「single substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon single crystal thin film F1 is bonded to a support substrate 15.例文帳に追加

シリコン単結晶薄膜Ｆ１を支持基板５に接着する。 - 特許庁

HEXAGONAL BORON NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素単結晶基板およびその製造方法 - 特許庁

EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTALLINE SUBSTRATE USING SELF-SPLIT例文帳に追加

自己分離を用いた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法 - 特許庁

SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板、半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE SINGLE CRYSTAL OF SILICON EPITAXIAL WAFER, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハの基板単結晶およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM ON GLASS SUBSTRATE例文帳に追加

ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁

The thickness of single-crystal sapphire substrate is 100 μm or less.例文帳に追加

単結晶サファイア基板の厚みは１００μｍ以下とする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF PINNING STEP STRUCTURE FORMED ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING PINNED STEP STRUCTURE例文帳に追加

単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体単結晶基板の製造方法及び半導体デバイス - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 - 特許庁

SINGLE-ACTING AIR CYLINDER VALVE AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

単動空気シリンダ弁およびそれを備えた基板処理装置 - 特許庁

To manufacture a nitride semiconductor substrate as a single substrate that is grown so that the substrate has a low defect and a thick film.例文帳に追加

窒化物半導体基板を低欠陥かつ厚膜で成長させ単体基板として製造できるようにする。 - 特許庁

SUBSTRATE SUPPORT UNIT, SINGLE SUBSTRATE POLISHING APPARATUS UTILIZING THE UNIT, AND SUBSTRATE POLISHING METHOD UTILIZING THE APPARATUS例文帳に追加

基板支持ユニット、前記ユニットを利用する枚葉式基板研磨装置及び前記装置を利用する基板研磨方法 - 特許庁

The fixation of the single-crystal semiconductor substrate and the irradiation of the electromagnetic wave are performed repeatedly to form the semiconductor substrate with necessary numbers of single-crystal semiconductor substrate fixed on the base substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

Besides, in a method for manufacturing a multilayer substrate at least including a process for vapor-phase synthesizing a diamond film on a single crystal substrate, the method for manufacturing the multilayer substrate is characterized by using Ir single crystal or Rh single crystal as the single crystal substrate.例文帳に追加

また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 - 特許庁

The step for providing the diamond single crystal substrate 101 comprises a step for providing a diamond single crystal substrate 101 having a thickness of >100 μm and a step for reducing the thickness of the diamond single crystal substrate 101 to be ≤100 μm by removing a part of the diamond single crystal substrate 101.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程は、厚みが１００μｍを超えるダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１の一部分を除去して厚みを１００μｍ以下にする工程とを備える。 - 特許庁

To provide a diamond single crystal substrate having a diamond single crystal film capable of being practically used as a semiconductor; and a method for manufacturing the same by which the diamond single crystal substrate can be easily obtained.例文帳に追加

半導体として実用可能なダイヤモンド単結晶膜を備えたダイヤモンド単結晶基板およびこれを容易に得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a low cost large-sized diamond single crystal substrate by forming a diamond single crystal film on a silicon substrate from which a low cost maximum-area single crystal can be obtained.例文帳に追加

低コストで最大面積の単結晶が得られるシリコン基板上にダイヤモンド単結晶膜を成膜することにより、低コストで大型のダイヤモンド単結晶基板を得る。 - 特許庁

To provide a high quality SiC single crystal substrate useful for enhancing the yield and stability of a device, a seed crystal for producing the high quality SiC single crystal substrate, and a method for producing the high quality SiC single crystal substrate.例文帳に追加

デバイスの歩留まり、安定性を高めるための、高品質SiC単結晶基板、高品質SiC単結晶基板製造用種結晶並びに高品質のSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus for improving productivity by reducing substrate conveyance distance in a process for bonding a single-crystal semiconductor substrate to a support substrate to form a thin-film single-crystal semiconductor layer separated from the single-crystal semiconductor substrate on the support substrate, and improving yields by reducing dirt adhering onto the substrate during the process.例文帳に追加

単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせ、単結晶半導体基板から剥離した薄膜の単結晶半導体層を支持基板に形成する工程において、基板搬送距離を短くし、生産性を向上させる製造装置を提供する。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate 1 is stripped by the muddy layer 2 thus forming a deposition substrate 6 where a single crystal SiC layer 1a composed of a part of the single crystal SiC substrate 1 is provided on the base substrate 3.例文帳に追加

これにより、泥弱層２で単結晶ＳｉＣ基板１を剥離させ、単結晶ＳｉＣ基板１の一部によって構成される単結晶ＳｉＣ層１ａをベース基板３上に備えた堆積用基板６を形成する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME AND ILLUMINATING DEVICE例文帳に追加

単結晶基板、それを用いた発光素子および照明装置 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL DIAMOND THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド薄膜成長用基板及びその製造方法 - 特許庁

To efficiently reduce an amount of warpage of a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶基板の反り量を効率よく低減する。 - 特許庁

To provide a good-quality single crystal substrate and its manufacturing method.例文帳に追加

良質の単結晶基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING SINGLE CRYSTAL SILICON MEMBER FOR HEAT TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板熱処理用単結晶シリコン部材の純化方法 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

シリコン単結晶基板、エピタキシャルウエーハおよびこれらの製造方法 - 特許庁

GAN SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法並びに光デバイス - 特許庁

The substrate part 25 is formed of a printed wiring board of a single layer or multiple layers.例文帳に追加

基板部２５は、単層または多層のプリント配線板からなる。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND FABRICATION PROCESS OF GaN-BASED LED DEVICE例文帳に追加

単結晶基板およびＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法 - 特許庁

A silane compound 2 is formed on a single-crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシラン系化合物２を成膜する。 - 特許庁

LITHIUM TANTALATE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING LITHIUM TANTALATE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

タンタル酸リチウム基板と、タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, FREE STANDING SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND DEVICE ELEMENT FORMED ON THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子 - 特許庁

A-PLANE NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING FLAT SIDE-SURFACES例文帳に追加

扁平な側面を有するａ面窒化物半導体単結晶基板 - 特許庁

A single-crystal semiconductor separated from a single-crystal semiconductor substrate is formed partly over a supporting substrate with a buffer layer provided therebetween.例文帳に追加

支持基板上に、バッファ層を介して単結晶半導体基板から分離させた単結晶半導体を部分的に形成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系単結晶基板の製造方法範囲内製造装置 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶、炭化珪素基板およびその製造方法 - 特許庁

Subsequently, the ferroelectric single crystal substrate 6 is thinned by performing grinding from the surface side of the ferroelectric single crystal substrate 6.例文帳に追加

次に、強誘電体単結晶基板６の表面側から研磨処理を施し、強誘電体単結晶基板６を薄板化する。 - 特許庁

WAFER SUBSTRATE POLISHING METHOD AND WAFER MADE OF PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ウェーハ基板の研磨方法及び圧電性単結晶からなるウェーハ - 特許庁

To provide a method for producing a single-crystal sapphire substrate with few metal impurities and crystal defects (air bubbles), and a single-crystal sapphire substrate.例文帳に追加

金属不純物、結晶欠陥（気泡）の少ないサファイア単結晶基板の製造方法およびサファイア単結晶基板を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING EPITAXIAL THIN FILM ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶基板の表面にエピタキシャル薄膜を形成する方法 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY FLOAT ZONE METHOD, AND SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板 - 特許庁