エレクトロンボルトの英語

半反射電極１６は仕事関数が４エレクトロンボルト以下である。例文帳に追加

The semireflective electrode 16 has a work function of ≤4 electron volt. - 特許庁

III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は４．８エレクトロンボルトより小さい。例文帳に追加

The band gap E(15) of the group-III nitride crystal layer 15 is smaller than 4.8 eV (electronvolt). - 特許庁

第１の部分９ａは、１．３エレクトロンボルト以上のバンドギャップを持つ量子井戸構造を有する。例文帳に追加

The first portion 9a has a quantum well structure of band gap of 1.3 electron volts or more. - 特許庁

ホ　電子加速器であって、二メガエレクトロンボルト以上のエネルギーを有する加速された電子からの制動放射によって電磁波を放射することができるもの又はこれを用いた装置（医療用に設計したものを除く。）例文帳に追加

e) Electron accelerators capable of emitting electromagnetic waves by means of a bremsstrahlung from accelerated electrons having energy of 2 mega electron volts or more or equipment using those (excluding those designed for medical use発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

活性領域９は、１．３エレクトロンボルトより小さいバンドギャップの量子井戸構造を有しており、また第１のクラッド層５の第１の部分５ａ上に設けられている。例文帳に追加

An activated area 9 has a quantum well structure of a band gap smaller than 1.3 electron volts, and is provided on the first portion 5a of the first clad layer 5. - 特許庁

半反射電極１６は仕事関数が４エレクトロンボルト以下であり、導電性半反射層１７は光の反射率が半反射電極１６よりも高い金属材料（例えば銀）から形成されている。例文帳に追加

The semi-reflection electrode 16 has a work function of 4 electron volts or less, and the conductive semi-reflection layer 17 is formed with meal materials (such as silver) having the optical reflectance higher than that of the semi-reflection electrode 16. - 特許庁

第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。例文帳に追加

A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P). - 特許庁