| 例文 |
single substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3502件
To prevent formation of a crystal defect when a single crystal layer such as a single crystal silicon layer is directly formed on a support substrate of single crystal, such as a sapphire substrate.例文帳に追加
サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。 - 特許庁
SURFACE IMPROVEMENT METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND IMPROVED SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND GROWING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE例文帳に追加
単結晶炭化ケイ素基板の表面改良方法及びその改良された単結晶炭化ケイ素基板、並びに、単結晶炭化ケイ素成長方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF CUBIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加
立方晶系単結晶炭化シリコン基板の製造方法 - 特許庁
PRODUCTION OF OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE ND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
酸化物単結晶基板の製造方法、及び電子デバイス - 特許庁
ELECTRON DEVICE USING TRANSPARENT SEMICONDUCTOR BULK SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
透明半導体バルク単結晶基板を用いた電子素子 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE LOCALIZED SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
単結晶窒化ガリウム局在基板及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH SiC EPITAXIAL FILM例文帳に追加
SiCエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法 - 特許庁
AMORPHOUS SINGLE CRYSTAL FERRITE, MAGNETIC HEAD AND SUBSTRATE THEREFOR例文帳に追加
非磁性単結晶フェライト、磁気ヘッド用基板および磁気ヘッド - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME例文帳に追加
窒化物半導体単結晶基板とその合成方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
化合物半導体単結晶基板およびその製造方法 - 特許庁
FORMATION OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM PORTION SEPARATED FROM SUBSTRATE例文帳に追加
基板から離間した単結晶半導体膜部分の形成 - 特許庁
To provide an InP single crystal substrate such that epitaxial layers laminated on the single crystal substrate hardly produce hillocks.例文帳に追加
単結晶基板上に積層したエピタキシャル層にヒロックが発生しにくいInP単結晶基板を提供する。 - 特許庁
The single crystal substrate group 10 is so arranged that front faces of the substrates in the single crystal substrate group 10 are inclined to one another.例文帳に追加
単結晶基板群10の各々の表面が互いに傾くように単結晶基板群10が配置される。 - 特許庁
An SOI substrate wherein a silicon single crystalline substrate 51, a silicon oxide layer 53 and a silicon single crystalline layer 55 are laminated is prepared.例文帳に追加
シリコン単結晶基板51、シリコン酸化層53、シリコン単結晶層55が積層されたSOI基板を準備する。 - 特許庁
Moreover, the display portion is formed using a substrate which is a light-transmitting substrate such as a glass substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加
また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 - 特許庁
To enlarge the area of a substrate with an SOI substrate which has a single crystal semiconductor layer.例文帳に追加
単結晶半導体層を有するSOI構造の基板を大面積化する。 - 特許庁
GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 - 特許庁
ALUMINUM OXIDE EVAPORATED SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE SUBSTRATE例文帳に追加
酸化アルミニウム蒸着サファイヤ単結晶基板及び半導体発光素子用基板 - 特許庁
METHOD FOR FORMING RECYCLED SUBSTRATE AND METHOD FOR RECYCLING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
再利用基板の形成方法及びシリコンカーバイド単結晶基板の再利用方法 - 特許庁
GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
III族窒化物単結晶インゴット、III族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法 - 特許庁
Thin part of a single crystal semiconductor substrate, typically a single crystal silicon substrate, is detached to structure a photoelectric conversion device using a thin single crystal semiconductor layer, which is the detached thin part of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加
単結晶半導体基板、代表的には単結晶シリコン基板を薄板化し、該薄板化された単結晶半導体基板である薄板単結晶半導体層を用いて光電変換装置を構成する。 - 特許庁
To provide a cutting device for a single crystal substrate that can cut a single crystal substrate without generating cracks or chips on the cut plane and does not cause large damage to the single crystal substrate when cutting, and a method for cutting the single crystal substrate.例文帳に追加
切断面に割れや欠けを生じさせること無く単結晶基板を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。 - 特許庁
A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer.例文帳に追加
ヘッドHはSi単結晶基板とSi単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Si単結晶基板がインク室基板200と、Si単結晶層およびストッパ層が振動板300とされている。 - 特許庁
Through the buffer layer, a second single crystal semiconductor substrate is adhered to a first single crystal semiconductor substrate, the second single crystal semiconductor substrate is bonded to the first one, the first single crystal semiconductor substrate is heated to crack the damaged region, and one portion of the first single crystal semiconductor substrate is separated from the first single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加
バッファ層を介して、第2の単結晶半導体基板と第1の単結晶半導体基板を密着させ、第2の単結晶半導体基板と第1の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第1の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第1の単結晶半導体基板の一部を第1の単結晶半導体基板から分離する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystalline substrate which enables easy splitting of a gallium nitride single crystalline layer from a base substrate and production of a large-area substrate.例文帳に追加
基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a single crystal SiC substrate having a substrate surface flattened in a molecular level.例文帳に追加
基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶SiC基板を提供する。 - 特許庁
The back faces of the substrates in the single crystal substrate group 10 are faced with a base substrate 30.例文帳に追加
単結晶基板群10の各々の裏面とベース基板30とが対向させられる。 - 特許庁
The back faces of the substrates in the single crystal substrate group 10 and the base substrate 30 are bonded together.例文帳に追加
単結晶基板群10の各々の裏面とベース基板30とが接合される。 - 特許庁
The single crystal piezoelectric substrate can be a lithium niobate substrate with 64° rotation Y-X propagation.例文帳に追加
単結晶圧電基板は、64°回転Y‐X伝搬ニオブ酸リチウム基板でも良い。 - 特許庁
To provide an array substrate having a single cell gap with the same characteristics as a substrate having a double cell gap.例文帳に追加
単一セルギャップで二重セルギャップと同じ特性を有するアレイ基板を提供する。 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL LAYER CONTAINING SUBSTRATE, SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
単結晶層含有基板、SOI基板、半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁
BORIDE SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE FOR GROWING SEMICONDUCTOR USING THE BORIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING DIAMOND SINGLE CRYSTAL, DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING SINGLE CRYSTAL THIN FILM ON ELECTROMAGNETIC STEEL SUBSTRATE, AND SINGLE-CRYSTAL THIN-FILM DEVICE THEREFOR例文帳に追加
電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法及びその単結晶薄膜装置 - 特許庁
METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF AlN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING AlN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
AlN単結晶の表面平坦化方法およびAlN単結晶基板の作製方法 - 特許庁
A single crystal semiconductor layer which is separated from the single crystal semiconductor substrate is irradiated with a laser beam.例文帳に追加
単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁
A polycrystalline SiC substrate 20 as a carbon feed substrate having a free energy higher than that of a single crystal SiC substrate 15 is arranged opposite to the single crystal SiC substrate 15 as a seed substrate.例文帳に追加
シード基板としての単結晶SiC基板15に対向して、当該単結晶SiC基板15より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶SiC基板20を配置する。 - 特許庁
SINGLE TYPE SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND CLEANING METHOD THEREOF例文帳に追加
枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法 - 特許庁
TRANSFER DEVICE OF SINGLE SUBSTRATE, HOUSING DEVICE AND HAND FOR USE THEREIN, AND SINGLE SUBSTRATE HANDLED BY THE DEVICE例文帳に追加
枚葉基板の移載装置並びにそれに用いる収納装置及びハンド並びにこれらの装置によって取り扱われる枚葉基板 - 特許庁
GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFER PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加
GaAs単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ - 特許庁
Further the SiC substrate is composed of this SiC single crystal.例文帳に追加
さらに、このSiC単結晶からなるSiC基板である。 - 特許庁
The circuit can be integrated on a single aluminum substrate.例文帳に追加
該線形化回路は、単一のアルミナ基板に集積されてもよい。 - 特許庁
A first single-crystal semiconductor layer is disposed over an insulating substrate.例文帳に追加
絶縁基板に第1の単結晶半導体層を配置する。 - 特許庁
The single layer permits a pattern to be formed on a substrate 1.例文帳に追加
該単層は、基板1上にパターンを形成することができる。 - 特許庁
FABRICATION OF TWO DIFFERENT FLAKE PRODUCTS USING SINGLE SUBSTRATE例文帳に追加
単一基板を使用する2つの異なるフレーク製品の製造 - 特許庁
COUNTER ELECTRODE SUBSTRATE IN REFLECTION TYPE SINGLE-PLATE LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加
反射型単板式液晶デバイスにおける対向電極基板 - 特許庁
NONMAGNETIC SINGLE-CRYSTAL FERRITE, SUBSTRATE FOR MAGNETIC HEAD, AND THE MAGNETIC HEAD例文帳に追加
非磁性単結晶フェライト、磁気ヘッド用基板及び磁気ヘッド - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|