「single substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

SUBSTRATE FOR GROWING MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM USING THE SAME例文帳に追加

磁性ガーネット単結晶膜育成用基板及びそれを用いた磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR FORMING SINGLE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND PREPARATION METHOD OF SAME例文帳に追加

単結晶形成用基板、ＩＩＩ族窒化物単結晶の作製方法、およびＩＩＩ族窒化物単結晶 - 特許庁

To provide a method for producing an AlN (aluminum nitride) massive single crystal, and to provide a single crystal AlN substrate.例文帳に追加

ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板 - 特許庁

To reduce defects of a gallium nitride single crystal and to develop a method for reducing a warpage of a single crystal substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶の欠陥を低減することと、単結晶基板の反りを小さくする方法の開発。 - 特許庁

To prevent roughness of a surface of a semiconductor layer (for instance, a single-crystal silicon layer) when manufacturing an SOI substrate by bonding a base substrate (for instance, a glass substrate) to a semiconductor substrate (for instance a single-crystal silicon substrate).例文帳に追加

ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。 - 特許庁

Thereafter, the substrate is anneal-treated so that a first material is made to be a single face with the surface of the substrate.例文帳に追加

その後、第１の材料が基板の表面と同一平面となるよう、基板はアニール処理される。 - 特許庁

An InSb single crystal substrate 13 is adhered to a supporting substrate 11 to which an epoxy adhesive agent 12 is applied.例文帳に追加

ＩｎＳｂ単結晶基板１３を、エポキシ接着剤１２が塗布された支持基板１１に接着する。 - 特許庁

To obtain a high density-wiring in a simple process without thickening the substrate in a single thin-film substrate.例文帳に追加

単一薄膜基板で基板を厚くすることなく簡単な工程で高密度配線を実現する。 - 特許庁

Further, a silicon plate 23 is arranged between the single crystal SiC substrate 15 and the polycrystalline SiC substrate 20.例文帳に追加

また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION OF NITROGEN COMPOUND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

半導体素子用基板及び半導体素子並びに窒素化合物半導体単結晶基板の製造方法 - 特許庁

A single crystal thin film 2 of calcium fluoride is epitaxially grown on a silicon single crystal substrate 1, and a zinc oxide single crystal film 3 is epitaxially grown on the single crystal thin film 2 of calcium fluoride.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にフッ化カルシウム単結晶薄膜２をエピタキシャル成長し、フッ化カルシウム単結晶薄膜２上に酸化亜鉛単結晶膜３をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To assemble on a single substrate resonators which have respectively resonance frequencies different from each other.例文帳に追加

同一基板上に共振周波数の異なる共振器を組立てる。 - 特許庁

To provide a single-layer board on chip package substrate in which high density can be achieved and manufacturing costs can be reduced, and to provide a manufacturing method of the single-layer board on chip package substrate.例文帳に追加

高密度化を実現し、かつ製造コストを低減することができる単層ボードオンチップパッケージ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Two or more penetration holes 18 are formed in the single crystal substrate 10.例文帳に追加

単結晶基板１０には、複数の貫通穴１８が形成されている。 - 特許庁

SUBSTRATE-HOLDING TOOL AND SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL FILM- PRODUCING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME TOOL例文帳に追加

基板保持具及びそれを備えた単結晶エピタキシャル膜製造装置 - 特許庁

To provide a method for growing single crystal nanostructure onto a substrate.例文帳に追加

単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large-area single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

大面積単結晶シリコン基板の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To inhibit the occurrence of warping or grain boundaries of a nitride single crystal substrate.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の反りや粒界生成を抑制することである。 - 特許庁

SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法 - 特許庁

The GaAs substrate is obtained by slicing the GaAs single crystal.例文帳に追加

また、該ＧａＡｓ単結晶をスライスすることによってＧａＡｓ基板を得る。 - 特許庁

On the side of the boundary with the single crystal substrate 1, difference in lattice constant from that of the single crystal substrate 1 is effectively reduced by lowering the mixed crystal ratio a of InN.例文帳に追加

他方、単結晶基板１側においては、ＩｎＮ混晶比ａを減ずることで、単結晶基板１との格子定数差も効果的に縮小できる。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING ELECTRO-OPTIC SINGLE CRYSTAL THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

電気光学的単結晶薄膜成長用基板及びその製造方法 - 特許庁

SC1 cleaning is effected to a silicon single crystal substrate followed by forming an ozone oxide film on both principle planes of the silicon single crystal substrate by using ozone water.例文帳に追加

シリコン単結晶基板にＳＣ１洗浄を施した後に、オゾン水を用いてシリコン単結晶基板の両主面にオゾン酸化膜を形成する。 - 特許庁

To decrease an absorption coefficient of a nitride semiconductor single crystal substrate itself.例文帳に追加

窒化物半導体単結晶基板自体の吸収係数を低減させる。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT AND SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFER OBTAINED FROM THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ - 特許庁

SCHOTTKY ELECTRODE FOR GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極及びその製造方法 - 特許庁

BORIDE SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE FOR FORMING SEMICONDUCTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ホウ化物単結晶と半導体形成用基板及びその製造方法 - 特許庁

After the bonding process, the single crystal semiconductor substrate 200 is separated through the separating layer 212 and the single crystal semiconductor layer 220 is formed on the supporting substrate 500.例文帳に追加

貼り合わせ工程の後、単結晶半導体基板２００を剥離層２１２で分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 - 特許庁

The single-sided printed board 11 comprises a substrate 11a and a printed wire 11b, and the single-sided printed board 12 comprises a substrate 12a and a printed wire 12b.例文帳に追加

片面プリント基板１１は、基板１１ａとプリント配線１１ｂとから成り、一方、片面プリント基板１２は、基板１２ａとプリント配線１２ｂとから成る。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SiC OR GaN SINGLE CRYSTAL ON SUBSTRATE OF ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子素子基板上へのＳｉＣ又はＧａＮ単結晶の成長方法 - 特許庁

A single-crystal Si substrate 10a having a single-crystal Si thin-film transistor 16a and a hydrogen ion-implanted region 15 is bonded onto an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａと水素イオン注入部１５とを備えた単結晶Ｓｉ基板１０ａを貼り合わせる。 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE FOR GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極及びその製造方法 - 特許庁

Temperature T of a gallium arsenide (GaAs) single crystal substrate is set to T1 and a homogeneous layer having the same composition as the single crystal substrate is epitaxially grown.例文帳に追加

ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）単結晶基板の基板温度ＴをＴ１に設定し、単結晶基板と同一組成のホモ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, SAPPHIRE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

サファイア単結晶の製造方法、サファイア基板および半導体発光素子 - 特許庁

SHRINKABLE SINGLE CRYSTAL SILICON FOR HIGH PERFORMANCE ELECTRONICS ON RUBBER SUBSTRATE例文帳に追加

ゴム基板上での高パフォーマンスエレクトロニクスのための伸縮性単結晶シリコン - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING INSULATED SILICON SINGLE CRYSTAL LAYER例文帳に追加

絶縁されたシリコン単結晶層を含む半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III METAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND TEMPLATE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族金属窒化物単結晶の育成方法およびテンプレート基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III METAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND TEMPLATE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族金属窒化物単結晶の製造方法およびテンプレート基板 - 特許庁

AQUEOUS POLISHING SLURRY FOR POLISHING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND POLISHING METHOD例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 - 特許庁

SINGLE-CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

単結晶サファイア基板およびこれを用いた窒化物半導体発光素子 - 特許庁

To provide a surface treatment method which enables the production of a gallium nitride single crystal substrate easy to produce and excellent in quality, and to provide the gallium nitride single crystal substrate.例文帳に追加

製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

To provide a sapphire substrate for epitaxial growth which reduces the strain imposed on a single crystal substrate in an epitaxial growth process, even when a thin thickness single crystal substrate is used.例文帳に追加

厚みの薄い単結晶基板を用いた場合でも、エピタキシャル成長工程での単結晶基板にかかる歪みを抑えることができる、エピタキシャル成長用サファイヤ基板を提供すること。 - 特許庁