成長拡散の英語

アルカリ金属の外部への拡散を確実に防止できる結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth apparatus where the diffusion of an alkali metal to the outside can be certainly prevented. - 特許庁

ストライプ状ベース領域は、固相拡散もしくはエピタキシャル成長により形成される。例文帳に追加

The striped base region 20 is formed through a solid phase diffusion or epitaxial growth. - 特許庁

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。例文帳に追加

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2. - 特許庁

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。例文帳に追加

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment. - 特許庁

成長基板上に、発光層、電流拡散層、および電流狭窄層１をこの順番で成長形成する。例文帳に追加

An emission layer, a current diffusion layer and a current constriction layer 1 are grown in this order on a growth substrate. - 特許庁

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。例文帳に追加

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7. - 特許庁

Ｍｇドープ原子がｐカバー層２０からアクティブ層１４へ拡散するのを抑圧するために（この拡散は通常、ＧａＰ窓層２２に対する高い成長温度の際に発生する）、アクティブ層１４とｐカバー層２０との間に拡散ストップ層１６が設けられている。例文帳に追加

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22). - 特許庁

このとき、ソース拡散層１３Ｓ及びドレイン拡散層１３Ｄの表面に形成されているシリコン酸化膜３１は、シリコン窒化膜３２に覆われているため、成長しない。例文帳に追加

Then, the film 31 formed on the surfaces of the layer 13S and a drain diffused layer 13D is not grown since the film 31 is coated with the film 32. - 特許庁