「single substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE METHOD例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER例文帳に追加

表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁

The substrate 1 is formed by single-crystal silicon.例文帳に追加

基板１は単結晶シリコンから形成されている。 - 特許庁

The substrate 1 is composed of a langasite single crystal.例文帳に追加

基板１をランガサイト単結晶によって構成する。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板 - 特許庁

The substrate 1 is a GaN single crystal substrate having an m-plane serving as a principal plane.例文帳に追加

基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。 - 特許庁

The substrate 1 is a GaN single crystal substrate using an m-plane as a principal surface.例文帳に追加

基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。 - 特許庁

The substrate 1 is a GaN single-crystal substrate having an (m) plane as a principal plane.例文帳に追加

基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。 - 特許庁

The single crystal substrate 1 is made of a Si substrate having the crystal plane direction of (111).例文帳に追加

単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。 - 特許庁

After joining a single crystal semiconductor substrate with a supporting substrate, the semiconductor substrate is heated to separate the single crystal semiconductor substrate in a damaged area.例文帳に追加

単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL DIAMOND, AND METHOD FOR PRODUCING THE SINGLE CRYSTAL DIAMOND例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR SYNTHESIZING SINGLE CRYSTAL DIAMOND AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL DIAMOND FILM例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド合成用基板及び単結晶ダイヤモンド膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL FILM, AND SINGLE CRYSTAL FILM SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

単結晶薄膜の製造方法、単結晶薄膜基板及び半導体装置 - 特許庁

The base substrate is composed of, for instance, a single crystal GaAs.例文帳に追加

ベース基板は、例えば単結晶ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

単結晶基板および単結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ARRANGING POWER SOURCE LINE OF SINGLE POWER SUPPLY SYSTEM SUBSTRATE例文帳に追加

片電源方式基板の、電源線の配置方法。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted into a silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１に水素イオンを注入する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

単結晶基板及び単結晶基板の製造方法 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

単結晶炭化珪素基板およびその製造方法 - 特許庁

The silicon substrate 1 is formed from a rectangular single-layer thick plate.例文帳に追加

シリコン基板１を矩形の単層厚板で形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 - 特許庁

CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

半導体結晶成長用炭化物単結晶基板 - 特許庁

CRYSTAL DEFECT EVALUATING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR SOLAR CELL例文帳に追加

太陽電池用シリコン単結晶基板の製造方法 - 特許庁

PREPREG SHEET, SINGLE FIBER, WIRING SUBSTRATE, AND MOUNTING STRUCTURE例文帳に追加

プリプレグシート、単繊維、配線基板及び実装構造体 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法 - 特許庁

To provide a method for guaranteeing the resistivity of a silicon single crystal substrate, by which the accurate resistivity of a silicon single crystal substrate for a product can be guaranteed in a CZ silicon single crystal substrate in which nitrogen is added, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal substrate, and a silicone single crystal substrate.例文帳に追加

窒素添加のＣＺシリコン単結晶基板において、製品用シリコン単結晶基板の正確な抵抗率保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The heat treatment method for the substrate comprises after cutting the MgO single crystal substrate, heating the cut MgO single crystal substrate at a temperature of at least 1,000°C or higher at the normal pressure in air or the like.例文帳に追加

ＭｇＯ単結晶基板を切断した後、常圧大気中等で少なくとも１０００℃以上の温度で加熱する。 - 特許庁

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 - 特許庁

SINGLE WAFER SUBSTRATE HEAT TREATMENT EQUIPMENT AND METHOD FOR COOLING SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

枚葉式基板熱処理装置及び該装置を使用する基板冷却方法 - 特許庁

To provide a single wafer substrate cleaning facility and backside cleaning method for the substrate.例文帳に追加

枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を開示する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a low melting point glass substrate 20 are stuck.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と低融点ガラス基板２０を貼り合わせる。 - 特許庁

A single crystal substrate group 10 which consists of single crystal substrates each having a front face and a rear face is prepared.例文帳に追加

各々が表面および裏面を有する単結晶基板群１０が準備される。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING ANATASE-TYPE TITANIUM DIOXIDE SINGLE CRYSTAL FILM ON SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法 - 特許庁

BASE MATERIAL FOR GROWING SINGLE CRYSTAL DIAMOND, AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL DIAMOND SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 - 特許庁

On an Si single-crystal substrate 2, a 3C-SiC single-crystal film 6 is formed with a c-BP single-crystal layer 4 and a 3C-SiC single-crystal layer 5 made of a carbonized Si single-crystal layer 5', which are formed on the Si single-crystal substrate 2 interposed in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にｃ−ＢＰ単結晶層４及びＳｉ単結晶層５′を炭化した３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層５をこの順で介在して３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜６が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND NITRIDED SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板 - 特許庁

A single-crystal semiconductor layer is separated from a single-crystal semiconductor substrate and is fixed to an insulating substrate to form a TFT over the insulating substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板から、単結晶半導体層を分離し、それを絶縁基板に固定し、絶縁基板上でＴＦＴを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a nitride semiconductor layer comprises fusing the nitride semiconductor layer formed on a single crystal substrate onto an inexpensive ceramic substrate and then peeling and removing the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。 - 特許庁

To provide a processing method for a GaN single crystal for processing a GaN single crystal substrate into a more flat or concave form and to provide a GaN single crystal substrate.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板をより平坦あるいは凹形状に加工するＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａ単結晶基板を提供する。 - 特許庁