ドリフト電界の英語

強電界ドリフト層６が、下部電極１２と表面電極７との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子がドリフトするドリフト部を構成している。例文帳に追加

The strong field drift layer 6 forms a drift part where an electron is drifted by an electric field acting when a voltage is applied between the lower electrode 12 and the surface electrode 7. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト部６に注入された電子は、強電界ドリフト部６内を表面に向かってドリフトし表面電極７をトンネルして放出される。例文帳に追加

The electrons injected in the strong electrostatic drift region 6 and originated from the n-type silicon substrate are drifted in a strong electrostatic drift region 6 toward surface and are tunneled through the surface electrode 7 to be emitted. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし金薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7. - 特許庁

絶縁膜１６が、ドリフト部６ａにおける分離部６ｂとの境界近傍の部分の電界強度をドリフト部６ａの中央部の電界強度よりも小さくする電界緩和手段を構成している。例文帳に追加

A field alleviating means to make the field strength in the part near the boundary with the separating part 6b in the drift part 6a smaller than the field strength in the central part of the drift part 6a is constituted by the insulating film 16. - 特許庁

そして、水素ラジカル照射後の強電界ドリフト層６上に表面電極７を形成する。例文帳に追加

A surface electrode 7 is formed on a strong field drift layer 6, after irradiation of hydrogen radicals. - 特許庁

ドリフト室２１に導入されたパルス状のイオン群は、ドリフトガス導入管４７より導入されたドリフトガスの分子の影響を受けることで時間的遅れを持って移動し、ドリフト室２１内に形成されたほぼ均一の電界に沿って集電極４５に到達する。例文帳に追加

The pulse-like ion group introduced into the drift chamber 21 moves with a temporal delay by being influenced by molecules of a drift gas introduced from a drift gas introduction tube 47 and reaches a collection electrode 45 along a nearly uniform electric field formed in the drift chamber 21. - 特許庁

強電界ドリフト部６は、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の厚み方向に直交する断面が網目状に形成され上記電子がドリフトするドリフト部６１と、網目の中に満たされたドリフト部６１よりも熱伝導性の良い放熱部６２とからなる。例文帳に追加

The strong electric field drift part 6 consists of a drift part 61 for the electron to drift on it while having a mesh cross section perpendicular to the thickness direction of the n-type silicon substrate 1 of a conductive substrate, and a heat radiating part 62 having higher heat conductivity than the drift part 61 filled in the mesh. - 特許庁