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低電圧でのｐｎ接合リークを低減する。 - 特許庁

The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.例文帳に追加

ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a pn homojunction in a nanostructure.例文帳に追加

ナノ構造体内にｐｎ接合を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２と、導電層３２と、前記ＰＮ接合１２と前記導電層３２との間に挟まれた誘電体層３０を備える様にし、ＰＮ接合12は、ほぼ平坦な表面を有し導電層32はＰＮ接合12のほぼ平坦な表面を覆うようにする。 - 特許庁

In this structure, an area of the pn-junction is reduced.例文帳に追加

このような構造では、ｐｎ接合面の面積が小さく抑えられる。 - 特許庁