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single substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3502件
SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING THE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶基板及び単結晶基板の加工方法 - 特許庁
SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶窒化ガリウム基板 - 特許庁
SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH例文帳に追加
単結晶育成用基板 - 特許庁
SINGLE-SIDE PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE例文帳に追加
基板の片面処理装置 - 特許庁
SINGLE SUBSTRATE TYPE MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加
枚葉式マグネトロンスパッタ装置 - 特許庁
SILICON CARBIDE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
炭化珪素単結晶基板 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶酸化亜鉛基板 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶炭化ケイ素基板 - 特許庁
NON-MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
非磁性ガーネット単結晶基板 - 特許庁
PROCESSING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶基板の加工方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶基板の製造方法 - 特許庁
EVALUATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶基板の評価方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶基板の製造方法 - 特許庁
n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
n型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
PROCESSING METHOD FOR GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
GaN単結晶基板の加工方法及びGaN単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ダイヤモンド単結晶基板の製造方法及びダイヤモンド単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板 - 特許庁
PRODUCTION PROCESS OF SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 - 特許庁
COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶炭化珪素基板を有する複合基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ダイヤモンド単結晶基板の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE例文帳に追加
単結晶SiC基板の製造方法および単結晶SiC基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
GaAs単結晶基板の製造方法及びGaAs単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND STACKED SUBSTRATE OBTAINED BY STACKING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
III族窒化物単結晶基板の製造方法、および該基板を積層した積層基板 - 特許庁
SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加
炭化珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶エピタキシャル基板及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン単結晶基板の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
炭化珪素単結晶基板の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
有機単結晶付基板の製造方法、有機単結晶付基板及び有機単結晶付基板の製造装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁
Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
Si添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
窒化物単結晶基板の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
SiC単結晶基板の製造方法 - 特許庁
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