「memory block」を含む例文一覧(2320)
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メモリーブロック - 研究社 英和コンピューター用語辞典 - RESTORING METHOD FOR MEMORY BLOCK
メモリブロックの修復方法 - 特許庁 - BLOCK SWITCH OF FLASH-MEMORY DEVICE
フラッシュメモリ素子のブロックスイッチ - 特許庁 - ADDRESS DECODE CIRCUIT FOR MEMORY BLOCK
メモリブロックのアドレスデコード回路 - 特許庁 - Each memory block is associated with the memory location storing the memory block.
各メモリ・ブロックと、メモリ・ブロックを格納しているメモリ位置とを関連付ける。 - 特許庁 - MEMORY BLOCK AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE USING THE MEMORY BLOCK
メモリブロック及び当該メモリブロックを用いた半導体記憶装置 - 特許庁 - BLOCK CONTROL CIRCUIT FOR CACHE MEMORY
キャッシュメモリのブロック制御回路 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TAG BLOCK
タグブロック付き半導体メモリ装置 - 特許庁 - DIGITAL SYSTEM HAVING MEMORY BLOCK AND EMULATING METHOD OF BLOCK OF MEMORY
メモリブロックを有するデジタルシステムおよびメモリのブロックのエミュレーティング方法 - 特許庁 - BLOCK MEMORY TRANSFER MODULE AND DATA BLOCK TRANSFER METHOD
ブロックメモリ転送モジュールおよびデータブロック転送方法 - 特許庁 - SHARED MEMORY WITH BLOCK TRANSFER FUNCTION
ブロック転送機能を持つ共有メモリ - 特許庁 - BLOCK SELECTING CIRCUIT FOR FLASH MEMORY DEVICE
フラッシュメモリ装置のブロック選択回路 - 特許庁 - MEMORY SYSTEM HAVING FLASH MEMORY THAT INCLUDES OTP BLOCK
ＯＴＰブロックが含まれたフラッシュメモリを有するメモリシステム - 特許庁 - METHOD OF CONFIGURING MEMORY CELL ARRAY BLOCK, METHOD OF ADDRESSING THE SAME, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY CELL ARRAY BLOCK
メモリセルアレイブロックの構成方法、アドレス指定方法、半導体メモリ装置及びメモリセルアレイブロック - 特許庁 - METHOD FOR WRITING BOOT BLOCK FOR FLASH MEMORY
フラッシュメモリのブートブロック書き込み方法 - 特許庁 - The memory management part 16 allocates the memory block #1 having become the vacant block to the block C2, and stores block allocation information thereof.
メモリ管理部１６は、空きブロックとなったメモリブロック＃１をブロックＣ２に割り当て、そのブロック割り当て情報を保存する。 - 特許庁 - A block selecting circuit makes the first memory cell block to substitute for the defective memory cell block when defect occurs in one or more memory block out of the second memory cell block.
ブロック選択回路は前記第２メモリセルブロックのうち一つまたはそれより多いメモリセルブロックに欠陥が生じる時に、前記欠陥メモリセルブロックを前記第１メモリセルブロックに代替する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING BAD BLOCK MANAGEMENT PART
バッドブロック管理部を含むフラッシュメモリシステム - 特許庁 - The block A includes a memory controller.
ブロックＡには、メモリーコントローラーが含まれる。 - 特許庁 - MOVABLE SECTOR IN BLOCK OF FLASH MEMORY
フラッシュメモリ内のブロックにおける移動セクタ - 特許庁 - STORAGE CELL, MEMORY CELL AND STORAGE CIRCUIT BLOCK
記憶素子、メモリセル及び記憶回路ブロック - 特許庁 - Each memory block MA1-MA4 operates as a bank.
各メモリブロックMA1〜MA4はバンクとして動作する。 - 特許庁 - Each memory block of the flash memory 2 has block erase flags 27-1 to 27-n.
フラッシュメモリ２の各メモリブロックにブロック消去フラグ２７−１〜２７−ｎを備える。 - 特許庁 - To validly use each memory block included in a main memory.
メインメモリに含まれる各メモリブロックを有効利用すること。 - 特許庁 - This semiconductor memory device comprises a memory cell array constituted of a first memory cell block and a second memory cell block.
本発明による半導体メモリ装置は、第１メモリセルブロックと第２メモリセルブロックで構成されるメモリセルアレイを含む。 - 特許庁 - MEMORY CONTROL CIRCUIT, DMA REQUEST BLOCK AND MEMORY ACCESS SYSTEM
メモリ制御回路、ＤＭＡ要求ブロック及びメモリアクセスシステム - 特許庁 - A memory block has regular memory blocks (2, 3) and a spare memory block (3) for the regular memory blocks and a part of the normal memory block is made a storage area (4) of relief information.
メモリブロックは正規のメモリブロック（２，４）と正規のメモリブロックに対する予備のメモリブロック（３）を有し、正規のメモリブロックの一部は救済情報の格納領域（４）とされる。 - 特許庁 - The logical data block (202) in a magnetic random access memory (200) is disclosed.
MRAM(200)の論理データブロック(202)が開示される。 - 特許庁 - MEMORY CIRCUIT HAVING BLOCK ADDRESS SWITCHING FUNCTION
ブロックアドレス切替機能を有するメモリ回路 - 特許庁 - DATA STORING METHOD OF BLOCK ERASURE TYPE MEMORY
ブロック消去型メモリのデータ格納方法 - 特許庁 - The memory test operation is executed in parallel in each memory cell block.
メモリテスト動作は、各メモリセルブロックにおいて並行に実施される。 - 特許庁 - An IO block is coupled to the first memory bank and the second memory bank.
IOブロックは第一メモリバンクと第二メモリバンクに結合される。 - 特許庁 - The first memory cell block is allotted so as the substitute for at least one defective memory cell block out of the second memory cell block.
前記第１メモリセルブロックは前記第２メモリセルブロックのうち少なくとも一つの欠陥メモリセルブロックを代替するように割り当てられる。 - 特許庁 - NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY CELL ARRAY BLOCK, AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE UTILIZING THIS MEMORY CELL ARRAY BLOCK
不揮発性強誘電体メモリセルアレイブロック及び該メモリセルアレイブロックを利用する不揮発性強誘電体メモリ装置 - 特許庁 - MEMORY STRUCTURE HAVING CENTRAL CONTACT BLOCK
中央接続区画を有するメモリ構造物 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BLOCK ALIGNMENT FUNCTION
ブロックアラインメント機能付き半導体記憶装置 - 特許庁 - FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS BLOCK SELECTING CIRCUIT
フラッシュメモリ素子及びそのブロック選択回路 - 特許庁 - The memory cells form a memory cell block as a unit of data erasure, and memory cells connected to the respective word lines in the memory cell block form a page.
メモリセルは、データ消去の単位となるメモリセルブロックを成し、メモリセルブロックにおいて各ワード線に接続されたメモリセルがページを成す。 - 特許庁 - The block selecting circuit so selects the first memory cell block that the first memory cell block corresponding to the height order address substitutes for a defective memory cell block in reverse order when the first memory cell block substitutes for it.
前記ブロック選択回路は欠陥メモリセルブロックが第１メモリセルブロックによって代替される時に、最上位アドレスに対応する第１メモリセルブロックから逆順で代替されるように、前記第１メモリセルブロックを選択する。 - 特許庁 - ERROR BLOCK MANAGEMENT METHOD AND DEVICE OF FLASH MEMORY
フラッシュメモリのエラーブロック管理方法及び装置 - 特許庁 - Each row selector corresponds respectively to a memory block of each mat of the memory device, and selects a corresponding memory block in response to block selection information.
各行選択器はメモリ装置の各メットのメモリブロックに各々対応し、ブロック選択情報に応答して対応するメモリブロックを選択する。 - 特許庁 - A free pointer for each free memory block is stored in a memory block maintained as a linked list.
各フリーメモリブロックに対するフリーポインタが、リンクされたリストとして維持されるメモリブロックに保存される。 - 特許庁 - The second block data are written in a second block corresponding to the memory.
第２のブロックデータは、メモリの対応する第２のブロックに書き込まれる。 - 特許庁 - A functional circuit block B is connected with the memory block with the wiring L1.
機能回路ブロックＢは配線Ｌ１によりメモリブロックと接続される。 - 特許庁 - The integrated circuit device includes a data driver block DB and a memory block MB.
集積回路装置は、データドライバブロックＤＢとメモリブロックＭＢを含む。 - 特許庁 - MEMORY MANAGEMENT SYSTEM FOR CONTROLLING MEMORY SPACE AND ITS RETRIEVING METHOD FOR UNALLOCATED MEMORY BLOCK
メモリ空間を管理するメモリ管理システム及びその未割り当てメモリブロックの検索方法 - 特許庁 - The memory controller writes the system data in the physical block (the good product block) reserved as the system block.
メモリコントローラは、システムブロックとして予約された物理ブロック（良品ブロック）にシステムデータを書き込む。 - 特許庁 - The control block of the virtual memory block 214 controls the supply of an operation clock to the comparison block.
仮想メモリブロック２１４の制御ブロックは、比較ブロックへの動作クロックの供給を制御する。 - 特許庁 - The integrated circuit device includes a data driver block DB, a memory block MB, and a logic circuit block LB.
集積回路装置はデータドライバブロックＤＢとメモリブロックＭＢとロジック回路ブロックＬＢを含む。 - 特許庁 - CELL BLOCK STRUCTURE FOR NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY
不揮発性強誘電体メモリのセルブロック構造 - 特許庁
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