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ドリフト電子の英語
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英訳・英語 drift electron
「ドリフト電子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 137件
閉じた電子ドリフトプラズマ加速器例文帳に追加
密閉型電子ドリフトスラスタ例文帳に追加
SEALED ELECTRONIC DRIFT THRUSTER - 特許庁
電子ビームドリフト診断方法、電子ビーム露光装置例文帳に追加
METHOD FOR DIAGNOSING ELECTRON BEAM DRIFT AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM - 特許庁
ドリフト部6aが電子通過部を構成し、強電界ドリフト層6が電子通過層を構成する。例文帳に追加
The drift parts 6a constitute an electron passing part and the high electric field drift layer 6 constitutes an electron passing layer. - 特許庁
電子透かし埋め込み方式およびドリフト補償方式例文帳に追加
ELECTRONIC WATERMARK EMBEDDING SYSTEM AND DRIFT COMPENSATION SYSTEM - 特許庁
走査型電子顕微鏡及び走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法例文帳に追加
SCANNING ELECTRON MICROSCOPE AND DRIFT CORRECTION METHOD OF SCANNING ELECTRON MICROSCOPE - 特許庁
電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法例文帳に追加
METHOD FOR CORRECTING BEAM DRIFT OF ELECTRON BEAM, AND METHOD FOR DRAWING ELECTRON BEAM - 特許庁
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「ドリフト電子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 137件
走査型電子顕微鏡における画像ドリフト自動修正システム例文帳に追加
AUTOMATIC IMAGE DRIFT CORRECTION SYSTEM FOR SCANNING ELECTRON MICROSCOPE - 特許庁
マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法例文帳に追加
MASK, ALIGNER AND ELECTRON BEAM DIMENSION DRIFT CORRECTING METHOD - 特許庁
平均値のドリフトを考慮した電子部品のテスト方法例文帳に追加
TESTING METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT WITH DRIFT OF AVERAGE VALUE TAKEN INTO CONSIRATION - 特許庁
高熱負荷に適応する閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタ例文帳に追加
CLOSE TYPE ELECTRON DRIFT PLASMA THRUSTER ADAPTED TO PYROGENETIC LOAD - 特許庁
n形シリコン基板1から強電界ドリフト層6に注入された電子は、強電界ドリフト層6内を表面に向かってドリフトし表面電極7をトンネルして放出される。例文帳に追加
Electrons injected from the n-type silicone substrate 1 to the strong field drift layer 6 are drifted toward the surface inside the strong field drift layer 6 and emitted through the surface electrode 7. - 特許庁
絶縁性基板11の一表面側に電子のドリフトする強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に表面電極7が形成される。例文帳に追加
A strong electric field drift layer 6 whereon electrons drift is formed on one surface of the insulated board 11 while a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6. - 特許庁
強電界ドリフト層6が、下部電極12と表面電極7との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子がドリフトするドリフト部を構成している。例文帳に追加
The strong field drift layer 6 forms a drift part where an electron is drifted by an electric field acting when a voltage is applied between the lower electrode 12 and the surface electrode 7. - 特許庁
n形シリコン基板1から強電界ドリフト部6に注入された電子は、強電界ドリフト部6内を表面に向かってドリフトし表面電極7をトンネルして放出される。例文帳に追加
The electrons injected in the strong electrostatic drift region 6 and originated from the n-type silicon substrate are drifted in a strong electrostatic drift region 6 toward surface and are tunneled through the surface electrode 7 to be emitted. - 特許庁
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drift electron
英和専門語辞典
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