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ルチル構造の英語
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英訳・英語 rutile structure
「ルチル構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
内視鏡におけるマルチルーメンチューブの接続構造例文帳に追加
MULTI-LUMEN TUBE CONNECTING STRUCTURE FOR ENDOSCOPE - 特許庁
ルチル結晶構造を備えた酸化チタン膜の製造方法例文帳に追加
FORMATION METHOD OF TITANIUM OXIDE FILM HAVING RUTILE CRYSTAL STRUCTURE - 特許庁
前記窒素置換型酸化チタンは、ルチル構造を含まず、また窒素置換率が1.5%以上である。例文帳に追加
The nitrogen substituted-type titanium oxide contains no rutile structure or nitrogen substitution rate is 1.5% or more. - 特許庁
この酸化チタンは、結晶構造がルチル型の二酸化チタンを含むのが好ましい。例文帳に追加
This titanium oxide preferably contains titanium dioxide of a rutile type in crystalline structure. - 特許庁
磁気光学素子は、ルチル型構造を有する二酸化チタンにコバルトを添加してなる。例文帳に追加
The magneto-optic element is constructed by adding cobalt to titanium dioxide with a rutile structure. - 特許庁
酸化チタンの結晶構造はルチル型で、粒径は900nm以下であることを特徴としている。例文帳に追加
The crystal structure of titanium oxide is rutile type and titanium oxide has a particle diameter of ≤900 nm. - 特許庁
酸化チタンは、結晶構造がルチル型の二酸化チタンを含むものであり、さらには、ルチル型の二酸化チタンを主とするもの、ルチル型の二酸化チタンとアナターゼ型の二酸化チタンとの混合物を主とするものである。例文帳に追加
The crystal structure of the titanium oxide is one containing a rutile-type titanium dioxide and moreover, is one containing chiefly the rutile-type titanium dioxide and one containing chiefly the mixture of the rutile-type titanium dioxide with an anatase-type titanium dioxide. - 特許庁
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「ルチル構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
TiO_2膜とSiO_2膜とを交互に積層してなる光学多層膜において、TiO_2膜中におけるアナターゼ構造とルチル構造のX線回折ピーク強度比(アナターゼ構造:ルチル構造)が70:30〜100:0の範囲内であることを特徴としている。例文帳に追加
In each TiO_2 film of the optical multilayer film formed by alternately stacking TiO_2 films and SiO_2 films, the X-ray diffraction peak intensity ratio (anatase structure/rutile structure) of anatase structure to rutile structure is within a range of 70/30 to 100/0. - 特許庁
高温のアニールを必要とせずに、誘電率の高いルチル結晶構造の酸化チタン膜を形成する。例文帳に追加
To form a titanium oxide film of rutile crystal structure having a high dielectric constant without requiring high temperature annealing. - 特許庁
キャパシタ用容量絶縁膜として、比較的低温で容易に、ルチル結晶構造のTiO_2膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of easily forming a TiO_2 film of a rutile crystal structure at relatively low temperature as a capacitive insulating film for a capacitor. - 特許庁
この触媒の担体としては、酸化チタン、特にルチル型の結晶構造を有する酸化チタンが好ましく用いられる。例文帳に追加
By using the catalyst, chlorine is produced with satisfactory productivity over a long period of time. - 特許庁
RuO_2前処理膜上にRuO_2前処理膜の結晶構造に沿ってルチル結晶構造でTiO_2誘電膜を形成しつつTiO_2誘電膜に不純物をドーピングする。例文帳に追加
Forming of the TiO_2 dielectric film is processed on the RuO_2 preliminarily processed film in the rutile crystal structure in conformity with the crystal structure of the RuO_2 preliminarily processed film, together with doping of impurities to the TiO_2 dielectric film. - 特許庁
本発明に関わる低磁性黒色顔料粉末は、ルチル型TiO_2相を基体とし、該基体がFe_2TiO_4相で被覆された粒子構造を特徴とし、X線回折においてルチル型TiO_2をメインピ−クとして、Fe_2TiO_4のピ−クを含む混合相結晶である。例文帳に追加
The low magnetic black pigment powder is a mixed-phase crystalline, having a rutile-type TiO2 phase as a base, wherein the base is characterized by a particle structure covered with Fe2TiO4 phase, and having a peak of Fe2TiO4 with the rutile-type TiO2 as a main peak in X-ray diffraction. - 特許庁
又、無機酸化物は、トリルチル型結晶構造をなす酸化物、特にアンチモンを含むトリルチル型結晶構造をなす複酸化物であること、又、膜形成物は、屈折率ndが1.55以上であり、600℃以下で前記無機酸化物の表面を濡らす状態の粘性となるガラス粉末、或いは、光照射により硬化する樹脂であることを特徴とする。例文帳に追加
The transparent conductive material is also characterized in that the inorganic oxide is an oxide forming a tolyltyl type crystalline structure, particularly a composite oxide forming a tolyltyl type crystalline structure containing antimony; and the film formation is glass powder having a refractive index (nd) above 1.55, and coming into a viscous state wetting the surface of the inorganic oxide below 600°C, or a resin cured by light irradiation. - 特許庁
ルチル構造の結晶質基板、又は導電性または半導電性のスピネル構造結晶質基板を用いて、その基板上にペロブスカイト含有層状化合物がその化合物の層状の積層方向が基板面と平行になる方位でエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
A rutile-structure crystalline substrate or a conductive or semiconductive spinel-structure crystalline substrate is employed, and a perovskite-containing laminar compound is epitaxially grown on the substrate as the direction of lamination of the laminar compound is oriented in parallel with the surface of the substrate. - 特許庁
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