例文 (7件) |
word of the minuteの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Koho Genmyo, who lived in the Yuan Dynasty Period, expressed its character by a word of 'minute.' 例文帳に追加
元の高峰原妙は、その特色を、「細密」という言葉で表現している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The patterns of the spellings with a probability for causing calling being similar to that of the word to be retrieved are respectively displayed in accordance with the correct spelling of the word to be retrieved and minute information of the word with the correct spelling.例文帳に追加
また、検索しようとする単語に類似する称呼を生じる可能性のある複数のパターンの綴りが、前記検索しようとする単語の正しい綴りおよび正しい綴りの単語の詳細情報とそれぞれ対応させて表示されている。 - 特許庁
When either of a pair of dummy word lines DWL0, DWL1 arranged in a memory cell array is selected, minute potential difference is generated between bit lines BLZ and BLX by capacitive coupling between the dummy word lines DWL0, DWL1 and the bit lines BLZ, BLX.例文帳に追加
メモリセルアレイ内に配設されている一対のダミーワード線DWL0,DWL1のいずれかを選択すると、ダミーワード線DWL0,DWL1とビット線BLZ,BLXとの間の容量結合によりビット線BLZ,BLX間に微少電位差が生成される。 - 特許庁
Thereby, the time from activation of a word line by a signal WLT to the activation of a sense amplifier can be set longer than normal, and minute leakage of bit line can be detected.例文帳に追加
信号WLTによるワード線の活性化からセンスアンプ活性化までの時間を通常よりも長くすることができ、ビット線の微小リークを検出することができる。 - 特許庁
At the time of data read-out operation, a word line WL and a column selection signal Y of Vcc voltage are simultaneously activated, minute potential difference is caused in the pair of bit lines, voltage of 1/2 Vcc-Vin is applied to gates of respective N type transistors 63, 64 through respective N type transistors 61, 62 of a reading/writing circuit 6.例文帳に追加
データ読み出し動作時、ワード線WL及び、Vcc電圧のコラム選択信号Yが同時に活性化され、前記ビット線対には微小電位差が生じ、読み/書き回路6の各N型トランジスタ61、62を通じて各N型トランジスタ63、64のゲートには1/2・Vcc−Vtnの電圧が印可される。 - 特許庁
As a result, when the read word line rdword 0 becomes to be at the high level, since only a minute coupling voltage is generated on the write word line wrword 0 and the voltage is equal to or smaller than the threshold voltage of a transfer gate 1 for writing memory cells, this transfer gate is never turned ON and the erroneous write is not generated.例文帳に追加
このため、読み出しワード線rdword0がハイレベルになった時、書き込みワード線wdword0には微小なカップリング電圧しか発生せず、メモリセルの書き込み用のトランスファーゲート1の閾値電圧以下なので、このトランスファーゲートがオンすることがなく、誤書き込みが生じない。 - 特許庁
例文 (7件) |
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