「tunnel magnetoresistance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE FILM, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE FILM例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果膜の製造方法及びトンネル磁気抵抗効果膜 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

METHOD FOR TESTING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法。 - 特許庁

FERROMAGNETIC DOUBLE QUANTUM WELL TUNNEL MAGNETORESISTANCE DEVICE例文帳に追加

強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイス - 特許庁

METHOD FOR PROCESSING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子の加工方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子及び磁気ヘッド - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果膜の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - 特許庁

INSPECTION METHOD AND EQUIPMENT OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置 - 特許庁

TUNNEL PHASE TRANSFORM MAGNETORESISTANCE (TPMR) ELEMENT, FORM OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE (TMR) ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）素子およびトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子の形態およびその製造方法 - 特許庁

The oxide 14 becomes a a magnetoresistance tunnel junction element, wherein a magnetoresistance tunnel effect is obtained through the (L-O)2 layer in the crystal structure.例文帳に追加

この酸化物は、結晶構造内の(Ｌ−Ｏ)_2層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびにトンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING RUTHENIUM FILM AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT MULTILAYER FILM例文帳に追加

Ｒｕ膜形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD THEREOF例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁

DESIGN METHOD OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC CONVERTER例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の設計方法および磁気変換器 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリー - 特許庁

METHOD OF MEASURING THIN-FILM RESISTANCE, AND METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

薄膜抵抗測定方法およびトンネル磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURE OF THE HEAD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及び該ヘッドの製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND THE PRODUCTION METHOD OF IT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

SPIN TUNNEL TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 - 特許庁

METHOD OF USING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SENSOR DEVICE HAVING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC DISK DRIVE DEVICE HAVING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT READ-OUT HEAD ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の使用方法、トンネル磁気抵抗効果素子を有するセンサ装置及びトンネル磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有する磁気ディスクドライブ装置 - 特許庁

SPIN TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM AND ELEMENT, AND MAGNETORESISTANCE SENSOR USING THE SAME, AND MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a tunnel magnetoresistance film can obtain a desired MR ratio even when the thickness of a tunnel barrier layer is reduced, to provide the tunnel magnetoresistance film, and to provide a magnetic head and a magnetic storage device using the same.例文帳に追加

トンネルバリア層の厚さを薄くした場合であっても、所要のMR比が得られるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法、トンネル磁気抵抗効果膜、及びこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell comprises a spin-torque magnetization reversal layer and a tunnel magnetoresistance effect film on a C-MOSFET.例文帳に追加

C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a high sensitive magnetoresistance tunnel junction element which uses a composite manganese oxide.例文帳に追加

複合マンガン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC FIELD DETECTING DEVICE, ITS PRODUCTION AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子及びその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a lower layer, a tunnel barrier layer 8 and an upper layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。 - 特許庁

The electric resistance of the tunnel junction magnetoresistance effect (TMR) element as a whole is reduced.例文帳に追加

トンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子全体の電気抵抗値は低減される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element capable of improving an MR ratio in a tunnel magnetoresistive (TMR) element and decreasing variation in resistance.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子におけるＭＲ比の向上、抵抗のバラツキの抑制を図る。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁

A plurality of tunnel magnetoresistance elements TMRs integrated and disposed in a matrix shape.例文帳に追加

行列状に集積配置された複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲが設けられる。 - 特許庁

The source lines SL is provided corresponding to each row of the two tunnel magnetoresistance elements TMRs.例文帳に追加

ソース線ＳＬは、２つのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行ずつに対応して設けられる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子の製造方法及び不揮発性記憶装置の製造方法 - 特許庁

The magnetometric sensor is provided with a thin filmlike magnetic tunnel effect element (magnetoresistance effect element) 11.例文帳に追加

磁気センサは、薄膜状の磁気トンネル効果素子（磁気抵抗効果素子）１１を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of magnetoresistance effect devices, for preventing short-circuiting in a spin-tunnel magnetoresistance effect film and deterioration in magnetization characteristics, and for obtaining superior magnetoresistance ratio, even if it is subjected to heat treatment.例文帳に追加

加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element that uses a Heusler alloy with a crystal structure having high-level regularity, whose Tunnel Magneto Resistive (TMR) ratio is high.例文帳に追加

規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁