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thin structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3658件
There are provided an active energy ray-curable coating composition for undercoat of metallic thin film formed on a metallic substrate, which active energy ray-curable coating composition comprises a coating film forming component containing ≥30 mass% urethane(meth)acrylate polymer having a dicyclopentanyl and/or dicyclopentenyl structure, and composite coating films having base coat layer obtained from the active energy ray-curable coating composition.例文帳に追加
金属基材上に形成される金属薄膜の下塗り用の活性エネルギー線硬化型塗料組成物であって、ジシクロペンタニルおよび／またはジシクロペンテニル構造を有するウレタン（メタ）アクリレート重合体を３０質量％以上含む塗膜形成成分を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型塗料組成物、および該活性エネルギー線硬化型塗料組成物より得られるベースコート層を備えた複合塗膜。 - 特許庁
In the material designing device 100 for a thin film stock produced by continuous casting, a solidified structure obtained by a small-scale test by a casting apparatus 210 for a test is arranged by local temperature history obtained by performing casting simulation obtained by simulating the small-scale test, thus the specification of a large-scale continuous casting apparatus 220 for mass production capable of reproducing the same local temperature history is decided by casting simulation.例文帳に追加
連続鋳造によって製造される薄膜素材の材料設計装置１００において、試験用鋳造装置２１０による小規模試験で得られた凝固組織を、この小規模試験を模擬した鋳造シミュレーションを実施して得られた局所温度履歴で整理することによって、同一の局所温度履歴を再現し得る大規模な量産用連続鋳造装置２２０の仕様を、鋳造シミュレーションによって決定する。 - 特許庁
The perpendicular magnetic recording medium includes a magnetic recording layer 22 with a granular structure in which a grain boundary portion made of a nonmagnetic substance is formed between grains containing cobalt (Co) and grown in a columnar shape and the continuous layer 24 constituted by a thin film magnetically continuous in a surface direction.例文帳に追加
コバルト（Ｃｏ）を含有し柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層２２と、面方向に磁気的に連続した薄膜からなる連続層２４とを備える垂直磁気記録媒体において、連続層２４はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有する複数の層２４ａ、２４ｂを含み、複数の層のうち、磁気記録層に近い層２４ａほどクロム含量が大きいことを特徴とする。 - 特許庁
A voltage is applied to the conductive structure in order to electrically control the electrode body, and a selective change in electric characteristic occurring when the target substance is adsorbed to the surface of the substance adsorbing thin-film layer, is measured, thereby detecting the target substance.例文帳に追加
保護配位子を有するプルシアンブルー型金属錯体超微粒子を含有させた分散液により形成した物質吸着薄膜層を、導電性構造体に設けたセンサ用電極体であって、前記導電性構造体に電圧を印加して前記電極体を電気的に制御し、前記物質吸着薄膜層の表面に目的物質が吸着したときの選択的な電気特性変化を測定することにより、その目的物質を検知しうるセンサ用電極体。 - 特許庁
In the organic thin-film transistor, a unimolecular film is formed on the surface of each of the substrate and the source and the drain electrodes; the end of the unimolecular film bonded to the surface of the substrate and the ends of the unimolecular films, bonded to the surface of the source and drain electrodes, have the same chemical structure.例文帳に追加
ゲート電極及び絶縁膜を備えた基板上に、ソース電極及びドレイン電極が形成され、その上に有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタであって、該基板、該ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの表面に単分子膜が形成され、かつ該基板上に結合した単分子膜の末端と、該ソース電極及びドレイン電極の表面に結合した単分子膜の末端とが同一の化学構造を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁
A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加
本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The cited invention 1 provides the device for attaching transformers, in which it becomes thinner by devising a method of attaching terminal pins. Applying the structure of the cited invention 2 to the terminal pins in the cited invention 1 is an idea that contradicts the purpose of the thin device even by deliberately providing by-bass ports for devising a method of attaching terminal pins. Accordingly, the claimed invention is not considered to be an art which a person skilled in the art could easily conceive, although both inventions provide the same aspect that the members are attachable on plane surfaces. 例文帳に追加
引用発明1は、ターミナルピンの設け方を工夫することにより薄型化を図る事を目的とするトランスの取り付け装置であるが、引用発明1のターミナルピンに引用発明2の構成を適用すると、折角逃がし穴まで設けた上で設け方を工夫して薄型化を図ったターミナルピンを考案の目的に反する方向に変更することになるから、両者が平面取り付け可能という点で共通することを考慮しても、当業者が容易に想到することができたものとは認められない。 - 特許庁
The semiconductor integrated device has such a layout structure of wiring that becomes SL1≤SL2<SL3 when the minimum wiring interval is SL1 at the portion where both adjacent wiring have thin widths, the minimum wiring interval is SL2 at the portion where adjacent wiring has the same potential, and the minimum wiring interval is SL3 at the portion where adjacent wiring have different widths and different potentials.例文帳に追加
半導体集積装置は、互いに隣接する配線の双方が細幅配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ１とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が同電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ２とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が異電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ３とするときに、ＳＬ１≦ＳＬ２＜ＳＬ３となるような配線のレイアウト構造を有する。 - 特許庁
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