「single substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素種結晶の液相生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶、単結晶炭化ケイ素種結晶板の液相エピタキシャル生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶板、単結晶炭化ケイ素種結晶基板の生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶基板 - 特許庁

To provide a compound substrate which consists of a silicon single crystal or a GaAs single crystal and another single crystal with nonlinear optical effect and in which warpage, peeling or crack of the substrate hardly occurs.例文帳に追加

シリコン単結晶またはＧａＡｓ単結晶からなる基板と、非線形光学効果を有する単結晶との複合基板であって、基板の反り、剥離、割れが生じにくい複合基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for cutting a sapphire single crystal by a wire saw suitable at the time of production of a single crystal sapphire substrate wherein a surface warp shape is isotropically a recessed surface, and the single crystal sapphire substrate.例文帳に追加

表面の反り形状が等方的に凹面である単結晶サファイア基板を製造する際に好適なワイヤソーによるサファイア単結晶の切断方法と単結晶サファイア基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing an InP single crystal substrate by which the InP single crystal substrate completely free from dish-draped corrosion holes can be produced without lowering productivity of the InP single crystal.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶の生産性を低下させることなく、皿状腐食孔を完全に無くしたＩｎＰ単結晶基板を製造することができるＩｎＰ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film single crystal material is obtained by hetero- epitaxially growing a single crystal on a substrate of a grain-oriented silicon steel sheet.例文帳に追加

方向性Ｓｉ鋼板基板上に単結晶をヘテロエピタキシャル成長してなる単結晶薄膜材料である。 - 特許庁

After growing the GaN single crystal film 140, ZnO is dissolved to separate the GaN single crystal substrate (g).例文帳に追加

ＧａＮの単結晶膜１４０を成長させた後、ＺｎＯを溶かしてＧａＮ単結晶基板を剥離する（ｇ）。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal substrate for growing a silicon carbide single crystal epitaxial thin film suitably used for producing a device.例文帳に追加

デバイス製造に適した炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板を提供する。 - 特許庁

CRYSTAL GROWING METHOD FOR SINGLE-CRYSTAL GaN, AND SINGLE-CRYSTAL GaN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁

The single crystal aluminum nitride laminated substrate is provided by laminating the single crystal aluminum membrane to the most outer layer via an acid aluminum layer on a single crystal α-Al_2O_3 substrate such as a sapphire substrate, wherein the transition density of the single aluminum nitride is 10^8/cm^2.例文帳に追加

サファイア基板の如き単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が１０^８個／ｃｍ^２以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。 - 特許庁

A passivation film is formed on the single crystal semiconductor strip, thereafter the dummy substrate is divided to form the single-crystal semiconductor strip, the single-crystal semiconductor strip is bonded to a support substrate using an adhesive agent, and then the single-crystal semiconductor strip is separated from the dummy substrate at the isolation layer as a boundary.例文帳に追加

単結晶半導体片上に保護膜を形成した後、ダミー基板を分断して単結晶半導体片を形成し、接着剤を用いて支持基板に単結晶半導体片を接着し、分離層を境としてダミー基板より単結晶半導体片を分離する。 - 特許庁

To attain a single crystal silicon carbide substrate with little defects, such as micro pipe or the like.例文帳に追加

マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。 - 特許庁

A temporary substrate of single crystal which is composed of first semiconductor material is prepared.例文帳に追加

第１の半導体材料からなる単結晶の仮の基板を準備する。 - 特許庁

GaN SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND DECIDING METHOD OF CLEAVAGE QUALITY THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板 - 特許庁

This substrate is a single crystal phosphor having desired luminescent properties.例文帳に追加

この基板は、望ましい発光特性を有する単結晶の燐光体である。 - 特許庁

SUBSTRATE WHOSE SINGLE CRYSTAL SILICON LAYER IS LOCALLY INTEGRATED, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

局部的に単結晶シリコン層が集積された基板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の育成方法及びシリコン半導体基板の製造方法 - 特許庁

An oxide film 2 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-単結晶シリコン基板１上に酸化膜２を選択的に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND CARBON SUSCEPTOR USED THEREFOR例文帳に追加

単結晶炭化シリコン基板の製造方法およびそれに用いるカーボンサセプタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法及び単結晶半導体層の作製方法 - 特許庁

To manufacture a plurality of circuit substrates from a single metal substrate by dicing.例文帳に追加

ダイシングにより１枚の金属基板から多数個の回路基板を製造する。 - 特許庁

The detecting system comprises a plurality of detectors formed on a single silicon substrate.例文帳に追加

検出系は単一のシリコン基板に形成される複数の検出器を含む。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which generates no junctions inside an Si single crystal substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板の内部に接合のない化合物半導体の提供。 - 特許庁

The sensor includes a substrate having an arrangement of electrodes mounted on a single surface thereof.例文帳に追加

このセンサは、電極が一表面上に配置された基板を備えている。 - 特許庁

GROUP III METAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TEMPLATE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族金属窒化物単結晶、その製造方法およびテンプレート基板 - 特許庁

ZrB2 SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

ＺｒＢ２単結晶及びその製造方法並びに半導体薄膜用基板 - 特許庁

The substrate comprises a boride single crystal manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

基板は、前記製造方法によって製造されたホウ化物単結晶からなる。 - 特許庁

To obtain a high-quality semiconductor crystal (single crystal) independent of a substrate.例文帳に追加

下地基板から独立した高品質な半導体結晶（単結晶）を得る。 - 特許庁

ELECTRON SOURCE SUBSTRATE WITH RESISTANCE VALUE MONITORING SINGLE ELEMENT ADDED METHOD AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

抵抗値モニター用単素子を付加した電子源基板および画像形成装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride(GaN)-based single crystal substrate.例文帳に追加

本発明は窒化ガリウム（ＧａＮ）系の単結晶基板の製造方法に関する。 - 特許庁

STRETCHING AND IMMOBILIZING SUBSTRATE FOR SINGLE-STRANDED NUCLEOTIDE MULTIMER, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

一本鎖ヌクレオチド多量体の伸張固定化基板およびその製造方法 - 特許庁

A plurality of light emitting parts 12a, 13a are first formed on a single substrate 21, and the substrate is mounted on a submount 11.例文帳に追加

まず、単一の基板２１上に複数の発光部１２ａ・１３ａを形成し、サブマウント１１に搭載する。 - 特許庁

To achieve connection of a terminal board of a resistor with an electrode of a substrate and attachment of the resistor to the substrate by single finger motion.例文帳に追加

抵抗器の端子板と基板の電極との接続、抵抗器の基板への取付けをワンタッチでする。 - 特許庁

The single crystal is sliced in a disk, and its surface is polished into the substrate and used as the substrate for forming the semiconductor thin film.例文帳に追加

単結晶は、板状に切り出して、表面研磨し、半導体薄膜形成用基板として利用される。 - 特許庁

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板２は、ＧａＮ単結晶からなり、基板２の主面は、無極性面であるｍ面で構成されている。 - 特許庁

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板２は、ＧａＮの単結晶からなり、基板２の主面は、無極性面であるｍ面で構成されている。 - 特許庁

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a base material for growing a single crystal diamond and a method for producing a single crystal diamond substrate, by which single crystal diamond having a large area and good crystallinity is grown and a high quality single crystal diamond substrate is produced at a low cost.例文帳に追加

大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base material for growing a single crystal diamond and a method for manufacturing a single crystal diamond substrate attaining the growth of a single crystal diamond with a large area and good crystallinity and the low-cost manufacture of the single crystal diamond substrate of high quality.例文帳に追加

大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating ferromagnetic semiconductor grows to a single crystal on a substrate such as a GaAs single crystal substrate, a sapphire single crystal substrate, a glass substrate or the like having the same crystal structure with the semiconductor mother phase of groups II-VI and a lattice constant nearly equal to that of the semiconductor of groups II-VI.例文帳に追加

本発明の半導体を、II−VI族半導体母相と同じ結晶構造を有し、かつ格子定数の相違が小さなもの、例えば、ＧａＡｓ単結晶基板、サファイア単結晶基板、ガラス基板などを使用すると、本発明の絶縁性強磁性半導体は単結晶となる。 - 特許庁

In forming the rubrene-based compound single crystal film on a substrate, the substrate is kept at 150°C or above and a rubrene-based compound gas is supplied onto the substrate to grow a single crystal of the rubrene-based compound on the substrate to obtain the single crystal film.例文帳に追加

ルブレン系化合物単結晶膜を基板上に形成する際に、前記基板を１５０℃以上に保持すると共にこの基板上に前記ルブレン系化合物の気体を供給することにより当該基板上にルブレン系化合物の単結晶を成長させて単結晶膜を得る。 - 特許庁

To provide a high-quality single crystal body and a single crystal substrate having little dislocations and impurities by temperature changes, and to provide a production method of a single crystal body for growing a single crystal body.例文帳に追加

温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate, where a single crystal semiconductor layer is fixed onto a support substrate having low heat resistance, such as a glass substrate, via a buffer layer.例文帳に追加

ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

The second substrate 200A is formed by using an SOI substrate consisting of a silicon substrate 250, a silicon oxidized layer 225 and a silicon single crystal layer 260.例文帳に追加

第２基板２００Ａは、シリコン基板２５０、シリコン酸化層２２５、シリコン単結晶層２６０からなるＳＯＩ基板を用いて形成される。 - 特許庁

This substrate for hybridization has, on a substrate surface, dendritic nucleic acid chains including; a main chain nucleic acid partly immobilized on the substrate surface and partly single-stranded; and a single-stranded nucleic acid for a probe partly hybridized with a part of the single strand.例文帳に追加

一部が基板表面に固定されており、一部が一本鎖である主幹鎖核酸、及び一本鎖の一部に部分的にハイブリダイズしているプローブ用一本鎖核酸を含む樹状核酸鎖を基板表面に有するハイブリダイゼーション用基板。 - 特許庁

Then, after the second single-crystal silicon substrate 1 is laminated on a first single-crystal silicon substrate 7, at least a layer region, which is in contact with the etching stopper layer 6' in the second single-crystal silicon substrate 1, is selectively etched based on the difference in the oxygen concentration.例文帳に追加

そして、第二シリコン単結晶基板１を第一シリコン単結晶基板７に貼り合わせた後、第二シリコン単結晶基板１の少なくともエッチストップ層６’と接する層領域を酸素濃度差に基づいて選択エッチングする。 - 特許庁