ドリフト電流の英語

半導体装置は、基板１と、第１ドリフト層２と、第２ドリフト層３と、第１ウェル領域４ａと、第２ウェル領域４ｂと、電流制御領域（ＪＦＥＴ領域）１５と、電界緩和領域（ＪＴＥ領域）８とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device includes a substrate 1, a first drift layer 2, a second drift layer 3, a first well region 4a, a second well region 4b, a current control region (JFET region) 15, and an electric field relaxing region (JTE region) 8. - 特許庁

ドリフト領域１４の一部には、ｎ型ドリフト層１４のうちの他の領域よりもｎ型不純物の濃度の高い電流誘導層７が設けられている。例文帳に追加

Current induction layers 7 having an n-type impurity concentration higher than that of the other area of the n-type drift layer 14 are formed in a part of the drift area 14. - 特許庁

広い動作範囲での安定性や線形性が高く、オフセットやゲインドリフトが低い電流センサーを提供すること。例文帳に追加

To provide a current sensor which is high in its stability and linearity in a wide operating range and low in its offset or gain drift. - 特許庁

差動増幅器の零点調整が必要なく，又ドリフト対策も必要ない安価で精度良い抵抗成分電流測定回路を提供する。例文帳に追加

To provide a resistance component current detecting circuit of low cost price and superior accuracy, that will not require zero adjustment for a differential amplifier and measure against drift. - 特許庁

電圧外乱やドリフトの影響を受けずに、精度良くリーク電流を測定することができるようにする。例文帳に追加

To measure a leakage current with a sufficient precision with no affect from voltage disturbance or drift. - 特許庁

電流リークパスを低減可能であると共に、ドリフト層におけるオン抵抗を低減可能な窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element that can reduce a current leak path and also reduce ON resistance of a drift layer. - 特許庁

ドリフト層３は、電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1dを有する。例文帳に追加

A drift layer 3 has a thickness direction through which a current penetrates and has an impurity concentration N_1d of a first conductivity type. - 特許庁

出力インピーダンスの影響及び温度ドリフトによる入出力電流比の設定値に対する誤差を低減させること。例文帳に追加

To provide a current mirror circuit for reducing or eliminating the effect of an output impedance and an error of an input output current ratio due to temperature drift. - 特許庁