「single substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

CRYSTALLINITY-CONTROLLED MAGNESIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE USING THE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

結晶性制御酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法並びにその単結晶を用いた基板 - 特許庁

To modify a single crystal silicon layer on a substrate surface into single crystal silicon carbide in a short period of time by heating.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

A magnetic garnet single crystal film 14 such as a YIG single crystal film is formed on the substrate 12.例文帳に追加

非磁性基板１２上に、ＹＩＧ単結晶膜のような磁性ガーネット単結晶膜１４を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LOW-OXYGEN ALUMINUM NITRIDE MASSIVE SINGLE CRYSTAL, AND LOW-OXYGEN SINGLE CRYSTAL ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

低酸素窒化アルミニウム塊状単結晶の製造方法および低酸素単結晶窒化アルミニウム基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法 - 特許庁

GARNET SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING BISMUTH-SUBSTITUTED RARE EARTH GARNET SINGLE CRYSTAL FILM USING THE SAME例文帳に追加

ガーネット単結晶基板およびそれを用いたビスマス置換希土類ガーネット単結晶膜の製造方法 - 特許庁

To provide a substrate for tiles, which can cope with two types of tile sticking agent by the single type of substrate.例文帳に追加

１種類で、２種類のタイル張付け剤に対応できるタイル用下地材を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric single crystal substrate 6 is adhered to a base substrate 2 via an adhesive layer 4.例文帳に追加

強誘電体単結晶基板６を接着層４に介してベース基板２と接着する。 - 特許庁

GaN SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE, NITRIDE TYPE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND NITRIDE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、及び、窒化物系半導体素子 - 特許庁

The group III nitride single crystal 6 is separated from the substrate 1 to obtain a self-supporting substrate.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物単結晶６を基板１から剥離させることによって自立基板を得る。 - 特許庁

The single crystal sapphire substrate having etch pits is manufactured by wet etching the substrate with hot phosphoric acid or the like.例文帳に追加

熱リン酸等でウェットエッチングことによりエッチピット付きの単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

To execute plural processes to a substrate with the substrate fixed inside a single vacuum chamber.例文帳に追加

単一の真空チャンバに基板を固定したままその基板に対する複数のプロセスを行う。 - 特許庁

To provide a support substrate to be bonded to a single crystal wafer and to provide a method of manufacturing the support substrate.例文帳に追加

単結晶ウェハと貼り合わせるための支持基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite nano-rod substrate on which metal nano-rods are arranged tidily in a single direction on the substrate.例文帳に追加

基板上に金属ナノロッドが整然と１方向に並んだ複合ナノロッド基板を提供する。 - 特許庁

An MgO (111) single crystal thin film is deposited on a YSZ (111) single crystal substrate with an NiO (111) epitaxial thin film as a buffer layer, and single-layer graphene is deposited on this MgO (111) single crystal thin film.例文帳に追加

MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 - 特許庁

A single crystal sapphire substrate 3 is laminated on a substrate 5 so as to form a sapphire composite substrate 10 and a gallium nitride single crystal 1 is epitaxially grown on the sapphire surface of the sapphire composite substrate 10, thus forming a multi-layer substrate having the gallium nitride single crystal.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶を有する多層基板は、基体５に単結晶サファイア基板３を貼り付けてサファイア複合基板10を作製し、サファイア複合基板10のサファイア面上に窒化ガリウム単結晶１をエピタキシャル成長させることにより製造する。 - 特許庁

To manufacture an SOI substrate achieveing high bonding strength between a single-crystal semiconductor layer and a support substrate by reducing adhesion defects between the single-crystal semiconductor layer and the support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層と支持基板との接着不良を低減し、単結晶半導体層と支持基板との接着強度の高いＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

To provide a method of producing an oxide single crystal film, by which the single crystal film having a desired thickness can be obtained without polishing after cutting the single crystal when the oxide single crystal films are grown on both surfaces of an oxide single crystal substrate by a LPE method and the oxide single crystal film is obtained by cutting the substrate having the oxide single crystal films.例文帳に追加

ＬＰＥ法で酸化物単結晶基板の両面に酸化物単結晶膜を育成し、この酸化物単結晶膜付き基板を切断して酸化物単結晶膜を得るときに、切断後に研磨をしなくても所望の厚みが得られる、酸化物単結晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND INTEGRATED CIRCUIT FORMED THEREON例文帳に追加

単結晶基板の製作方法およびその基板を含む集積回路 - 特許庁

LITHIUM TANTALATE (LT) OR LITHIUM NIOBATE (LN) SINGLE CRYSTAL COMPOUND SUBSTRATE例文帳に追加

タンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶複合基板 - 特許庁

To provide a support substrate for a laminated substrate in which a bonding surface with a single crystal wafer is smooth, and a bonding strength with the single crystal wafer is high.例文帳に追加

単結晶ウエハとの接合面が平滑であり、単結晶ウエハとの接合強度が高い貼り合わせ基板用支持基板を提供する。 - 特許庁

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, ITS PRODUCING METHOD, AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM TRANSISTOR ON GLASS SUBSTRATE例文帳に追加

ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL Si SUBSTRATE WITH METAL PLATING LAYER AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

金属メッキ層付き単結晶Ｓｉ基板と垂直磁気記録媒体 - 特許庁

An SOI substrate 1 consists of a support substrate 2, consisting of a single crystal silicon film, a silicon oxide layer 3, a single-crystal silicon layer 4 and epitaxial layers 7.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンからなる支持基板２、酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４およびエピタキシャル層７からなる。 - 特許庁

The Si substrate is formed of low-resistance (100) single crystal silicon.例文帳に追加

Ｓｉ基板は、低抵抗（１００）単結晶シリコンで構成されている。 - 特許庁

OPTICAL FUNCTION ELEMENT, SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR THIS ELEMENT AND METHOD OF USING THE SAME例文帳に追加

光機能素子、該素子用単結晶基板、およびその使用方法 - 特許庁

To provide many circuit boards out of a single ceramic substrate at a low cost.例文帳に追加

１枚のセラミックス基板から多数個の回路基板を低コストで得る。 - 特許庁

To provide a method for flattening the surface of a single crystal SiC substrate.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板の表面平坦化方法を提供する。 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶基板、積層体、およびこれらの製造方法 - 特許庁

SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

サファイア単結晶基板およびＩＩＩ族窒化物系化合物半導体 - 特許庁

A copper thin film incorporating a single layer carbon nanotube is formed on a substrate by plating with copper the substrate on which the single layer carbon nanotube is formed.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブを形成した基板上に銅をメッキすることで、基板上に単層カーボンナノチューブを取り込んだ銅薄膜を形成する。 - 特許庁

The hexagonal boron nitride structure has a sapphire single crystal substrate 41 and single crystal hexagonal boron nitride 42 formed on the substrate 41.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

An extremely flattened (stabilized) single crystal SiC substrate 15 can be obtained by further applying slight thermal etching to the resulting single crystal SiC substrate 15 after that (e).例文帳に追加

このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化（安定化）された単結晶ＳｉＣ基板１５を得ることができる（ｅ）。 - 特許庁

A single crystal of K_2NbO_3F is allowed to deliquesce on a substrate and then dried.例文帳に追加

Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。 - 特許庁

To improve fracture toughness of a nitride semiconductor single crystal substrate itself.例文帳に追加

窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。 - 特許庁

To grow a nitride single crystal of high quality on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に高品質窒化物単結晶を成長させること。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER SILICON SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶基板の製造方法およびその装置 - 特許庁

A device element is formed on the standing substrate 15 composed of the gallium nitride single crystal.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶の自立基板15上にデバイス素子を形成する。 - 特許庁

The substrate 12 comprises a single crystal of LiTaO_3 or of LiNbO_3.例文帳に追加

基板１２は、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３の単結晶からなる。 - 特許庁

Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。 - 特許庁

A single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams, while heating the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate having an embrittlement layer and a dummy substrate having an isolation layer are bonded to each other, and the single-crystal semiconductor substrate is separated at the embrittlement layer as a boundary by heat treatment to form a single-crystal semiconductor strip on the dummy substrate.例文帳に追加

脆化層を設けた単結晶半導体基板と、分離層を設けたダミー基板とを貼り合わせ、熱処理によって脆化層を境として単結晶半導体基板を分離し、ダミー基板上に単結晶半導体片を形成する。 - 特許庁

A spacer 19 with a thickness of about ≤50 μm is installed between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17 to control the thickness of the single crystal SiC grown between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17.例文帳に追加

前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に約５０μｍ以下の厚さのスペーサ19を設け、前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に成長される単結晶SiCの厚みを制御する。 - 特許庁