例文 (580件) |
sense amplifier circuitの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 580件
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND MEMORY HAVING SENSE AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加
センス増幅器回路、およびセンス増幅器回路を有するメモリ - 特許庁
Only a sense amplifier circuit of one side of sense amplifier bands is activated.例文帳に追加
一方のセンスアンプ帯のセンスアンプ回路のみを活性化する。 - 特許庁
A sense amplifier control circuit activates a sense amplifier activation signal for operating the sense amplifiers.例文帳に追加
センスアンプ制御回路は、センスアンプを動作するためにセンスアンプ活性化信号を活性化する。 - 特許庁
The sense dummy circuit 6 with elements less than the number of the elements configuring the sense amplifier 3 reproduces the performance of the sense amplifier 3 right after the sense amplifier 3 is activated.例文帳に追加
センスダミー回路6は、センスアンプ3を構成する素子数よりも少ない素子数で、センスアンプ3の活性化直後の動作を再現する。 - 特許庁
A sense amplifier circuit (LV) is provided with a circuit part (ST2).例文帳に追加
センスアンプ回路(LV)は、回路部(ST2)を備えている。 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER DRIVER CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF INCREASING SENSING SPEED OF SENSE AMPLIFIER例文帳に追加
センス増幅器のセンシング速度をアップさせうる半導体メモリ装置のセンス増幅器駆動回路 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND ITS SENSE AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加
半導体記憶装置、及びそのセンスアンプ回路 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SENSE AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加
半導体メモリデバイスおよびセンスアンプ回路 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
センスアンプ回路及び半導体メモリ - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
センスアンプ回路及び半導体記憶装置 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CONTROL CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
半導体記憶装置のセンスアンプ制御回路 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
センスアンプ回路、及びそれを用いた半導体記憶装置 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ装置の感知増幅器回路 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加
センスアンプ回路、メモリ装置、及び電子機器 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
センスアンプ回路、及びこれを用いた半導体記憶装置 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD例文帳に追加
センスアンプ制御回路及び制御方法 - 特許庁
HIGH PERFORMANCE TWO STEPPED SENSE AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加
高性能2段式センス増幅回路 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加
非揮発性メモリ装置用センスアンプ回路及び方法 - 特許庁
METHOD FOR DECIDING SENSITIVITY OF SENSE AMPLIFIER, AND CIRCUIT例文帳に追加
センスアンプ感度を決定する方法及び回路 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT FOR FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
フラッシュメモリ装置の感知増幅回路 - 特許庁
A sense amplifier control circuit 106 controls a sense amplifier 111, so that the control circuit stops operation of the sense amplifier 111 only for a fixed period at the beginning of a read-out cycle and operates the sense amplifier 111 for the other period.例文帳に追加
センスアンプ制御回路(106)は、読み出しサイクルの当初一定の期間のみ、センスアンプ(111)の動作を止め、他の期間はセンスアンプを動作させるようにセンスアンプを制御する。 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE CIRCUIT例文帳に追加
センスアンプ回路並びにこれを用いたメモリ及び半導体装置 - 特許庁
DIFFERENTIAL SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND DYNAMIC LOGIC CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加
差動型センスアンプ回路およびそれを用いた動的論理回路 - 特許庁
To provide a memory device in which a circuit scale of a sense amplifier circuit can be reduced.例文帳に追加
センスアンプ回路の回路規模を小さくできるメモリ装置の提供。 - 特許庁
The sense amplifier driver circuit (113) is provided for each of the sense amplifier latch circuits (116), and supplies the sense amplifier activation signals (n3, n4, n7, n8) to the plurality of sense amplifier latch circuits (116), respectively.例文帳に追加
センスアンプドライバー回路(113)は複数のセンスアンプラッチ回路(116)毎に設けられ、センスアンプドライバー回路(113)はセンスアンプ活性化信号(n3,n4,n7,n8)を複数のセンスアンプラッチ回路(116)毎に供給する。 - 特許庁
A sense amplifier column 50 comprising a plurality of sense amplifiers shares a reference potential generating circuit 60.例文帳に追加
複数のセンスアンプを含むセンスアンプ列50が参照電位発生回路60を共有する。 - 特許庁
In this device, the more distant the word line WL is from the sense amplifier 18, the longer the sense amplifier control circuit 22 sets the delay time of the sense amplifier enable signal SAE so that the more distant the word line WL is from the sense amplifier 18, the later the sense amplifier 18 is activated.例文帳に追加
ワード線WLがセンスアンプ18から遠いほどセンスアンプ18が遅く活性化されるように、センスアンプ制御回路22は、ワード線WLがセンスアンプ18から遠いほどセンスアンプイネーブル信号SAEの遅延時間を長くする。 - 特許庁
Each redundant cell array 201 is provided with a redundant sense amplifier circuit 105 other than a sense amplifier circuit 103 of the memory cell array 101.例文帳に追加
メモリセルアレイ101のセンスアンプ回路103とは別に各冗長セルアレイ201に冗長センスアンプ回路105を備える。 - 特許庁
CURRENT TYPE SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND SENSING METHOD THEREOF AND CURRENT TYPE SENSE AMPLIFIER CIRCUIT HAVING LOW CURRENT FUNCTION例文帳に追加
電流型センスアンプ回路及びそのセンス方法並びに低電流機能を備えた電流型センスアンプ回路 - 特許庁
A sense amplifier circuit 401 and a sense amplifier circuit 411 are connected respectively to a bit line pair BL0 and inverse of BL0 and a bit line pair BL1 and inverse of BL1.例文帳に追加
ビット線対BL0及び/BL0にセンスアンプ401が、ビット線対BL1及び/BL1にセンスアンプ411が接続されている。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SENSE AMPLIFIER CIRCUIT, AND MEMORY CELL READING METHOD例文帳に追加
半導体メモリデバイス、センスアンプ回路、および、メモリセルの読み出し方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SENSE AMPLIFIER IN MEMORY例文帳に追加
半導体集積回路装置及びメモリにおけるセンスアンプ - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT, ITS DRIVING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
センスアンプ回路及びその駆動方法並びに半導体装置 - 特許庁
A latch circuit G4 holds an output signal of the first sense amplifier G3.例文帳に追加
ラッチ回路G4は、第1のセンスアンプG3の出力信号を保持する。 - 特許庁
To reduce the layout area of a sense amplifier circuit for reading internal data.例文帳に追加
内部データ読出用のセンスアンプ回路のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF例文帳に追加
半導体メモリ装置のセンス増幅回路およびその駆動方法 - 特許庁
SENSE AMPLIFIER CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加
半導体メモリ装置のセンスアンプ回路及びその動作方法 - 特許庁
A sense amplifier circuit 4 amplifies the potential of a bit line in each memory cell.例文帳に追加
センスアンプ回路4は、各メモリセルのビット線の電位を増幅する。 - 特許庁
To reduce a through-current in a sense amplifier circuit during a reading operation.例文帳に追加
読み出し動作時のセンスアンプ回路中の貫通電流を低減すること。 - 特許庁
A verify sense amplifier circuit 7 is arranged in a flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリには、ベリファイセンスアンプ回路7が設けられている。 - 特許庁
A sense amplifier circuit having a latch function is connected to a bit line BLi.例文帳に追加
ビット線BLiには、ラッチ機能を持つセンスアンプ回路が接続される。 - 特許庁
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