「Chemical Processing」を含む例文一覧(726)

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  • To provide a surface roughening agent for copper-containing material performable of chemical processing having sufficient adhesiveness with a coating material, such as a resist, while maintaining an excellent external appearance, in particular, metallic luster of the copper-containing material, and a method for surface-roughening the copper-containing material.
    本発明は、銅含有材料の良好な外観、特に金属光沢を維持し、レジスト等の被覆材料との充分な密着性を有する化学処理を行うことができる銅含有材料粗面化剤及び銅含有材料の粗面化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • Continuously, the metal wiring film 6 on the recessed part 3 is shaved chemically and physically by performing CMP(chemical-mechanical polishing) process, and when the surface of the metal wiring film 6 is almost flush with the surface of the exterior part of the recessed part 3 of an insulation film 2 as shown in figure (i), the CMP processing is finished.
    つづいて、ＣＭＰ処理が行われることにより、凹部３上の金属配線膜６が化学的および物理的に削られていき、図１(i) に示すように、金属配線膜６の表面と絶縁膜２の凹部３外の表面とがほぼ面一になると、このＣＭＰ処理が終了される。 - 特許庁
  • A plurality of microchips 1 to 3, each of which is constituted of a chemical reaction part 4, a measuring part 5 equipped with a cell 13, a light source 14 and a detector 15 and a signal processing part 5 used to perform a concentration computing operation, a sensitivity correction and the like as units are piled up in the vertical directions so as to be freely separable.
    化学反応部４、セル１３と光源１４と検出器１５を備えた測定部５、濃度演算や感度補正等を行う信号処理部６をそれぞれユニット構成した複数のマイクロチップ１〜３を上下方向に分離自在に重ね合わせている。 - 特許庁
  • When a decision is made that the concentration of chemical contaminants measured by a contaminant concentration sensor 17 is not higher than a specified level, a controller 21 supplies clean air taken in from a clean room 10 to both a wafer processing chamber 11 and a clean air storage tank 19.
    制御装置２１は、汚染物質濃度センサ１７が測定した化学汚染物質の濃度が所定値以下であると判定すると、クリーンルーム１０から取り込んだ清浄な空気をウェハ処理室１１及び清浄空気貯留タンク１９の両方に供給する。 - 特許庁
  • To obtain a polishing composition for use in CMP (chemical mechanical polishing) processing for semiconductor devices each having copper film and a tantalum compound, having such high selectivity that the polishing rate of copper is high but that of the tantalum compound is low, and also affording high smoothness of the surface of the copper film.
    銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a pipeline mechanism that has a refittable structure and ease of fitting, can maintain high airtightness, and has a small amount of flow obstacle, for use in fluid industry, such as liquid transport semiconductor manufacture, medical/drug manufacture, food processing, and chemical industry.
    液体移送の半導体製造や医療・医薬品製造、食品加工、化学工業等の流体産業界では管路機構とは、再装着が可能の構造と装着の容易性を具備した管路機構で、かつ高気密性も維持可能なの流量障害が少ない管路機構が求められる。 - 特許庁
  • To provide an etching device that can select a small number of representative wavelengths from waveforms of many wavelengths without setting information on substances and chemical reactions, and reduces analyses of etching data requiring large man-hours to efficiently set monitoring/supervising of etching processing.
    物質や化学反応の情報を設定すること無しに、多くの波長における波形から、代表的な少数の波長を選定することができ、大きな工数のかかるエッチングデータの解析を削減して、効率的にエッチングのモニタ・監視の設定を行うことができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁
  • An armouring material for a secondary battery is composed of a body 11 of metal foil, a film 12 processed with chromium chemical formation formed by the chromate processing at least on one surface of the metal foil body 11, and a heat seal layer 9 consisting of an acid denatured polyolefin film provided on the side with the chromate film 12.
    この二次電池用外装材料は、金属箔本体１１と、金属箔本体１１の少なくとも片面にクロメート処理により形成されたクロム化成処理皮膜１２と、クロム化成処理皮膜１２側に酸変成ポリオレフィンフィルムよりなる熱封緘層９が設けられている。 - 特許庁
  • Further, if the surface of the sapphire substrate is terminated with a desired functional group by processing the sapphire substrate in a solution including a surface termination group, it causes a difference between the densities of the surface termination group in the two regions, thereby enabling domain patterns having different chemical properties to be pattern-formed in a self-organizing manner.
    さらに、表面終端基を含む溶液中で処理することによって所望の官能基で表面を終端すると、これら２つの領域における表面終端基密度に差が生じ、化学的性質の異なるドメインパターンが自己組織化的にパターン形成される。 - 特許庁
  • In a device for performing a chemical vapor deposition on a substrate 18 placed in a processing chamber by supplying a processing gas to the substrate 18 from a shower head electrode 20 and by generating a plasma trenches 74 having a large aspect ratio are made on the insulating surface 72 of the outside surface of an insulating member 70 supporting the shower head electrode 20.
    処理室１０内に配置された基体１８に対し、絶縁状態で配置されたシャワーヘッド電極２０から処理ガスを分散供給して発生したプラズマによる化学蒸着処理によって基体１８を蒸着する装置において、本発明はシャワーヘッド電極２０を支持する絶縁部材７０の外面である絶縁面７２に高いアスペクト比を有する溝のような造作７４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁
  • The process basically includes a step for supporting a predetermined quantity of metallic seals at non-sealing surface locations with the metallic seals disposed in series on a conveyor having a predetermined processing path, and a step for continuously moving the seals in series through an electro-plating stage of the processing path to electro-deposit a metallic coating on the seals using a high current density and a high chemical flow rate.
    本発明のめっき方法は、基本的に、所定数の金属シールを非シール表面位置で、金属シールが所定のプロセス経路を有するコンベアに直列に配置された状態で、支持するステップと、直列のシールを、高電流密度および高化学的フローレートを用いて金属コーティングをシール上に電着するプロセス経路の電気めっきステージを通して、連続的に移動させるステップと、を含む。 - 特許庁
  • This system is configured by integrating a chemical substance discharge load quantity estimation model, a flow rate estimation model and an inter-medium movement model, and narrowing down data to be inputted by a user for carrying estimation processing for estimating disclosure concentration with a small data input without requiring any complicate data input.
    化学物質排出負荷量推計モデル、流量推定モデル、媒体間移動モデルを統合して、ユーザが入力すべきデータを絞り込むことにより、煩雑なデータ入力を要することなく、少ないデータ入力により暴露濃度を推計する推計処理を行うことができるようなシステムを構成する。 - 特許庁
  • To provide a radiation image information reading method and device which is capable of automatically detecting the degree of the chemical deterioration of stimulus phosphors in a stimulus phosphor sheet during reading of radiation image information and adequately reading image information in accordance with the result thereof or subjecting the sheet to adequate processing.
    放射線画像情報の読取時に蓄積性蛍光体シート中の輝尽性蛍光体の化学的劣化の程度を自動的に検出し、更にはその結果に基づいて画像情報を好適に読み取り、あるいはシートに適切な処理を施すことができる放射線画像情報読取方法および装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a structurally simple and inexpensive knockdown tent, for easily removing a covering sheet from a structural rib assembly, easily forming even an airtight structure to the surrounding atmosphere and the ground surface, and easily forming airtightness required for curing processing by a freshness holding chemical.
    本発明は構造骨組立体から覆いシートを容易に取り外しでき、且つ周囲の大気並びに地面に対する気密構造も容易に形成できる、鮮度保持薬剤等による養生処理に求められる気密性を容易に形成できる、構造簡素にして安価な組立形テントを提供するものである。 - 特許庁
  • Then particle size information and/or turbidity information of the particles in the fluid to be measured are acquired from the scattered light intensity data, thereby monitoring the effect of the additive chemical in the pressure flotation operation or the coagulating sedimentation operation of the white water recovering process, and controlling the amount of injection from a result of above information processing.
    この散乱光強度データに基づき被測定流体中の粒子の粒径情報及び／又は濁度情報を求め、この結果に基づいて、白水回収工程の加圧浮上処理又は凝集沈殿処理において添加される薬剤の効果を監視すると共に、注入量を抑制する。 - 特許庁
  • To provide a parallel distributed processing method for speeding up theoretical calculation in quantum chemical calculation by introduction of approximation in energy electric field differentiation for polarizability of industrially valuable molecular group or the like, reducing the maximum storage capacity, and performing estimation with a high degree of precision, and a calculation system thereof.
    工業的価値のある分子集団の分極率などのエネルギー電場微分について、量子化学計算による理論計算において近似を導入して高速化し、かつ最大記憶容量も削減して高精度に推定するという課題を解決するための並列分散処理法及びその計算システムを提供すること。 - 特許庁
  • A chemical reaction is caused by adding, as an electrode catalyst, at least one kind selected from a group including metal copper, metal iron, copper sulfide, iron sulfide or cerium sulfide, and by performing a ball mill processing of a mixture with acetylene black added as an electrically conductive agent to make a complex positive electrode mix.
    電極触媒として、金属銅、金属鉄、硫化銅、硫化鉄、または硫化セリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種を添加し、さらに導電剤としてアセチレンブラックを加えた混合物をボールミル処理することにより、化学反応を起こさせしめ、複合化させた正極合剤とする。 - 特許庁
  • By subjecting a mother substrate 6 to a chemical strengthening treatment, a compression stress layer of 15 to 50 μm in thickness is formed on the surface; after a desired processing tretament is carried out on at least one surface of the mother substrate 6, the mther substrate 6 is cut along imaginary lines 10 into individual glass substrates 1.
    マザー基板６に化学強化処理を施すことにより、表面に１５〜５０μｍの厚さの圧縮応力層を形成し、前記マザー基板６の少なくとも一方の面に所望の加工処理を行った後、前記マザー基板６を仮想の切断線１０に沿って個片のガラス基板１に切断することを特徴とする。 - 特許庁
  • The discharging method enables to processes rapidly the nonconductive work piece through discharge operations triggered under a strong voltage at gaseous insulating layer which is provided jointly by a mainly activated added gas and a chemical reaction generated between the positive electrode and the negative electrode, particularly to perform precise processing operation.
    その加工法は、主動加入した気体と陽極と陰極の発生する化学反応が共同で提供する気体絶縁層により、強大な電圧下でトリガする放電作用により、不良導電性工作物に対して速やかな加工を行い、特に精密な加工作業を行えるようにする。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.
    半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A processing part 13 checks whether a question and answer pattern which is included in the inquiry from the user is stored in the question and answer data base 11 and when it is stored, extracts the risk information corresponding to the question and answer pattern from the chemical material risk information data base 12 and transmits it to the terminal 2 of the user.
    処理部１３はユーザからの問い合わせに含まれる質問回答パターンが質問回答データベース１１に格納されているかどうか調べ、格納されていれば化学物質リスク情報データベース１２から当該質問回答パターンに対応するリスク情報を抽出し、ユーザの端末２に送信する。 - 特許庁
  • To provide a composite seal material employed for a water supply apparatus, a food-processing apparatus, a pharmaceutical manufacturing apparatus or the like, which secures high heat resistance and chemical resistance, shows no possibility of aromatization, needs not to make tightening surface pressure so high, and enables repeated uses after fastening is made once.
    水道機器、食品加工装置、医薬品製造装置などに使用される複合シール材であって、耐熱性、耐薬品性に富み、また、着香する虞もなく、さらには、締め付け面圧もそれほど高くしなくて良く、しかも、一度締め付けを行ったのちの繰り返しの使用が可能な複合シール材を提供する。 - 特許庁
  • To provide an antireflection film with high chemical resistance, in which crosslinking of an interface adjacent to a high refractive index layer (especially, crosslinking of an interface between the adjacent low-refractive index layer and the high refractive index layer) is enhanced, physical strength such as contactness, abrasion resistance is raised and further more, the physical strength is not impaired, even when saponification processing is performed.
    高屈折率層と隣接する界面の架橋（特に隣接する低屈折率層と高屈折率層の界面の架橋）を強化し、密着性、耐擦傷性などの物理強度を向上し、さらに鹸化処理を行ってもその物理強度が損なわれない高い耐薬品性を有する反射防止フィルムを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a monitoring method and reaction control method for rapidly detecting a decomposition product and obtaining the degree of the progression of the decomposition reaction so as to enable efficient decomposition/detoxification processing, when organic chlorine compound such as mustard as medicament for chemical weapon, lewisite, or chloroacetophenone is decomposed and detoxified.
    化学兵器用薬剤であるマスタード、ルイサイト、クロロアセトフェノンなどの有機塩素化合物を分解して無害化する際に、効率的な分解・無害化処理が可能となるように、分解生成物を迅速に検出して分解反応の進行の程度を把握するためのモニター方法と反応制御方法を提供することである。 - 特許庁
  • Disclosed is the method for manufacturing the field-effect semiconductor device which includes a stage of changing the physical or chemical state of the carbon nanotubes by performing plasma processing for the carbon nanotubes when the field-effect semiconductor such as a field-effect transistor 6 using carbon nanotubes for the channel layer 5 is manufactured.
    カーボンナノチューブをチャネル層５に用いた電界効果トランジスタ６等の電界効果半導体装置を製造するに際し、前記カーボンナノチューブに対してプラズマ処理を行うことによって前記カーボンナノチューブの物理的又は化学的状態を変化させる工程を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 特許庁
  • To provide a film forming method capable of embedding even a fine recessed section with a high step coverage by forming a Mn containing thin film, a CuMn containing alloy thin film, or the like by heat treatment such as CVD (Chemical Vapor Deposition) and greatly reducing the cost of a device by performing continuous processing with one and the same processor.
    Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁
  • In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers.
    エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁
  • To improve adhesion between polyimide and a conductive layer without chemical modification to a surface layer by enhancing deposition accuracy of a conductive layer to a via hole and performingalkaline solution processing such as hydrazine or glow discharge without electroless copper plating, in a method of forming a multilayer printed wiring board using a two-layer printed wiring board.
    ２層配線基板を用いた多層配線基板の形成方法において、ビアホールへの導通層の析出信頼性を高くし、無電解銅めっきを用いず、グロー放電処理、ヒドラジン等のアルカリ溶液処理、により表面層を化学的に改質させなくてもポリイミドと導通層との密着力を良好にすること。 - 特許庁
  • To provide an electrolytic processing apparatus where an electrically conductive material provided on the surface of a substrate can be flatly processed, and further, depositions deposited on the surface of the object to be processed such as a substrate can be subjected to removing (washing) while, e.g., obviating CMP (Chemical Mechanical Polishing) or reducing the load in the CMP treatment as possible.
    例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板等の被加工物の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにした電解加工装置を提供する。 - 特許庁
  • (8) The term "reprocessing" as used in this Act means the chemical processing of nuclear fuel material which has been spent as fuel in a reactor or other nuclear fuel which has been subject to nuclear fission reaction (hereinafter referred to as "spent fuel") in order to separate nuclear fuel material or other useful material from spent fuel.
    ８　この法律において「再処理」とは、原子炉に燃料として使用した核燃料物質その他原子核分裂をさせた核燃料物質（以下「使用済燃料」という。）から核燃料物質その他の有用物質を分離するために、使用済燃料を化学的方法により処理することをいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The method for processing the substrate includes a step of forming an interlayer 4 between a chemical amplification type resist film 3 and an antistatic film 5, a step of exposing a desired pattern to a substrate specimen 1; a step of performing a thermal process to the substrate specimen 1 after the exposure; and a step of performing a development process to the substrate specimen 1 after the heat treatment.
    化学増幅型のレジスト膜３と帯電防止膜５との間に中間膜４を形成する工程と、基板試料１に所望のパターンを露光する工程と、露光後の基板試料１に対し加熱処理を施す工程と、加熱処理の後に基板試料１に現像処理を施す工程とを有する。 - 特許庁
  • This apparatus for preparing the processing liquid for the electronic parts including a stage for feeding and mixing ≥2 chemicals within a mixing tank includes an ion exchange resin or ion exchange resin packed with chelate resin or chelate resins treating column in a feeding process for at least one chemical.
    混合槽内に二以上の薬品を投入し混合する工程を含む電子部品用処理液の製造装置であって、少なくとも一の薬品の投入過程においてイオン交換樹脂又はキレート樹脂が充填されたイオン交換樹脂又はキレート樹脂処理塔が含まれている電子部品用処理液の製造装置。 - 特許庁
  • To restrain generation of harmful hexavalent chromium and dioxin by controlling the combustion condition of fuel and the scavenging conditions of flying ash without adding a processing chemical to the ash discharged from a combustion device and the flying ash in the combustion device using organic material containing chromium as fuel.
    クロムを含有する有機物を燃料とする燃焼装置において、燃焼装置から排出される灰や飛灰に処理用薬剤を添加することなしに、燃料の燃焼条件や飛灰の捕集条件を制御することにより、有害な６価クロムやダイオキシン等が生成されるのを仰制する。 - 特許庁
  • To provide a method and a system for manufacturing a semiconductor device with guaranteed reliability, by preventing corrosion of Cu wiring caused by processing the Cu wiring by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, and suppressing an increase in a wiring resistance in the semiconductor device having a damascene wiring structure.
    ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 - 特許庁
  • In addition, in order to promote silylating and improve processing efficiency, a quasi-catalyst surface acted as both of an activator making chemical species a high energy state or a high activate state and a scrubber removing the by- product of the possibility and reaction of catalyst breakage produced in silylating reaction is designed to be included.
    また、シリル化を促進し、処理効率を向上させるために、化学種を高エネルギー状態または活性の高い状態にする「活性化体」および、シリル化反応で発生する触媒破壊の可能性や反応性の副産物を除去する「スクラバ」の両方として作用する準触媒表面を含むよう設計される。 - 特許庁
  • To simplify the processes of discharging, conveying and processing a melt and reduce cost as well by solidifying a high-temperature melt produced by a furnace such as a blast furnace, a revolving furnace, an electric furnace, a rotary kiln refuse melting furnace, and a melting furnace for industrial waste or changing the chemical/physical properties thereof.
    高炉・転炉・電気炉・ロータリーキルンごみ溶融炉あるいは産業廃棄物の溶融炉等の炉から生成された高温溶融物を固形化する、あるいは化学性状・物理性状を変化させることにより、溶融物の搬出・搬送・加工処理の工程を簡略化し、同時にコスト削減を図る。 - 特許庁
  • According to this figure, the fields in which the ratio of the value of shipments by SMEs to the overall value of shipments is highest in research samples and reagents, research and manufacturing equipment, services, data processing, livestock, and aquaculture-related, while fields in which the ratio of the value of shipments by SMEs is low are chemical products, agriculture and bioelectronics.
    これによると、製品の出荷額に占める中小企業の出荷額の比率が高い分野は、研究試料・試薬、研究・生産設備、サービス、情報処理、畜産・水産関連となっている一方、中小企業の出荷額の比率が低い分野は、化成品、農業関連、バイオエレクトロニクスとなっている。 - 経済産業省
  • In fields where products are produced in mass quantities for industry and the consumer, such as chemical products, although the SME ratio is low in the field itself, they can be considered as active in the support areas of research samples and reagents and data processing, which back up research and development activities in the biotechnology industry.
    化成品など、産業向けや消費者向けの製品を大量に生産する分野では、中小企業の比率が低いものの、バイオ産業における研究開発活動をサポートするような、研究試料・試薬や情報処理といった分野では、中小企業が活躍していると考えられる。 - 経済産業省
  • According to Fig. 3-1-8, the number of enterprises belonging to a group in order from greatest to least are manufacture of electrical machinery, equipment and supplies (25,192 enterprises), manufacture of transportation equipment (23,323 enterprises),manufacture of general machinery (21,144 enterprises),manufacture of information and communication electronics equipment (13,026 enterprises)-i.e., a series of processing and assembly industry groups-followed by the manufacture of chemical and allied products group (12,283 enterprises).
    第3-1-8図からグループに属する企業数を見ると、多い順に、電気機械器具製造業（25,192社）、輸送用機械器具製造業（23,323社）、一般機械器具製造業（21,144社）、情報通信機械器具製造業（13,026社）と加工・組立型業種グループが続き、ついで化学工業グループ（12,283社）となっている。 - 経済産業省
  • To provide a bundle for refilling of processing chemicals which degenerates rarely, is stable and easy to handle, can easily be emptied (perforated), ensures good stabilities of chemical concentrates contained therein and replenisher solutions prepared therefrom, and can achieve good image quality, particularly low minimum density and high maximum density in processing of photographic materials.
    増加した能力を可能にする、すなわちごくまれにしか変化せず、安定であり且つ取り扱いが容易であり、容易に空にする（穿孔する）ことができ、内部に含有される化学濃縮物およびそこから製造される補充剤溶液の良好な安定性を確実にし、そして写真材料の処理において良好な像品質、特に低い最小濃度および高い最大濃度を可能にする処理化学物質を再充填するためのバンドルを提供すること。 - 特許庁
  • To provide an apparatus for forming a fiber lump fleece composed of cotton, chemical fiber, etc., for the processing of a fiber material delivered from an upstream card feeder with a downstream processing equipment and composed of an opening roller rotatable at a high speed and at least one feeding apparatus comprising a feed roller rotating at a low speed and a dish plate composed of plural individual dish plates rotatable around an axial line.
    高速回転可能な開繊ローラと、該開繊ローラの直ぐ上流側に配置されて、低速回転するフィードローラとディッシュプレートから成る少くとも１つの供給装置を含んで成り、前記ディッシュプレートが軸線を中心として回動可能な複数の個別ディッシュプレートから成り、上流のカードフィーダから取り出される繊維材料を下流の装置で加工するために木綿や化学繊維などから成る繊維塊フリースを形成するための装置の改良。 - 特許庁
  • However, in the process of manufacturing or processing a food, if an agricultural chemical whose ingredients have food standards based on Paragraph 1, Article 11 of was used for other purposes than agricultural production and if its use has resulted in residue of the ingredients in the food (e.g., A substance was used for sterilizing an equipment in the production facility of a food, and the use has resulted in a residue in the food due to contact with equipment.), the food may be subject to Paragraph 3, Article 11, since it is very difficult to determine whether the chemical was used for an agricultural production or non-agricultural production purpose.
    ただし、食品の製造・加工の工程等において法第１１条第１項の食品規格が定められている農薬等の成分である物質が、農薬等以外の用途で使用され食品に残留する場合（施設内で設備等の消毒目的で使用された物質について、食品が設備等と接触することにより残留する場合などが考えられる。）、農薬等を使用することにより当該物質が残留する場合との区別がつかないため、当該場合においては同条の規制の対象となること。 - 厚生労働省
  • The electro-chemical deposition system comprises a mainframe 214 having a mainframe wafer transfer robot, a loading station 210 disposed connecting with the mainframe 214, a rapid thermal anneal chamber 211 disposed adjacent to the station 210, one or more processing cells 240 disposed relating to the mainframe 214, and an electrolyte supply fluidly coupled to the cells 240.
    電気化学堆積システムは、メインフレームウェハ移送ロボットを有するメインフレームと、メインフレームと接続して配置されたローディングステーションと、ローディングステーションに隣接して配置された急速熱アニールチャンバと、メインフレームと関連付けて配置された１つ又はそれ以上の処理セルと、１つ又はそれ以上の処理セルと流体接続した電解質供給源とを備える。 - 特許庁
  • The sanitary tissue constituted of two or more plies, is obtained by superposing two or more layers of two or more kinds of base paper different in extension rate in an MD direction due to water absorption, performing ply processing attended with partial pressure bonding or adhesion, then applying a chemical liquid containing moisture to the base paper to thereby generate wrinkles only in the base paper with a higher extension rate.
    ２プライ以上で構成された衛生用薄葉紙について、吸水によるＭＤ方向の伸び率の異なる２種類以上の原紙を２層以上重ね合わせ、部分的な圧着又は接着を伴うプライ加工を施した後、水分を含む薬液を塗布することによって、伸び率の高い原紙にのみシワを生じさせる。 - 特許庁
  • In a manufacturing method of glass substrate for magnetic disk including a process to produce a glass disk by cutting a cylindrical glass base material 3 vertically toward a central axis of the glass base material 3, cutting process is performed after carrying out polishing or mirror processing of a side face of the glass base material 3, and chemical reinforcement process of the side face of the glass base material 3.
    円柱状のガラス母材３をこのガラス母材３の中心軸に対して垂直に切断処理してガラスディスクを作製する工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス母材３の側面の研磨、または、鏡面加工を行い、ガラス母材３の側面の化学強化処理を行ってから、切断処理を行う。 - 特許庁
  • A host device 20 according to the invention includes a communication part 22 for receiving a file including at least one data from a terminal device 10 which is an external device, and a control part 21 (determination part 24) for performing determination processing to determine whether evaluation data for evaluating an effect given to the environment by a chemical material included in a product is included in the file.
    本発明に係るホスト装置２０は、外部装置である端末装置１０から、少なくとも１つのデータを含むファイルを受信する通信部２２と、ファイルに、製品に含まれる化学物質が環境に与える影響を評価するための評価データが含まれているか否かを判定する判定処理を行う制御部２１（判定部２４）と、を備える。 - 特許庁
  • To provide a protection film of a semiconductor wafer which has a favorable adhesive property and tackiness to a semiconductor wafer, is excellent in chemical resistance, heat resistance and low moisture permeability, and easily strippable from the wafer surface without leaving a residue after use, and a method for protecting the semiconductor wafer surface and a method for processing the semiconductor wafer using the protection film.
    半導体ウエハへの良好な密着性、粘着性を有し、耐薬品性、耐熱性、低透湿性に優れ、かつ、使用後は半導体ウエハ表面に残存せずに容易に剥離できる半導体ウエハの保護膜、ならびに該保護膜を利用する半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁
  • The method for cleaning the fiber dyeing apparatus where a fibrous material is dyed comprises a step to clean the fiber dyeing apparatus by the frothed fluid obtained by frothing the cleaning chemical having at least ≥100 mm frothing degree and ≤50 mm stability of the bubble in the fiber dyeing apparatus by agitation action of the jet stream or the boiling of a processing liquid.
    繊維材料の染色加工を行う繊維染色装置において、処理液のジェット流または沸騰による攪拌作用で少なくとも起泡度が１００ｍｍ以上、泡の安定度が５０ｍｍ以下の洗浄薬剤を発泡させ、該発泡流体により洗浄することを特徴とする繊維染色装置の洗浄方法。 - 特許庁
  • In the surface processing method of AlN crystal, for polishing the surface of AlN crystal 1 chemically and mechanically, slurry 17 that is used in chemical mechanical polishing, contains abrasive grains having hardness higher than that of the AlN crystal 1 and abrasive grains having hardness not higher than that of the AlN crystal 1.
    ＡｌＮ結晶１の表面を化学的機械的に研磨するＡｌＮ結晶の表面処理方法であって、化学的機械的研磨に用いられるスラリー１７の砥粒が、ＡｌＮ結晶１よりも硬度の高い高硬度砥粒と、ＡｌＮ結晶１以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法。 - 特許庁
  • To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.
    低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁
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